導讀：下一代智能手機的競爭焦點將集中于LTE（4G），而LTE也成為手機芯片大廠逐鹿的新戰(zhàn)場。在高通、ST-Ericsson之后，NVIDIA、博通、展訊也宣布跨入LTE芯片市場，加上聯(lián)發(fā)科明年的第一代產品亮相，LTE手機平臺大戰(zhàn)將一觸即發(fā)。本文進行LTE基帶平臺的盤點和展望。
LTE手機基帶芯片主流是28nm單芯片方案
“多模多頻”已經成為產業(yè)共識，支持多模多頻的3G/LTE終端更加符合用戶對無線上網的使用習慣及運營商的發(fā)展需求。在這一點上，運營商、終端廠商和芯片廠商的發(fā)展路線圖一致。而中國政府和運營商要求國內的TD-LTE手機必須兼容TD-SCDMA，也就是說未來國內商用的TD-LTE手機要支持5種模式：GSM、UMTS、TD-SCDMA、FDD-LTE和TD-LTE，甚至還會有CDMA1x。與單模LTE產品相比， 多模在設計上，除了需要處理好高集成度帶來的復雜問題，還需要解決好產品的功耗、性價比和穩(wěn)定性問題。
解決手機多模有單芯片和雙芯片兩種方案。單芯片就是指把所有的制式都集中在一顆芯片上，最有代表性的芯片就是高通的MSM8960，號稱全球模式,支持TD- LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/UMTS/GSM/EVDO/CDMA1*等。雙芯片方案就是采用一顆3G及3G以下兼容芯片，外加一顆 4GLTE芯片，這個方案的好處是可以把LTE芯片也用40nm生產，但成本非常昂貴，面對單芯片方案沒有任何競爭力。而另一方面，28nm制程，體積小，功耗低，成本要比制造40nm的同規(guī)格產品便宜很多。因此未來28nm及以下產品將是手機基帶芯片的主流配置。而LTE基帶供應商的競爭瓶頸就是誰擁有足夠的28nm產能。
目前高通(Qualcomm)、意法愛立信(ST-Ericsson)、輝達(NVIDIA)等LTE芯片商都擁有LTE基頻和應用處理器的開發(fā)技術，其中高通與意法愛立信整合基頻與應用處理器的SoC已問世，輝達則可望于2013年發(fā)布SoC方案。不僅是高通、意法愛立信、輝達LTE芯片業(yè)者正摩拳擦掌開發(fā)SoC方案，聯(lián)發(fā)科、展訊、博通(Broadcom)等3G基頻與應用處理器供應商，也瞄準SoC為LTE市場大勢所趨，產品策略正戮力朝整合LTE基頻和應用處理器的SoC推進。LTE手機基帶芯片的研發(fā)進度目前受制于28nm的產能瓶頸和TDSCDMA與TD-LTE的研發(fā)難度，預計要到2014年多個公司的基帶芯片方案才能量產上市。
目前LTE芯片霸主——高通LTE基帶平臺盤點
高通是是業(yè)內最早提出“多模”理念的芯片廠商，也是業(yè)界首個推出3G/LTE多模單芯片解決方案的廠商，同時，高通公司所有LTE芯片組均同時支持TDD和FDD制式。
高通Krait系列芯片一共有三種不同型號可選，分別是單核MSM8930、雙核MSM8960以及四核MSM8974，新版Krait芯片都將整合對3G與LTE的支持。
主打千元機市場的高通MSM8x30處理器系列
高通驍龍S4 Plus MSM8x30處理器包括MSM8930、MSM8230以及MSM8630，采用先進的28nm工藝制造，采用雙Krait構架，處理器頻率有1.2GHz以及1.4GHz等版本，支持TD-SCDMA、TD-LTE、LTE-FD、CDMA 1x/1xADV/DoRA/DorB、UMTS等網絡。其中雙核CPU S4 MSM8930，是全球首款集成LTE調制解調器的單芯片解決方案，支持LTE TDD和FDD-LTE,UMTS、CDMA和TD-SCDMA 制式，面向中國三個運營商。
相關情況，請參考：高通低價四核與TD-SCDMA芯片動了誰的奶酪？ 和支持LTE-TDD和TD高通大眾智能手機方案年底出樣
28nm四核CPU領銜，高通驍龍S4全新處理器S4 MSM8960
驍龍S4 MSM8960集成了采用28納米工藝的Krait CPU和Adreno 225 GPU,同時集成了支持所有2G/3G/LTE制式的高通調制解調方案。合作伙伴基于此處理器，可以開發(fā)出滿足全球所有運營商需求的智能手機，如三星Galaxy S III由AT&T、Sprint、T-Mobile、Verizon Wireless和U.S. Cellular同時發(fā)售，基于驍龍S4 MSM8960，同時支持五家運營商的LTE、HSPA+雙載波等網絡。
高通規(guī)格最強的四核心MSM8974（未發(fā)布）
根據國外媒體曝光的高通Snapdragon處理器產品計劃，2013年第一季度開始，高通會推出規(guī)格最強的MSM8974處理器。它將采用Krait四核架構，28nm制程工藝，主頻達到驚人的 2GHz至2.5GHz，擁有2MB的二級緩存，支持雙通道的667/800MHz DDR3雙通道內存。MSM8974將采用Adreno 320圖形芯片，支持1080p@60fps的高清視頻。
業(yè)界首款支持HSPA+10的高通第三代LTE芯片組
高通下一代Gobi™調制解調器芯片組MDM8225™、 MDM9225™和MDM9625™是首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移動寬帶標準LTE增強型的芯片組。MDM9225和MDM9625芯片組也將是首批支持LTE載波聚合和數據傳輸速率高達150 Mbps的真正LTE Category 4的芯片組，使網絡運營商可以提升其LTE服務區(qū)域的寬帶速度。這幾款芯片組采用28納米制造工藝，在性能和功耗方面均有顯著提升，并將支持多種移動寬帶技術，為智能手機、平板電腦、超便攜筆記本電腦、便攜式無線熱點設備、數據收發(fā)器和客戶前提設備提供同類最佳的移動寬帶體驗。
意法愛立信是全球少數幾家能在一個芯片組中集成多種LTE技術的芯片廠商之一，已成功開發(fā)出同時支持TD-LTE和FDD-LTE技術的芯片。
下頁內容：ST-Ericsson、聯(lián)芯等廠家LTE基帶平臺盤點
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STE下一代高集成度多模LTE平臺方案L8540
NovaThorTM L8540是一款支持LTE/HSPA+/TD-HSPA的整合型智能手機平臺，其應用處理器和無線寬帶modem整合在一顆芯片上，采用28nm工藝制程，基于Cortex-A9內核主頻最高可達1.85GHz；支持LTE/HSPA/TD-SCDMA/GSM多達8個頻段；內嵌一顆PowerVR SGX544圖形處理單元，并配有雙通道LPDDR2內存。同時集成了LTE網絡、無線Wi-Fi、藍牙、調頻收音機、NFC、GPS等諸多功能；由于采用了更先進的28nm工藝制程，加上全套整合式的方案，能夠令NovaThor L8540的功耗比現(xiàn)有處理器降低至少10%。得益于其超低的電壓運行模式，與目前市場上其他平臺相比，NovaThor L8540能夠將智能手機的續(xù)航時間延長30%。相關閱讀： 高度整合的新款LTE 智能手機平臺：LTE NovaThor
Marvell多模TD-LTE單芯片基帶調制解調器PXA1802
PXA1802 是單芯片基帶調制解調器，五模合一，可支持TDD和FDD LTE制式，支持GSM、EDGE、WCDMA、TD-HSPA+、HSPA+等多模，同時集成LPDDR1。芯片支持下行150Mbps，上行50Mbps；支持雙流波束成形，硬件支持祖沖之加密算法，支持2G/3G和 LTE的雙待雙連接；已完成并通過國內主要的IOT測試，體現(xiàn)出芯片和系統(tǒng)具備良好的穩(wěn)定性。
聯(lián)芯科技支持ZUC祖沖之算法的LTE多模基帶芯片
聯(lián)芯科技TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE多模芯片LC1761和TD-LTE/LTE FDD雙?；鶐酒琇C1761L兩款芯片為目前業(yè)界首款同時支持硬件加速ZUC祖沖之算法，3GPP Release 9和LTE Category 4能力的LTE終端芯片，能率先滿足LTE預商用背景下工信部、中國移動對于多模終端芯片的需求。LC1761，采用40nm工藝，可實現(xiàn)下行150Mbps，上行50Mbps的高效數據傳輸。LC1761L是僅支持TD-LTE/LTE FDD的純LTE Modem芯片，可滿足市場對于數據類終端及手持類智能終端的定制需求。
展訊單芯片多模TD-LTE基帶調制解調器SC9610
作為展訊的第一款TD-LTE基帶調制解調器，SC9610 TD-LTE/TD-SCDMA/EDGE/GPRS/GSM單芯片基帶調制解調器采用40納米 CMOS工藝， 在單芯片內集成了多模通信標準，包括多頻段的 TD- LTE和TD – SCDMA，以及四頻 EDGE/GSM/GPRS。能達到 100Mbps 下行速度和 50Mbps上行速度，支持5、10、15及20MHz 信道帶寬和 2x2 MIMO。
海思業(yè)界首款支持LTERealse9和Category4的多模終端芯片Balong710
Balong710在LTEFDD模式下能夠提供150Mbit/s的下行速率和50Mbit/s的上行速率；在 TD-LTE工作模式下，能夠提供最高112Mbit/s的下行速率和最高30Mbit/s的上行速率，特有的雙流BeamForming技術能夠顯著提升小區(qū)平均吞吐量和邊緣用戶吞吐量；在 WCDMA的DC＋MIMO工作模式下能夠提供84Mbit/s的下行速率和23Mbit/s的上行速率。
