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基于GD32F407VET6主控芯片的永磁同步電機(jī)控制器設(shè)計(jì)
作品以國(guó)產(chǎn)MCU為核心，配合成熟的硬件方案和完善的軟件算法，解決了永磁同步電機(jī)在單母線電流傳感器拓?fù)潋?qū)動(dòng)下零低速和中高速范圍內(nèi)無(wú)位置傳感器控制問(wèn)題，實(shí)驗(yàn)效果優(yōu)異，對(duì)于提高永磁同步電機(jī)在風(fēng)機(jī)、水泵、電動(dòng)工具等應(yīng)用領(lǐng)域具有積極意在僅有單母線電流傳感器的情況下，實(shí)現(xiàn)永磁同步電機(jī)的零低速...
2024-09-20
GD32F407VET6 主控芯片 永磁同步電機(jī)控制器
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如何選擇和應(yīng)用機(jī)電繼電器實(shí)現(xiàn)多功能且可靠的信號(hào)切換
電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 (ATE) 和安全設(shè)備等應(yīng)用越來(lái)越需要可靠地切換和路由單個(gè)或多個(gè)中低電平直流、交流（模擬）和射頻 (RF) 信號(hào)。機(jī)電繼電器 (EMR) 非常適合處理這項(xiàng)任務(wù)。
2024-09-20
機(jī)電繼電器 信號(hào)切換
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基于APM32F411的移動(dòng)電源控制板應(yīng)用方案
旅游、野營(yíng)與自駕游等戶外活動(dòng)帶火了各類便攜式電器設(shè)備，日益增長(zhǎng)的充電需求推動(dòng)了移動(dòng)電源市場(chǎng)的繁榮。據(jù)中研網(wǎng)預(yù)測(cè)，全球移動(dòng)電源市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2029年依舊保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.87億美元。
2024-09-20
APM32F411 移動(dòng)電源 控制板應(yīng)用
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選擇LDO時(shí)的主要考慮因素和挑戰(zhàn)
低壓差(LDO)穩(wěn)壓器在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他便攜式小型設(shè)備等現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。由于其效率和可靠性，它們?cè)谙到y(tǒng)級(jí)芯片(SoC)架構(gòu)中的集成變得越來(lái)越普遍。然而，片上LDO選項(xiàng)和特性種類繁多，使得選擇過(guò)程變得十分復(fù)雜。
2024-09-18
LDO
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兩張圖說(shuō)清楚共射極放大器為什么需要發(fā)射極電阻
共射極（CE）放大器的發(fā)射極電阻是設(shè)定放大器增益的重要組件之一。它通過(guò)限制對(duì)放大器級(jí)的負(fù)反饋量來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能。簡(jiǎn)而言之，發(fā)射極旁路電容器通過(guò)抑制反饋來(lái)增加放大器的增益。
2024-09-18
共射極放大器 射極電阻
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使用 PLECSPIL 開發(fā)嵌入式控件
MCU 在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用。人們不斷追求使電源轉(zhuǎn)換器更高效、更緊湊、更智能、更便宜，這就需要使用只能以數(shù)字方式執(zhí)行的高度復(fù)雜的控制和信號(hào)處理算法。MCU 通?？梢匀〈鄠€(gè)分立元件，在某些情況下甚至可以消除對(duì)某些傳感器的需求。專用于電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的 MCU 的價(jià)格已經(jīng)下降到即使...
2024-09-17
PLECSPIL 嵌入式控件
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關(guān)于藍(lán)牙信道探測(cè)的簡(jiǎn)短設(shè)計(jì)教程
到目前為止，藍(lán)牙 RSSI 依靠估算來(lái)確定位置，這會(huì)導(dǎo)致多路徑和障礙物等問(wèn)題。這反過(guò)來(lái)又會(huì)大大降低準(zhǔn)確性。藍(lán)牙信道探測(cè)通過(guò)將精度提高到亞米級(jí)來(lái)解決此問(wèn)題。“藍(lán)牙 SIG 采用信道探測(cè)顯著提高了以前的藍(lán)牙測(cè)距技術(shù)的精度，并鼓勵(lì)了整個(gè)藍(lán)牙設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)的創(chuàng)新?！盢ordic Semiconductor 短距離業(yè)務(wù)部...
2024-09-16
藍(lán)牙信道探測(cè)
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“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線
今天，我們將介紹英特爾的兩項(xiàng)突破性技術(shù)：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)，也將用于Intel 18A。
2024-09-16
晶體管
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電源效率測(cè)試
效率是電源測(cè)試中十分常見的測(cè)試項(xiàng)，高效的電源表現(xiàn)是眾多廠家一直追求的目標(biāo)。在芯片的規(guī)格書中，通常都會(huì)提供幾種常見的輸入輸出應(yīng)用下的效率曲線。當(dāng)實(shí)際的應(yīng)用范圍與規(guī)格書上不同，或者在demo板的基礎(chǔ)上我們進(jìn)行了其它改動(dòng)的時(shí)候，就需要重新進(jìn)行效率測(cè)試。
2024-09-16
電源效率
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