機遇與挑戰(zhàn)：
- 氧化物TFT有機會成為次世代TFT制程
- 夏普與三星計劃量產(chǎn)氧化物TFT
IGZO為InGaZnO (銦鎵鋅氧化物)的縮寫，系備受關注的次世代TFT技術，屬氧化物TFT (Oxide TFT)的一種。DIGITIMES Research分析，與非晶硅(a-Si)TFT相較，氧化物TFT不僅電子移動度較高，且在TFT一致性、制造成本與制程溫度，亦均與非晶硅TFT同水平，有機會成為次世代TFT制程。
氧化物TFT技術最早系由日本細野秀雄教授于1995年首次發(fā)表，而2004年由細野秀雄教授帶領的日本東京大學研究團隊，又發(fā)表采用IGZO薄膜制作的TFT元件，其后，南韓、日本與臺灣相關廠商自2006年起陸續(xù)發(fā)表采氧化物半導體的試制品。
依全球FPD廠商于氧化物TFT技術發(fā)展動向來看，其應用面涵蓋3D TV面板、可撓式顯示器、透明顯示器、超大尺寸電視數(shù)位信息顯示器等應用領域。
而在韓國與日本主要LCD面板廠中，以三星與夏普啟用氧化物TFT產(chǎn)線量產(chǎn)腳步將較快，其中，DIGITIMES Research說明，三星運用氧化物TFT技術，主要在使3D TV面板達到UD級高分辨率與480Hz高倍速驅動，其計劃最快于2012年推出采該面板的3D TV新品，依此來看，三星啟用氧化物TFT產(chǎn)線量產(chǎn)的時間，應將落在2011年下半至2012年之間。
至于夏普啟用氧化物TFT產(chǎn)線量產(chǎn)的時間，則可能落在2011年底，而相較于三星以氧化物TFT發(fā)展次世代3D TV，夏普則將優(yōu)先供應平板裝置與智能型手機用途，于此背景下，2012年LCD制程可望邁入新階段。
