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艾睿電子助力SAVART Motors擴大其在印尼的電動車制造規(guī)模
全球技術解決方案供應商艾睿電子宣布為印尼本土電動車制造商SAVART Motors提供支持，助力其設計和制造高品質、安全且經(jīng)濟實惠的電動兩輪車。首批數(shù)百輛SAVART電動兩輪車預計將于2025年第二季度投入市場。
2024-11-23
艾睿電子 SAVART Motors 電動車制造
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隔離飛電容多電平變換器的硬件設計
為了確保在指定的 40 V 輸出上進行安全可靠的測試，選擇組件時要考慮各種操作。為了實現(xiàn)更大的電壓測試，并展示飛跨電容器多電平轉換器 (FCMFC) 如何利用與反激式轉換器相同的組件更有效地執(zhí)行， 本研究中未使用飛跨電容器結構帶來的較低額定電壓。這表明后續(xù)幾代產(chǎn)品將通過使用 額定值較低的半導體...
2024-11-23
飛電容 電平變換器 硬件設計
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測試應用助力功率器件研究及性能評估
隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰(zhàn)。同時，隨著SiC等寬禁帶半...
2024-11-23
雙脈沖測試應用 功率器件
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高信噪比MEMS麥克風驅動人工智能交互
在英飛凌，我們一直堅信卓越的音頻解決方案對于提升消費類設備的用戶體驗至關重要。我們堅定不移地致力于創(chuàng)新，在主動降噪、語音透傳、錄音室錄音、音頻變焦和其他相關技術方面取得了顯著進步，對此我們深感自豪。作為MEMS麥克風的領先供應商，英飛凌集中資源改善MEMS麥克風的音頻質量，為TWS和耳罩...
2024-11-23
高信噪比 MEMS麥克風 人工智能交互
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結...
2024-11-20
DRAM器件 寄生電容
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韌性與創(chuàng)新并存，2024 IIC創(chuàng)實技術再獲獎分享供應鏈挑戰(zhàn)下的自我成長
11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會展中心7號館圓滿落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設計峰會，IIC Shenzhen 2024再次為半導體產(chǎn)業(yè)搭建了一個專業(yè)的交流平臺，聚集國內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領袖、管理人員、設計精英及決策者，聚...
2024-11-19
IIC 創(chuàng)實技術 供應鏈
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在更寬帶寬應用中使用零漂移放大器的注意事項
零漂移運算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術的結合來消除不需要的低頻誤差源，例如失調和1/f噪聲。傳統(tǒng)上，此類放大器僅用于低帶寬應用中，因為這些技術在較高頻率時會產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設計時考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運算放大...
2024-11-19
零漂移放大器 寬帶寬應用
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-19
SiC 加工工藝 離子
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在發(fā)送信號鏈設計中使用差分轉單端射頻放大器的優(yōu)勢
傳統(tǒng)的射頻 (RF) 發(fā)送信號鏈通常使用數(shù)模轉換器 (DAC) 來生成基帶信號。然后，使用射頻混頻器和本地振蕩器將此信號上變頻為所需的射頻頻率。射頻 DAC 技術取得進步，現(xiàn)在允許直接以所需的射頻頻率生成信號，從而顯著簡化射頻發(fā)送信號鏈的設計和復雜性。
2024-11-19
信號鏈設計 射頻放大器
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