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背光源(Backlight)的起源發(fā)展及分類
背光源是位于液晶顯示器背后的光源,它的發(fā)光效果會直接影響液晶顯示器的視覺效果?,F(xiàn)在常用的背光源是小型冷陰極熒光燈(CCFL),市場潛力巨大,廠商競爭激烈。由于LED技術(shù)的突破性進展以及CCFL在環(huán)保認證上不能達到標準,大力度研發(fā)LED為光源的背光系統(tǒng)成為背光源市場的新方向。
2008-10-25
背光源 LED背光源 CCFL 導光板 背光模組
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我國電子信息產(chǎn)業(yè)進出口仍將穩(wěn)步發(fā)展
在日前舉辦的“2008中國電子信息產(chǎn)業(yè)高峰論壇”上,商務部部長助理崇泉表示,目前,我國電子信息產(chǎn)業(yè)從高速增長轉(zhuǎn)變?yōu)橹兴僭鲩L,增速趨于平穩(wěn),但是中國作為世界電子信息產(chǎn)品制造中心的地位不會改變。目前,我國電子信息產(chǎn)業(yè)形成了全方位、多層次的開放格局。隨著經(jīng)濟全球化的深入發(fā)展,我國電子信息...
2008-10-24
電子信息產(chǎn)業(yè)
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電子產(chǎn)品的靜電放電保護(一)
本文第一部分介紹了電子行業(yè)的四個長期技術(shù)和應用趨勢以及靜電放電(ESD)保護對耐用電子設(shè)計的重要性,舉例說明了ESD閃擊可能引發(fā)的故障機制,以及一些定義測試儀器和測試協(xié)議的常見標準,最后介紹了分流型保護器件的關(guān)鍵參數(shù);第二部分介紹最常見的分流時間瞬態(tài)抑制器,并探討如何為其中廣泛應用的...
2008-10-24
ESD 耐用電子設(shè)計 故障機制 分流型保護器件 分流時間瞬態(tài)抑制器
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功率器件熱設(shè)計及散熱計算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問題,通過對功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計算,得出散熱方式的設(shè)計和散熱器的選擇。
2008-10-24
熱設(shè)計 功率器件 散熱計算
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軟性印刷電路板將走向良性發(fā)展
軟性印刷電路板 (FPC)產(chǎn)業(yè)2005、2006年大幅擴產(chǎn),導致削價競爭嚴重,經(jīng)過近兩年的調(diào)整加上受上半年整體景氣衰退影響,中國大陸不少小型軟板廠陸續(xù)倒閉,歐美及日系廠商降低軟板比重,整體產(chǎn)業(yè)供給進入穩(wěn)定狀況。
2008-10-23
軟性印刷電路板 FPC
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江西首個多晶硅生產(chǎn)項目在樟樹正式投產(chǎn)
10月23日,引進世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達5000萬美元,年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項目在江西樟樹正式投產(chǎn),這是江西省首個投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹
本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過流保護的工作原理,其次分析了環(huán)境溫度對高分子PTC熱敏電阻的影響,最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動作后的恢復特性。
2008-10-23
高分子PTC熱敏電阻 過流保護 環(huán)境影響
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP :Vishay新型功率MOSFET
日前,Vishay推出一款新型 25V n 通道器件,從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列,對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言,該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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過壓保護的備用電路: 技巧和竅門
過壓保護(OVP)器件用于保護后續(xù)電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞,在某些特定的應用中,基本的過壓保護電路不足以勝任器件保護的要求,通常有以下兩種需求。第一,電路的最大輸入電壓可能增大;第二,適當修改電路,可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...
2008-10-23
過壓保護 電路 MOSFET
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