-
DS4266:Maxim DDR應(yīng)用晶體振蕩器
Maxim Integrated Products (NASDAQ：MXIM)近日推出針對(duì)DDR存儲(chǔ)應(yīng)用的266MHz時(shí)鐘振蕩器DS4266。該器件具有極為精確的48%/52%占空比輸出、低于1psRMS (12kHz至20MHz)的RMS抖動(dòng)、以及±7.5ps (典型值)的周期間抖動(dòng)。器件提高了系統(tǒng)的時(shí)鐘裕量，并且在高速數(shù)據(jù)傳輸期間具有極低的誤碼率(BER)。DS4266極...
2009-03-16
DS4266 晶體振蕩器 DDR存儲(chǔ) Maxim
-
Murata宣布正在開(kāi)發(fā)支持USB 3.0的共模扼流圈
在2009年3月6日于東京舉行的“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”研討會(huì)上，村田制作所元件事業(yè)本部、EMI事業(yè)本部及商品開(kāi)發(fā)部的熊谷英樹(shù)上臺(tái)介紹了該公司的USB 3.0共模扼流圈的開(kāi)發(fā)情況。
2009-03-13
USB 3.0 共模扼流圈
-
泰克公司榮獲英特爾首選優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)
日前榮獲英特爾公司2008年首選優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商(PQS)獎(jiǎng)，以表彰泰克全年為英特爾所做出的巨大貢獻(xiàn)。泰克公司為英特爾提供優(yōu)質(zhì)的驗(yàn)證測(cè)試設(shè)備，對(duì)英特爾的成功至關(guān)重要。與泰克一同獲得2008年P(guān)QS獎(jiǎng)項(xiàng)的還有另外25家供應(yīng)商。
2009-03-13
測(cè)試設(shè)備 英特爾 泰克 邏輯分析儀 示波器
-
愛(ài)普科斯(EPCOS)輸出端過(guò)壓保護(hù)參考設(shè)計(jì)
雷擊產(chǎn)生的浪涌電壓會(huì)對(duì)電子設(shè)備帶來(lái)危害，EPCOS輸出端過(guò)壓保護(hù)參考設(shè)計(jì)ProShot 6000可保護(hù)家電免受電壓浪涌致命影響。
2009-03-13
雷擊 EPCOS 浪涌 電路保護(hù) ProShot 6000 壓敏電阻 氣體放電管
-
飛利浦MASTER LED憑出色設(shè)計(jì)和耐用性再獲兩大獎(jiǎng)
近日，飛利浦MASTER LED獲得法國(guó)設(shè)計(jì)研究中心（Institute Francais du Design）及巴黎國(guó)際酒店及餐飲設(shè)備展（Equip''''''''Hotel Paris）榮譽(yù)。
2009-03-12
MASTER LED LED 飛利浦 照明
-
iSuppli預(yù)測(cè)09年LED背光成為面板產(chǎn)業(yè)救世主
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)測(cè)，2009年全球LED銷售額可望逆勢(shì)成長(zhǎng)2.9%，增幅雖低于2008年的10.8%，但表現(xiàn)仍遠(yuǎn)優(yōu)于其它銷售額驟減的電子零組件產(chǎn)品類別。2009年，LED在背光領(lǐng)域的增長(zhǎng)主要集中在液晶電視、筆記本電腦，特別是Netbook上的應(yīng)用。
2009-03-12
LED背光 面板 液晶電視 筆記本 上網(wǎng)本
-
USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國(guó)安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測(cè)試儀器
-
Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開(kāi)關(guān)
-
中國(guó)版WEEE出臺(tái)：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實(shí)施近三年后，中國(guó)版WEEE出臺(tái)。條例對(duì)制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機(jī)的到來(lái)讓該條例正式實(shí)施的時(shí)間推遲到2011年元旦。中國(guó)版的WEEE在多次征求意見(jiàn)和修改后對(duì)生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國(guó)版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例
- 隔離飛電容多電平變換器的硬件設(shè)計(jì)
- 艾睿電子助力SAVART Motors擴(kuò)大其在印尼的電動(dòng)車制造規(guī)模
- 面向車載應(yīng)用的 DC/DC 電源
- 村田開(kāi)發(fā)了村田首款 “HCR/XRCGE_M_F系列”汽車用晶體諧振器
- Vishay 新款150 V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
- 瑞薩推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM 完整內(nèi)存接口芯片組解決方案
- 長(zhǎng)光辰芯發(fā)布高速背照式全局快門CMOS圖像傳感器——GSPRINT5514BSI
- 意法半導(dǎo)體披露 2027-2028 年財(cái)務(wù)模型及2030年目標(biāo)實(shí)現(xiàn)路徑
- 第104屆中國(guó)電子展圓滿收官！盛況空前，煥發(fā)電子行業(yè)新活力新生態(tài)！
- 用于極端 PCB 熱管理的埋嵌銅塊
- 射頻全差分放大器（FDA）如何增強(qiáng)測(cè)試系統(tǒng)？射頻采樣模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）來(lái)幫忙！
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
