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IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試

發(fā)布時(shí)間:2021-11-26 來(lái)源:英飛凌 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺(tái),它與IGBT4的性能對(duì)比一直是工程師關(guān)心的問(wèn)題。本文通過(guò)FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng)中的測(cè)試,得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中,IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。


伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度快,過(guò)載倍數(shù)高,小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過(guò)載結(jié)溫、完美契合伺服驅(qū)動(dòng)器的所有需求。英飛凌—晶川—邁信聯(lián)合研發(fā)基于IGBT7的伺服驅(qū)動(dòng)完整解決方案,可顯著提高功率密度。驅(qū)動(dòng)芯片采用英飛凌無(wú)磁芯變壓器1EDI20I12MH。因?yàn)镮GBT7獨(dú)特的電容結(jié)構(gòu),不易寄生導(dǎo)通,因此可以使用單電源設(shè)計(jì),最大程度上簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。主控MCU采用XMC4700/4800,電機(jī)位置檢測(cè)采用TLE5109,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速與位置的精準(zhǔn)控制。


1.png

伺服驅(qū)動(dòng)樣機(jī)


2.jpg

伺服驅(qū)動(dòng)功率板


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伺服驅(qū)動(dòng)控制板


為了對(duì)比IGBT4與IGBT7在伺服驅(qū)動(dòng)中的表現(xiàn),我們使用了同一平臺(tái)的兩臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng),分別搭載PIN腳布局相同的FP35R12W2T4與FP35R12W2T7,在相同dv/dt條件下(dv/dt=5600V/us),進(jìn)行測(cè)試。


我們?cè)O(shè)計(jì)了兩種典型工況對(duì)比方案,來(lái)對(duì)比IGBT4與IGBT7在相同的工況下的結(jié)溫,分別是連續(xù)大負(fù)載對(duì)比測(cè)試與慣量負(fù)載對(duì)比測(cè)試。待測(cè)IGBT模塊內(nèi)的IGBT芯片上預(yù)埋熱電偶,通過(guò)將熱電偶連接數(shù)據(jù)采集儀,可以直接讀出IGBT芯片結(jié)溫。


連續(xù)大負(fù)載對(duì)比測(cè)試


●     加載采用兩臺(tái)電機(jī)對(duì)拖,被測(cè)電機(jī)系統(tǒng)工作于電動(dòng)狀態(tài),負(fù)載電機(jī)系統(tǒng)工作于發(fā)電狀態(tài);

●     分別采用基于IGBT4和IGBT7的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)被測(cè)電機(jī),兩臺(tái)驅(qū)動(dòng)器每次加載的開關(guān)頻率、輸出電流/功率一樣;

●     采用功率分析儀測(cè)試驅(qū)動(dòng)器的輸入功率、輸出功率,計(jì)算驅(qū)動(dòng)器的損耗和效率。


4.jpg連續(xù)大負(fù)載對(duì)比測(cè)試平臺(tái)


下圖是連續(xù)大負(fù)載工況下的IGBT4與IGBT7結(jié)溫對(duì)比。


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從中可以看出,在8K開關(guān)頻率下加載13分鐘,IGBT7和IGBT4的結(jié)溫差17℃。隨著加載時(shí)間的延長(zhǎng),結(jié)溫差還處于上升趨勢(shì)。


我們還對(duì)比了不同開關(guān)頻率、同樣輸出功率(5.8KVA)情況下,IGBT7和IGBT4的溫升對(duì)比,如下圖所錄。橫軸是IGBT的開關(guān)頻率;左邊的縱軸是NTC溫度與初始溫度相比的溫升。右邊的縱軸是IGBT4和IGBT7的溫升差。隨著開關(guān)頻率的提高,IGBT7和IGBT4的NTC溫升變大;10K開關(guān)頻率下,IGBT7的NTC溫升比IGBT4降低19℃??梢钥吹?。由于IGBT7可以工作更高的結(jié)溫,因此可以實(shí)現(xiàn)更大輸出功率,實(shí)現(xiàn)功率跳檔。


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慣量負(fù)載對(duì)比測(cè)試


●     兩臺(tái)分別裝載IGBT4與IGBT7,電機(jī)帶相同的慣量盤負(fù)載,轉(zhuǎn)速?gòu)?500轉(zhuǎn)/分鐘到-1500轉(zhuǎn)/分鐘的時(shí)間為250毫秒,穩(wěn)速運(yùn)行時(shí)間1.2s。穩(wěn)速運(yùn)行工況下,相輸出電流小于0.5A;因此此測(cè)試工況的平均功率比較小。

●     電機(jī)散熱條件相同,開關(guān)頻率8kHz。


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慣量負(fù)載測(cè)試平臺(tái)


1635244988658397.png

慣量盤負(fù)載測(cè)試工況


測(cè)得結(jié)溫曲線如下:


1635244971642472.png


可以看出,在帶慣量盤加減速運(yùn)行工況下,IGBT7的結(jié)溫低于IGBT4。運(yùn)行13分鐘后驅(qū)動(dòng)器溫升還沒有達(dá)到平衡狀態(tài),此時(shí)結(jié)溫相差約7℃。


最后我們對(duì)這部分測(cè)試做一個(gè)總結(jié):


●     輸出同樣的功率,采用IGBT7的驅(qū)動(dòng)器結(jié)溫明顯降低,允許縮小散熱器的體積,從而驅(qū)動(dòng)器尺寸可以縮小;

●     如果同樣的散熱條件,采用IGBT7則可以輸出更大的功率,實(shí)現(xiàn)功率跳檔;

●     再加上IGBT7可以工作在更高的結(jié)溫,因此可以輸出更大的功率。


來(lái)源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體



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