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英特爾開發(fā)出突破性硅基APD

發(fā)布時間:2008-12-11 來源:光電新聞網

產品特性:封裝好的硅APD

  • 頻率高達340GHz
  • 支持40Gbps甚至更高速的光纖傳輸
  • 相比傳統(tǒng)光纖設備,大幅度降低了制造成本

應用范圍:

  • 光通訊,傳感器
  • 成像、量子密碼學以及生物學應用

英特爾(Intel)周日宣布,他們在通往光計算機的道路上又邁出了堅實的一步。Intel在最新一期自然雜志上發(fā)表的文章宣稱,公司已經使用硅材料創(chuàng)造了雪崩光電二極管(APD)的性能世界紀錄,頻率高達340GHz。

眾所周知,用光導線替代目前計算機中的電線路能夠爆炸式的提高傳輸帶寬,也就是科幻小說中常聽到的“光腦”。Intel自90年代中期就開始對硅光子技術進行長期研究,此次基于硅的高性能APD就是他們的最新突破。

 雪崩光電二極管是一種感光元件,通常被用在光纖傳輸設備中接收光信號,并將微弱信號放大。此次Intel用硅制造出的APD頻率高達340GHz,能夠支持40Gbps甚至更高速的光纖傳輸,使硅光子設備的性能首次超越傳統(tǒng)光纖設備。而相比傳統(tǒng)中用磷化銦等材料制造的光纖設備,使用半導體產業(yè)中習以為常的硅芯片,還能夠大幅度降低制造成本。

 Intel硅光子實驗室主管Mario Paniccia表示:“此次研究成果是硅芯片能夠制造高性能光通訊設備的又一范例。除了光通訊外,硅APD還能夠運用在諸如傳感器、成像、量子密碼學以及生物學應用中。”

 Intel的此項研究由美國國防部高級研究項目署(DARPA)資助,Intel與意法半導體合資的閃存企業(yè)Numonyx提供制造工藝。參與研究的還包括光電子領域的學術專家,如弗吉尼亞大學Joe Campbell教授,加州大學圣巴巴拉分校John Bowers教授等。

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