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Vishay推出低至20m?導(dǎo)通電阻的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)

發(fā)布時(shí)間:2013-05-06 責(zé)任編輯:felixsong

【導(dǎo)讀】近日,Vishay推出可在1.5V~5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)---SiP32458和SiP32459,在3.3V和5V下的導(dǎo)通電阻為20m?,將4.5V下的導(dǎo)通電壓上升斜率控制在3ms,限制使用容性或噪聲敏感負(fù)載的設(shè)計(jì)方案的涌入電流。

Vishay推出可在1.5V~5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)---SiP32458和SiP32459。這兩款器件均具有一個(gè)集成的可提供穩(wěn)定的20m?低導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持低靜態(tài)電流的柵極泵。器件采用小尺寸6凸點(diǎn)晶圓級(jí)CSP封裝(WCSP6),將4.5V下的導(dǎo)通電壓上升斜率控制在3ms,限制使用容性或噪聲敏感負(fù)載的設(shè)計(jì)方案的涌入電流。

SiP32458和SiP32459突破技術(shù)

為實(shí)現(xiàn)更高的效率,今天發(fā)布的負(fù)載開關(guān)在1.5V、1.8V電壓下的開關(guān)導(dǎo)通電阻為30mΩ和26mΩ,在3.3V和5V下的導(dǎo)通電阻為20m?。兩款開關(guān)支持3A的連續(xù)電流,低至4.2µA的靜態(tài)電流使電池供電設(shè)備的工作時(shí)間更長(zhǎng)。在禁用的情況下,SiP32458提供一個(gè)反向阻斷電路,防止大電流流入電源;SiP32459集成了一個(gè)輸出放電開關(guān),當(dāng)負(fù)載開關(guān)禁用時(shí),這個(gè)放電開關(guān)使負(fù)載能夠快速放電。

SiP32458和SiP32459的WCSP6封裝具有1mm x 1.5mm的小占位,節(jié)距0.5mm,在頂側(cè)進(jìn)行層壓,以增強(qiáng)機(jī)械耐用性。為了節(jié)省空間,負(fù)載開關(guān)采用較低的輸入邏輯控制閾值電壓,能夠直接連接低電壓I/O管腳,不需要外部的電平轉(zhuǎn)換電路或更高電壓的柵極驅(qū)動(dòng)器。這兩款器件在控制邏輯的EN腳上都提供集成的2.8M?下拉電阻。

Vishay推出的SIP32458
圖示:Vishay推出的SiP32458

SiP32458和SiP32459適用范圍


SiP32458和SiP32459可用于智能手機(jī)、GPS設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、媒體播放器、筆記本電腦和平板電腦等便攜式電子產(chǎn)品,游戲機(jī)、醫(yī)療和保健設(shè)備,以及工業(yè)儀表中的負(fù)載切換。器件符合RoHS,無鹵素。

Vishay推出的SiP32458和SiP32459P溝道高邊負(fù)載開關(guān),具有極低的導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms,節(jié)距只有0.5mm,不僅節(jié)省了空間還增強(qiáng)了機(jī)械耐用性,可以廣泛適用于各個(gè)領(lǐng)域。

供貨信息

SiP32458和SiP32459現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為十二周。

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精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
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