【導(dǎo)讀】富士通半導(dǎo)體成功開發(fā)出擁有1Mb內(nèi)存 (128K字符X 8位)的全新FRAM產(chǎn)品---MB85RC1MT，是所有富士通半導(dǎo)體I2C串行接口產(chǎn)品中最高內(nèi)存容量的產(chǎn)品，且即日起即可為客戶提供樣品。這個(gè)產(chǎn)品擁有I2C接口，適用于工廠自動(dòng)化控制、測驗(yàn)儀器及工業(yè)設(shè)備。
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功開發(fā)出擁有1Mb內(nèi)存 (128K字符X 8位)的全新FRAM產(chǎn)品---MB85RC1MT，是所有富士通半導(dǎo)體I2C串行接口產(chǎn)品中最高內(nèi)存容量的產(chǎn)品，且即日起即可為客戶提供樣品。全新MB85RC1MT可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期，適用于需要經(jīng)常重復(fù)寫入數(shù)據(jù)之應(yīng)用，例如工廠自動(dòng)化、測試儀器及工業(yè)設(shè)備所需之實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)登錄應(yīng)用?，F(xiàn)在富士通半導(dǎo)體同時(shí)擁有廣泛的I2C與SPI串行接口產(chǎn)品系列，為客戶提供最符合他們要求的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
圖1：富士通半導(dǎo)體推出擁有1Mb內(nèi)存的全新FRAM器件
FRAM是一種兼具非揮發(fā)性與隨機(jī)存取功能的存儲(chǔ)器，能在沒有電源的情況下可儲(chǔ)存及高速寫入數(shù)據(jù)。值得注意的是，在眾多非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)中，F(xiàn)RAM能保證一萬億次以上的寫入/擦除周期。富士通半導(dǎo)體自1999年開始量產(chǎn)FRAM產(chǎn)品以來，已將上述產(chǎn)品特性廣泛應(yīng)用在工廠自動(dòng)化設(shè)備、測試儀器、金融終端機(jī)及醫(yī)療裝置等領(lǐng)域。
MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度范圍以1.8V至3.3V工作電壓運(yùn)作，可支持3.4MHz 的“高速”操作模式，并可在與傳統(tǒng)EEPROM相同的1MHz環(huán)境進(jìn)行讀寫數(shù)據(jù)作業(yè)。MB85RC1MT保證有一萬億次寫入/擦除周期，大幅超越傳統(tǒng)EEPROM的寫入/擦除周期次數(shù)，并可支持I2C接口及其他接口產(chǎn)品的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)登錄等頻繁的重復(fù)寫入數(shù)據(jù)作業(yè)。
此外，對于一些需要使用I2C接口EEPROM應(yīng)用場合，現(xiàn)在都可以由富士通半導(dǎo)體的新款FRAM產(chǎn)品取而代之，以實(shí)現(xiàn)高頻率數(shù)據(jù)輸入和高精度數(shù)據(jù)擷?。ㄈ鐖D2），更能夠降低數(shù)據(jù)寫入的時(shí)功耗（如圖3）。
圖2：數(shù)據(jù)寫入/擦除周期比較
圖3：EEPROM和富士通半導(dǎo)體FRAM產(chǎn)品之?dāng)?shù)據(jù)寫入作業(yè)功耗比較
MB85RC1MT的出現(xiàn)增加了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品陣容：I2C 接口（支持4 Kb至1 Mb內(nèi)存容量）和SPI接口（16 Kb至2 Mb內(nèi)存容量）（如圖4）。這些FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8針腳SOP封裝，因而可取代EEPROM或序列閃存，并適用于工廠自動(dòng)化、測試儀器及工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用，更無須大幅修改電路版的設(shè)計(jì)。
圖4：FRAM產(chǎn)品陣容（序列內(nèi)存）
富士通半導(dǎo)體將持續(xù)開發(fā)FRAM產(chǎn)品以滿足客戶對低功耗產(chǎn)品之需求，例如需求日益增加的能量采集應(yīng)用，其中低工作電壓是關(guān)鍵要素。
