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LTE智能手機(jī)差異化設(shè)計(jì)點(diǎn):基帶平臺(tái)

發(fā)布時(shí)間:2012-12-29 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 責(zé)任編輯:Cynthiali

導(dǎo)讀:下一代智能手機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)將集中于LTE(4G),而LTE也成為手機(jī)芯片大廠逐鹿的新戰(zhàn)場(chǎng)。在高通、ST-Ericsson之后,NVIDIA、博通、展訊也宣布跨入LTE芯片市場(chǎng),加上聯(lián)發(fā)科明年的第一代產(chǎn)品亮相,LTE手機(jī)平臺(tái)大戰(zhàn)將一觸即發(fā)。本文進(jìn)行LTE基帶平臺(tái)的盤點(diǎn)和展望。

                  LTE智能手機(jī)差異化設(shè)計(jì)點(diǎn):基帶平臺(tái)

LTE手機(jī)基帶芯片主流是28nm單芯片方案


 “多模多頻”已經(jīng)成為產(chǎn)業(yè)共識(shí),支持多模多頻的3G/LTE終端更加符合用戶對(duì)無(wú)線上網(wǎng)的使用習(xí)慣及運(yùn)營(yíng)商的發(fā)展需求。在這一點(diǎn)上,運(yùn)營(yíng)商、終端廠商和芯片廠商的發(fā)展路線圖一致。而中國(guó)政府和運(yùn)營(yíng)商要求國(guó)內(nèi)的TD-LTE手機(jī)必須兼容TD-SCDMA,也就是說(shuō)未來(lái)國(guó)內(nèi)商用的TD-LTE手機(jī)要支持5種模式:GSM、UMTS、TD-SCDMA、FDD-LTE和TD-LTE,甚至還會(huì)有CDMA1x。與單模LTE產(chǎn)品相比, 多模在設(shè)計(jì)上,除了需要處理好高集成度帶來(lái)的復(fù)雜問(wèn)題,還需要解決好產(chǎn)品的功耗、性價(jià)比和穩(wěn)定性問(wèn)題。

解決手機(jī)多模有單芯片和雙芯片兩種方案。單芯片就是指把所有的制式都集中在一顆芯片上,最有代表性的芯片就是高通的MSM8960,號(hào)稱全球模式,支持TD- LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/UMTS/GSM/EVDO/CDMA1*等。雙芯片方案就是采用一顆3G及3G以下兼容芯片,外加一顆 4GLTE芯片,這個(gè)方案的好處是可以把LTE芯片也用40nm生產(chǎn),但成本非常昂貴,面對(duì)單芯片方案沒(méi)有任何競(jìng)爭(zhēng)力。而另一方面,28nm制程,體積小,功耗低,成本要比制造40nm的同規(guī)格產(chǎn)品便宜很多。因此未來(lái)28nm及以下產(chǎn)品將是手機(jī)基帶芯片的主流配置。而LTE基帶供應(yīng)商的競(jìng)爭(zhēng)瓶頸就是誰(shuí)擁有足夠的28nm產(chǎn)能。

目前高通(Qualcomm)、意法愛(ài)立信(ST-Ericsson)、輝達(dá)(NVIDIA)等LTE芯片商都擁有LTE基頻和應(yīng)用處理器的開(kāi)發(fā)技術(shù),其中高通與意法愛(ài)立信整合基頻與應(yīng)用處理器的SoC已問(wèn)世,輝達(dá)則可望于2013年發(fā)布SoC方案。不僅是高通、意法愛(ài)立信、輝達(dá)LTE芯片業(yè)者正摩拳擦掌開(kāi)發(fā)SoC方案,聯(lián)發(fā)科、展訊、博通(Broadcom)等3G基頻與應(yīng)用處理器供應(yīng)商,也瞄準(zhǔn)SoC為L(zhǎng)TE市場(chǎng)大勢(shì)所趨,產(chǎn)品策略正戮力朝整合LTE基頻和應(yīng)用處理器的SoC推進(jìn)。LTE手機(jī)基帶芯片的研發(fā)進(jìn)度目前受制于28nm的產(chǎn)能瓶頸和TDSCDMA與TD-LTE的研發(fā)難度,預(yù)計(jì)要到2014年多個(gè)公司的基帶芯片方案才能量產(chǎn)上市。

目前LTE芯片霸主——高通LTE基帶平臺(tái)盤點(diǎn)

高通是是業(yè)內(nèi)最早提出“多模”理念的芯片廠商,也是業(yè)界首個(gè)推出3G/LTE多模單芯片解決方案的廠商,同時(shí),高通公司所有LTE芯片組均同時(shí)支持TDD和FDD制式。

高通Krait系列芯片一共有三種不同型號(hào)可選,分別是單核MSM8930、雙核MSM8960以及四核MSM8974,新版Krait芯片都將整合對(duì)3G與LTE的支持。

主打千元機(jī)市場(chǎng)的高通MSM8x30處理器系列
高通驍龍S4 Plus MSM8x30處理器包括MSM8930、MSM8230以及MSM8630,采用先進(jìn)的28nm工藝制造,采用雙Krait構(gòu)架,處理器頻率有1.2GHz以及1.4GHz等版本,支持TD-SCDMA、TD-LTE、LTE-FD、CDMA 1x/1xADV/DoRA/DorB、UMTS等網(wǎng)絡(luò)。其中雙核CPU S4 MSM8930,是全球首款集成LTE調(diào)制解調(diào)器的單芯片解決方案,支持LTE TDD和FDD-LTE,UMTS、CDMA和TD-SCDMA 制式,面向中國(guó)三個(gè)運(yùn)營(yíng)商。
相關(guān)情況,請(qǐng)參考:高通低價(jià)四核與TD-SCDMA芯片動(dòng)了誰(shuí)的奶酪? 支持LTE-TDD和TD高通大眾智能手機(jī)方案年底出樣

28nm四核CPU領(lǐng)銜,高通驍龍S4全新處理器S4 MSM8960
驍龍S4 MSM8960集成了采用28納米工藝的Krait CPU和Adreno 225 GPU,同時(shí)集成了支持所有2G/3G/LTE制式的高通調(diào)制解調(diào)方案。合作伙伴基于此處理器,可以開(kāi)發(fā)出滿足全球所有運(yùn)營(yíng)商需求的智能手機(jī),如三星Galaxy S III由AT&T、Sprint、T-Mobile、Verizon Wireless和U.S. Cellular同時(shí)發(fā)售,基于驍龍S4 MSM8960,同時(shí)支持五家運(yùn)營(yíng)商的LTE、HSPA+雙載波等網(wǎng)絡(luò)。

高通規(guī)格最強(qiáng)的四核心MSM8974(未發(fā)布)
根據(jù)國(guó)外媒體曝光的高通Snapdragon處理器產(chǎn)品計(jì)劃,2013年第一季度開(kāi)始,高通會(huì)推出規(guī)格最強(qiáng)的MSM8974處理器。它將采用Krait四核架構(gòu),28nm制程工藝,主頻達(dá)到驚人的 2GHz至2.5GHz,擁有2MB的二級(jí)緩存,支持雙通道的667/800MHz DDR3雙通道內(nèi)存。MSM8974將采用Adreno 320圖形芯片,支持1080p@60fps的高清視頻。

業(yè)界首款支持HSPA+10的高通第三代LTE芯片組

高通下一代Gobi™調(diào)制解調(diào)器芯片組MDM8225™、 MDM9225™和MDM9625™是首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移動(dòng)寬帶標(biāo)準(zhǔn)LTE增強(qiáng)型的芯片組。MDM9225和MDM9625芯片組也將是首批支持LTE載波聚合和數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)150 Mbps的真正LTE Category 4的芯片組,使網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商可以提升其LTE服務(wù)區(qū)域的寬帶速度。這幾款芯片組采用28納米制造工藝,在性能和功耗方面均有顯著提升,并將支持多種移動(dòng)寬帶技術(shù),為智能手機(jī)、平板電腦、超便攜筆記本電腦、便攜式無(wú)線熱點(diǎn)設(shè)備、數(shù)據(jù)收發(fā)器和客戶前提設(shè)備提供同類最佳的移動(dòng)寬帶體驗(yàn)。

意法愛(ài)立信是全球少數(shù)幾家能在一個(gè)芯片組中集成多種LTE技術(shù)的芯片廠商之一,已成功開(kāi)發(fā)出同時(shí)支持TD-LTE和FDD-LTE技術(shù)的芯片。

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ST-Ericsson、聯(lián)芯等廠家LTE基帶平臺(tái)盤點(diǎn)
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STE下一代高集成度多模LTE平臺(tái)方案L8540
NovaThorTM L8540是一款支持LTE/HSPA+/TD-HSPA的整合型智能手機(jī)平臺(tái),其應(yīng)用處理器和無(wú)線寬帶modem整合在一顆芯片上,采用28nm工藝制程,基于Cortex-A9內(nèi)核主頻最高可達(dá)1.85GHz;支持LTE/HSPA/TD-SCDMA/GSM多達(dá)8個(gè)頻段;內(nèi)嵌一顆PowerVR SGX544圖形處理單元,并配有雙通道LPDDR2內(nèi)存。同時(shí)集成了LTE網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線Wi-Fi、藍(lán)牙、調(diào)頻收音機(jī)、NFC、GPS等諸多功能;由于采用了更先進(jìn)的28nm工藝制程,加上全套整合式的方案,能夠令NovaThor L8540的功耗比現(xiàn)有處理器降低至少10%。得益于其超低的電壓運(yùn)行模式,與目前市場(chǎng)上其他平臺(tái)相比,NovaThor L8540能夠?qū)⒅悄苁謾C(jī)的續(xù)航時(shí)間延長(zhǎng)30%。相關(guān)閱讀: 高度整合的新款LTE 智能手機(jī)平臺(tái):LTE NovaThor

Marvell多模TD-LTE單芯片基帶調(diào)制解調(diào)器PXA1802
PXA1802 是單芯片基帶調(diào)制解調(diào)器,五模合一,可支持TDD和FDD LTE制式,支持GSM、EDGE、WCDMA、TD-HSPA+、HSPA+等多模,同時(shí)集成LPDDR1。芯片支持下行150Mbps,上行50Mbps;支持雙流波束成形,硬件支持祖沖之加密算法,支持2G/3G和 LTE的雙待雙連接;已完成并通過(guò)國(guó)內(nèi)主要的IOT測(cè)試,體現(xiàn)出芯片和系統(tǒng)具備良好的穩(wěn)定性。

聯(lián)芯科技支持ZUC祖沖之算法的LTE多?;鶐酒?/a>
聯(lián)芯科技TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE多模芯片LC1761和TD-LTE/LTE FDD雙?;鶐酒琇C1761L兩款芯片為目前業(yè)界首款同時(shí)支持硬件加速ZUC祖沖之算法,3GPP Release 9和LTE Category 4能力的LTE終端芯片,能率先滿足LTE預(yù)商用背景下工信部、中國(guó)移動(dòng)對(duì)于多模終端芯片的需求。LC1761,采用40nm工藝,可實(shí)現(xiàn)下行150Mbps,上行50Mbps的高效數(shù)據(jù)傳輸。LC1761L是僅支持TD-LTE/LTE FDD的純LTE Modem芯片,可滿足市場(chǎng)對(duì)于數(shù)據(jù)類終端及手持類智能終端的定制需求。

展訊單芯片多模TD-LTE基帶調(diào)制解調(diào)器SC9610

作為展訊的第一款TD-LTE基帶調(diào)制解調(diào)器,SC9610 TD-LTE/TD-SCDMA/EDGE/GPRS/GSM單芯片基帶調(diào)制解調(diào)器采用40納米 CMOS工藝, 在單芯片內(nèi)集成了多模通信標(biāo)準(zhǔn),包括多頻段的 TD- LTE和TD – SCDMA,以及四頻 EDGE/GSM/GPRS。能達(dá)到 100Mbps 下行速度和 50Mbps上行速度,支持5、10、15及20MHz 信道帶寬和 2x2 MIMO。

海思業(yè)界首款支持LTERealse9和Category4的多模終端芯片Balong710
Balong710在LTEFDD模式下能夠提供150Mbit/s的下行速率和50Mbit/s的上行速率;在 TD-LTE工作模式下,能夠提供最高112Mbit/s的下行速率和最高30Mbit/s的上行速率,特有的雙流BeamForming技術(shù)能夠顯著提升小區(qū)平均吞吐量和邊緣用戶吞吐量;在 WCDMA的DC+MIMO工作模式下能夠提供84Mbit/s的下行速率和23Mbit/s的上行速率。
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