【導(dǎo)讀】本篇文章對運算放大器當中的“典型值”進行了解析，并對其中三種較為令人難以捉摸的參數(shù)進行了進一步的解釋，希望大家在閱讀過本篇文章之后能對“典型值”有進一步的了解。
從事電源設(shè)計的朋友肯定都接觸過運算放大器，在運算放大器的說明書當中，有些參數(shù)的標注讓人看著并不那么明確其含義。比如有些參數(shù)并不能用最大或者最小來進行規(guī)范。所以有時不得不依靠規(guī)范表或者典型性能圖標中的典型值來作為參考，那“典型值”的含義是什么，其范圍又是多大呢？
要想回答這個問題并不容易，它取決于具體的規(guī)范。下面，我們對容易引起疑問的3個特性進行逐一說明：
帶寬
圖1
運算放大器的增益帶寬積（GBW）主要由輸入級電流和片上電容值控制。這兩個變量的變化，可產(chǎn)生的GBW變化范圍為±20%左右。看起來，這是一個比較寬的范圍，但是通過選擇一個大裕量的運算放大器，卻可以更加輕松地進行大范圍GBW設(shè)計。如果必要，可以利用一些反饋組件，對應(yīng)用的閉環(huán)帶寬進行控制。請注意，在開環(huán)增益/相位圖(請參見圖1)上，這種變化看起來非常的小。
轉(zhuǎn)換率
受到諸如帶寬、內(nèi)部電流和電容等相同變量的影響。通常，選擇比最低需求速度高20%的運算放大器便已足夠。或者希望在一些重要的應(yīng)用中擁有更多的裕余量。大多數(shù)應(yīng)用并不會將放大器推高至其轉(zhuǎn)換率極限值附近，因此這樣做并無問題。
電壓噪聲
圖2
放大器的寬帶或者平帶電壓噪聲主要取決于一個或者多個輸入級晶體管的電流。大電流會以一種平方根的方式降低噪聲。因此20%的電流變化，可帶來約10%的平帶噪聲密度變化（請參見圖2）。
低頻1/f噪聲（也稱作閃爍噪聲）是另一回事，它的變化范圍更大。1/f區(qū)的噪聲振幅在約3：1范圍變化。JFET和CMOS制作工藝的差異可能稍大一些。該噪聲區(qū)域決定低頻帶（通常規(guī)定為0.1到10Hz）的峰值到峰值噪聲大小。
的確存在一些較好的指導(dǎo)原則，但卻無法詳細說明放大器設(shè)計和所用IC工藝的確切變化范圍。但是，有一些資料總比沒有強，并且大多數(shù)設(shè)計都可以較好地適應(yīng)這些估計差異。
適合于應(yīng)用的裕量，可能會隨設(shè)計的設(shè)備（也可能是您正進行的終端產(chǎn)品測試）類型而變化。裕量與規(guī)范不符會影響設(shè)計針對的目標余量。這種“工程判斷”是良好模擬設(shè)計的一個重要因素。
