基于移動(dòng)平均數(shù)原理的簡易誤差補(bǔ)償電路
發(fā)布時(shí)間:2017-02-07 責(zé)任編輯:susan
【導(dǎo)讀】有時(shí)候我們需要進(jìn)行某一個(gè)特定量級的測量,但是噪聲或偶發(fā)干擾引起的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤可能會(huì)影響測量。假設(shè)我們有一個(gè)參數(shù)測量電路,偶爾會(huì)記錄一個(gè)錯(cuò)誤數(shù)值,這時(shí)我們就要以某種方式對測量值進(jìn)行“過濾”,濾除記錄值中的錯(cuò)誤數(shù)值。本文將介紹一個(gè)能夠在噪聲環(huán)境中減少或?yàn)V除偶發(fā)錯(cuò)誤測量值的數(shù)字電路。
智能移動(dòng)平均數(shù)
延遲線(DL)電路是一個(gè)廣為人知的概念,是一個(gè)可將電信號延遲一段時(shí)間的邏輯元件。從DDR SDRAM (雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)到DLL(延遲鎖相環(huán)),延遲線的應(yīng)用范圍十分廣泛。在DL延遲線模塊內(nèi),為生成一個(gè)確定性移相信號,我們需要設(shè)定邏輯元件的延時(shí),并調(diào)整延時(shí)設(shè)置,以補(bǔ)償制程、電壓和溫度(PVT)對測量值的影響。
圖1: 延遲線示例
圖 1給出一個(gè)預(yù)定數(shù)量的延遲單元構(gòu)成的延遲線電路和通過配置字實(shí)現(xiàn)的反饋通道(Dfb)的示例,通過延遲配置字,可以在Din引腳輸入信號和Dout引腳輸出信號之間設(shè)定所需 延時(shí)。每個(gè)延遲單元在Din和Dl兩個(gè)引腳之間生成固定的通道延時(shí)。
我們可以通過多種方式計(jì)算符合理想延遲要求的配置字,計(jì)算已知時(shí)鐘延長一個(gè)周期所需延遲單元的數(shù)量就是其中一種方法。確定一個(gè)延遲單元的延時(shí)不難。圖2所示是這種計(jì)算方法的原理;ClkIN 是已知時(shí)鐘信號,輸出是延長一個(gè)周期的ClkIN信號。這個(gè)模塊的輸出(延遲單元的數(shù)量)用于確定延遲線的配置,如圖1所示。
圖2: 延遲配置字計(jì)算示例
如果噪聲或干擾在ClkIN上引起尖峰,測量精確度將會(huì)受到錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的影響。眾所 周知,錯(cuò)誤的設(shè)置可能導(dǎo)致延遲線電路暫時(shí)性功能紊亂。假設(shè)在一段時(shí)間內(nèi),參考周期比標(biāo)稱值小很多或大很多,輸入延長線的新計(jì)算值將會(huì)與以前的數(shù)值有很大差異。圖1所示的DL將會(huì)生成一個(gè)錯(cuò)誤信號,被隨機(jī)抖動(dòng)信號吸收。
圖3中的示例描述了當(dāng)參考時(shí)鐘ClkIN有一個(gè)大的峰對峰抖動(dòng)脈沖時(shí)所發(fā)生的情況,這時(shí)延遲單元數(shù)量的計(jì)算值不同于標(biāo)稱值。
圖3: ClkIN上的尖峰信號和錯(cuò)誤延遲計(jì)算示例
對于這種問題,我們可以使用一個(gè)數(shù)字錯(cuò)誤補(bǔ)償電路,通過智能方式計(jì)算這些數(shù)據(jù)的移動(dòng)平均數(shù)。查看圖3示例中延遲計(jì)算值,錯(cuò)誤數(shù)據(jù)(delay=15和delay=12)可以忽略丟棄,因?yàn)檫@些計(jì)算值遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于平均數(shù),同時(shí)可以使用新的采樣的平均數(shù)delay=30更新上一個(gè)平均數(shù)。
移動(dòng)平均數(shù)的原理(圖4)是采集N個(gè)最新的測量值 ,然后計(jì)算這些數(shù)值的平均數(shù)。只有新數(shù)據(jù)值與上一次N個(gè)采樣的實(shí)際平均數(shù)差別不是很大時(shí),新數(shù)據(jù)才會(huì)加進(jìn)緩沖電路(Sx)。
圖4: 智能移動(dòng)平均數(shù)電路
圖 4所未的有限狀態(tài)機(jī)(FSM)可以精確地管理這項(xiàng)任務(wù),檢查每個(gè)新校準(zhǔn)值,并將其與此時(shí)的平均數(shù)最大值和最小值進(jìn)行對比。當(dāng)新數(shù)值在設(shè)定范圍外時(shí),新數(shù)據(jù)將被濾除,不加進(jìn)移動(dòng)平均數(shù)內(nèi)。
顯然這個(gè)電路是取模運(yùn)算,但是保留已存儲(chǔ)采樣數(shù)量(Sx)的二次冪才是使運(yùn)算邏輯最小化的最佳設(shè)置,這樣可以最大限度減少加法器元件數(shù)量,節(jié)省通用除法器。新輸入數(shù)據(jù)向右移兩位,執(zhí)行除四運(yùn)算,零成本。
用于保存采樣的緩沖器(Sx)的容量是M-2,這里M 代表輸入數(shù)據(jù)總線位寬。該電路是由三個(gè)有進(jìn)位功能的全加器組成,運(yùn)算結(jié)果被有限狀態(tài)機(jī)用于檢查新輸入數(shù)據(jù)。
有限狀態(tài)機(jī)就是為該電路帶來一些智能的邏輯電路。圖5所示是有限狀態(tài)機(jī)的流程圖。
圖5: 智能移動(dòng)平均數(shù)FSM
在啟動(dòng)時(shí),因?yàn)楸容^點(diǎn)沒有平均值可用,所以第一個(gè)數(shù)據(jù)保存在Sx緩沖器內(nèi),代表初始瞬態(tài)值。當(dāng)緩沖器寫滿數(shù)據(jù)時(shí),開始計(jì)算平均值。當(dāng)時(shí)鐘頻率高時(shí),數(shù)據(jù)通道可能受到應(yīng)力,為避免這個(gè)問題,可以加進(jìn)一個(gè)小的計(jì)數(shù)器延遲。圖 5所示的AVERAGE代表穩(wěn)態(tài)。這里有限狀態(tài)機(jī)在等待一個(gè)新的數(shù)據(jù)點(diǎn),該數(shù)據(jù)點(diǎn)將與下一個(gè)狀態(tài)上的平均值CHECK DATA對比。從硬件角度看,比較任務(wù)量不大,而且對濾除錯(cuò)誤采樣很有效。數(shù)據(jù)比較過程與我們要測量的數(shù)據(jù)有關(guān)。當(dāng)數(shù)據(jù)受到PVT影響時(shí),例如,本文討論的延遲線,因?yàn)橹饕菧囟茸兓绊憯?shù)據(jù),所以數(shù)值變化比較小。在這種情況下,我們預(yù)計(jì)新輸入數(shù)據(jù)與前一個(gè)平均數(shù)和最新四個(gè)數(shù)據(jù)的平均值差別不大。對于這種特殊情況,可以采用下面方式完成數(shù)據(jù)比較過程:
·只比較最高有效位
·如果這部分與平均值相差不太大,新數(shù)據(jù)將被保存,同時(shí)平均值也會(huì)相應(yīng)地更新
·如果這部分與平均值相差太大,新數(shù)據(jù)將被丟棄,平均值保持不變。
圖6給出一個(gè)比較表的示例。新輸入數(shù)據(jù)的可能取值范圍分成四部分,只有最高有效位用于數(shù)據(jù)比較,某些情況還需要檢查第三位。當(dāng)新數(shù)據(jù)的最高有效位是“00”時(shí),前四個(gè)采樣平均值的最高有效位在“00”和“01”之間是可以接受的。否則,新輸入數(shù)據(jù)將被丟棄。同樣,當(dāng)輸入數(shù)據(jù)是“01”、“10、”、“11”時(shí),新輸入數(shù)據(jù)將被丟棄。
圖6: 數(shù)據(jù)比較方法
結(jié)論
本文討論一個(gè)能夠?yàn)V除邏輯電路輸入數(shù)據(jù)受到各種干擾的數(shù)字電路,例如,濾除本文討論的延遲線輸入信號受到的干擾。這個(gè)智能移動(dòng)平均數(shù)電路有助于降低干擾影響,不只是計(jì)算平均值,還能濾除可能嚴(yán)重影響移動(dòng)平均數(shù)的錯(cuò)誤采樣,錯(cuò)誤采樣濾除規(guī)則取決于輸入數(shù)據(jù)的預(yù)計(jì)變化速率。在本文中我們看到,如果影響數(shù)據(jù)的因素是溫度,我們預(yù)計(jì)采樣變化率很小,在這種情況下,比較邏輯簡單,元件數(shù)量少。
計(jì)數(shù)平均數(shù)所需的元件數(shù)量還取決于錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的發(fā)生率;如果只是偶發(fā)錯(cuò)誤,平均數(shù)邏輯單元數(shù)量就會(huì)少些(例如,圖4);如果偶發(fā)錯(cuò)誤發(fā)生率高,則必須提高緩沖器容量,使用8個(gè)或16個(gè)元件。
特別推薦
- 【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測器應(yīng)用與測試
- 集成開關(guān)控制器如何提升系統(tǒng)能效?
- 工業(yè)峰會(huì)2024激發(fā)創(chuàng)新,推動(dòng)智能能源技術(shù)發(fā)展
- Melexis推出超低功耗車用非接觸式微功率開關(guān)芯片
- Bourns 發(fā)布新款薄型線性濾波器系列 SRF0502 系列
- 三菱電機(jī)開始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品
- ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢壘二極管
技術(shù)文章更多>>
- AMTS & AHTE South China 2024圓滿落幕 持續(xù)發(fā)力探求創(chuàng)新,攜手并進(jìn)再踏新征程!
- 提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 意法半導(dǎo)體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項(xiàng)目落地
- 韌性與創(chuàng)新并存,2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長
- 上海國際嵌入式展暨大會(huì)(embedded world China )與多家國際知名項(xiàng)目達(dá)成合作
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
傳感器
傳感器模塊
船型開關(guān)
串聯(lián)電阻公式
創(chuàng)智成
磁傳感器
磁環(huán)電感
磁敏三極管
磁性存儲(chǔ)器
磁性元件
磁珠電感
存儲(chǔ)器
大功率管
單向可控硅
刀開關(guān)
等離子顯示屏
低頻電感
低通濾波器
低音炮電路
滌綸電容
點(diǎn)膠設(shè)備
電池
電池管理系統(tǒng)
電磁蜂鳴器
電磁兼容
電磁爐危害
電動(dòng)車
電動(dòng)工具
電動(dòng)汽車
電感