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IMEC樂觀展望2010全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
半導(dǎo)體業(yè)在摩爾定律推動下進(jìn)步，如今又呈現(xiàn)一個More than Moore，超越摩爾定律(或稱后摩爾定律)，究竟兩者有何不同以及如何來理解，發(fā)表一些淺見供業(yè)界參考。
2009-12-25
半導(dǎo)體 摩爾定律 CMOS 3D 2D scaling
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英飛凌TPM安全芯片率先通過全球TCG和通用準(zhǔn)則認(rèn)證及英國政府的審批
TCG總裁兼主席Scott Rotondo指出：“為了鼓勵采用合規(guī)和安全的產(chǎn)品， TCG近期推出了‘TPM認(rèn)證計劃’。該計劃旨在對各種產(chǎn)品進(jìn)行合規(guī)和安全評估，確定成功滿足所有認(rèn)證要求的產(chǎn)品。英飛凌是全球首個成功通過TPM認(rèn)證的半導(dǎo)體供應(yīng)商，進(jìn)一步鞏固了它在硬件安全領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?/p>
2009-12-25
英飛凌 TPM 安全芯片 全球TCG 通用準(zhǔn)則 認(rèn)證
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功率半導(dǎo)體：強(qiáng)化設(shè)計能力 尋求中高端突破
功率半導(dǎo)體包括功率二極管、功率開關(guān)器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的迅速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展到4C領(lǐng)域(計算機(jī)、通信、消費類電子產(chǎn)品和汽車電子)，滲透到國民經(jīng)濟(jì)與國防建設(shè)的各個方面。我國擁有國際上最大的功率半導(dǎo)體市場，擁...
2009-12-25
功率器件 開關(guān) 功率二極管 高端
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GP2AP012A00F:夏普開發(fā)出集成有可檢測0.1lx低照度的照度傳感器
夏普將上市集成了照度傳感器的新款近接傳感器“GP2AP012A00F”。主要特點是可檢測0.1lx的低照度，外形尺寸僅為4.4mm×2.6mm×1.0mm。該公司此前產(chǎn)品可檢測的照度為3lx，外形尺寸為5.6mm×2.1mm×1.2mm。
2009-12-25
夏普 集成 低照度 照度傳感器
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無源、有源隔離器和配電隔離器的區(qū)別和應(yīng)用
本文主要講無源、有源隔離器和配電隔離器的區(qū)別和應(yīng)用
2009-12-25
有源隔離器 配電隔離器 P-0113
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傳感器儀表元器件發(fā)展分析
傳感器和儀表元器件是儀器儀表與自動化系統(tǒng)最基礎(chǔ)元器件之一。傳感器和儀表元器件具有服務(wù)面廣、品種繁多、需求量大等特點，其技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量的提高，將為我國制造業(yè)信息化奠定基礎(chǔ)。
2009-12-24
傳感器 儀表 元器件 MEMS
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2009年歲末電子產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)回顧與2010年展望
2008年下半年，國際金融風(fēng)暴席卷全球，以出口為主導(dǎo)的中國大陸電子信息產(chǎn)業(yè)直接受到?jīng)_擊，產(chǎn)品進(jìn)出口受阻，導(dǎo)致產(chǎn)品產(chǎn)量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國政府及時實行積極的財政政策，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，努力擴(kuò)大內(nèi)需，電子信息產(chǎn)業(yè)從2月份開始逐漸回升。雖然在個別月份有所波動，但回升趨勢...
2009-12-24
電子產(chǎn)業(yè) 數(shù)據(jù) 回顧 展望
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Toshiba-components推出低導(dǎo)通電阻 快速轉(zhuǎn)換的30V MOSFET
新產(chǎn)品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結(jié)構(gòu)，因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性，使設(shè)計人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...
2009-12-24
東芝 低導(dǎo)通電阻 快速轉(zhuǎn)換 MOSFET
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Gartner：全球半導(dǎo)體設(shè)備將增長45%
據(jù)國外媒體報道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數(shù)內(nèi)存廠商的選擇性支出，帶動了2009下半年半導(dǎo)體設(shè)備市場的增長，2010年的增長主要將由上半年技術(shù)升級的帶動，2010年第3季單季增長率在產(chǎn)能增加前將微幅下滑，整體資本設(shè)備產(chǎn)業(yè)預(yù)期自2010年底起將一路大幅增長至2011年。
2009-12-24
Gartner 全球 半導(dǎo)體 增長
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