產(chǎn)品特性：
- MOSFET及功率二極管整合到同一封裝
- 小體積，低成本
- 在1.8V 時便可達到導通電阻額定值
- 無需使用電平位移電路
- 導通電阻:介于1.8V VGS時17?～4.5V VGS時3.8?
- 無鉛，無鹵素，并且符合 RoHS規(guī)范
應用范圍：
- 面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉化器
- 手機、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。
SiA850DJ 的典型應用將包括面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉化器以及手機、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的有機 LED（OLED）背光。
將 MOSFET 及功率二極管整合到同一封裝可幫助設計人員節(jié)約至少三分之一的 PCB 面積，同時由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在 2.5V 時達到導通電阻額定值，而 SiA850DJ 在 1.8V 時便可達到導通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進一步節(jié)約了板面空間。該器件的導通電阻值范圍介于 1.8V VGS 時 17?～4.5V VGS時 3.8?，0.5A 時二極管正向電壓為 1.2 V。
SiA850DJ 100% 無鉛（Pb），無鹵素，并且符合 RoHS規(guī)范，因此符合有關消除有害物質的國際法規(guī)要求。
目前，新型 SiA850DJ 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
