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如何使用具有集成400mV基準(zhǔn)的雙微功率比較器簡(jiǎn)化監(jiān)控器和控制功能？
LT6700雙比較器囊括了用于在空間因素至關(guān)重要的設(shè)計(jì)中減少元件數(shù)量的諸多特點(diǎn)，包括一個(gè)取自經(jīng)修整的片上400mV帶隙的基準(zhǔn)和內(nèi)部遲滯機(jī)制。LT6700還具有低壓微功率單電源操作(典型值為1.4V至18V、7μA)和Over-The-Top? I/O功能，旨在實(shí)現(xiàn)通用性的最大化，并提供特別適用于便攜式電池供電應(yīng)用的解決方...
2021-12-08
雙微功率比較器 監(jiān)控器
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如何使用 TI 毫米波占位傳感器設(shè)計(jì)高能效的智能空調(diào)
與以往相比，發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)和發(fā)展中國(guó)家/地區(qū)的人們?nèi)缃窀右蕾?lài)空調(diào) (AC) 來(lái)獲得舒適的生活空間，因此，能源消耗也隨之快速增加。
2021-12-07
TI 毫米波占位傳感器 智能空調(diào)
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優(yōu)化信號(hào)鏈的電源系統(tǒng) — 第3部分：RF收發(fā)器
本文重點(diǎn)關(guān)注信號(hào)鏈的另一部分——RF收發(fā)器。本文將探討器件對(duì)來(lái)自各電源軌的噪聲的敏感度，確定哪些器件需要額外的噪聲濾波。本文提供了一種優(yōu)化的電源解決方案，并通過(guò)將其SFDR和相位噪聲性能與當(dāng)前PDN（當(dāng)連接到RF收發(fā)器時(shí)）進(jìn)行比較來(lái)進(jìn)一步驗(yàn)證。
2021-12-07
信號(hào)鏈 電源系統(tǒng) RF收發(fā)器
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干貨 | 低成本 MCU 助力電池組系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大功能
電池技術(shù)發(fā)展催生了全新一代的個(gè)人電子產(chǎn)品。也得益于技術(shù)的進(jìn)步，電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)等具有嚴(yán)苛電源要求的產(chǎn)品也有極大的發(fā)展。如今隨著大規(guī)模的使用，電池必須比以往任何時(shí)候都安全，高效，和智能。而隨著人們對(duì)智能電池組系統(tǒng)的功能需求不斷增加，選擇合適的 MCU 也變的越來(lái)越重要。...
2021-12-07
低成本 MCU 電池組系統(tǒng)
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I2C通信協(xié)議：了解I2C Primer、 PMBus和SMBus
I2C，即Inter-Integrated Circuit，是一種常用的串行通信協(xié)議，用于在器件之間——特別是兩個(gè)或兩個(gè)以上不同電路之間建立通信。I2C Primer是最常用的I2C。本文將介紹I2C Primer的基本特性和標(biāo)準(zhǔn)，并重點(diǎn)說(shuō)明在通信實(shí)現(xiàn)過(guò)程中如何正確使用該協(xié)議。從I2C的基本原理出發(fā)，我們將介紹其變體子集——系統(tǒng)管理...
2021-12-02
wenwei
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設(shè)計(jì)低靜態(tài)電流 (Iq) 汽車(chē)電池反向保護(hù)系統(tǒng)的 3 種方法
車(chē)輛中電子電路數(shù)量不斷增加，使得需要消耗的電池電量也隨之大幅增長(zhǎng)。為了支持遙控免鑰進(jìn)入和安全等功能，即使在汽車(chē)停車(chē)或熄火時(shí)，電池也要持續(xù)供電。
2021-11-30
低靜態(tài)電流 汽車(chē)電池 反向保護(hù)系統(tǒng)
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低壓差穩(wěn)壓器LDO的基本原理與主要參數(shù)
取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較，兩者的差值經(jīng)放大器A放大后，控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。
2021-11-29
低壓差穩(wěn)壓器LDO
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穩(wěn)壓管的4種應(yīng)用電路
穩(wěn)壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號(hào)是：此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。
2021-11-29
穩(wěn)壓管 應(yīng)用電路
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MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素
許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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