【導(dǎo)讀】TDK公開了能夠提高硬盤記錄密度的新型磁頭的開發(fā)成果。通過使用采用近場光的熱輔助記錄方式的磁頭技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了1.5Tbit/inch2的面記錄密度，誤碼率為10-2。
TDK以前曾利用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了1Tbit/inch2的面記錄密度、10-2的BER，此次數(shù)值超過了上次，達(dá)到了“業(yè)內(nèi)最高”（TDK）。TDK表示，“希望能在2014年內(nèi)將該成果轉(zhuǎn)化為量產(chǎn)產(chǎn)品”。
據(jù)TDK介紹，1.5Tbit/（英寸）2的面記錄密度相當(dāng)于現(xiàn)行量產(chǎn)產(chǎn)品的約2倍。換算成2.5英寸硬盤的話，相當(dāng)于每張碟片1TB，換算為3.5英寸硬盤的話則為2TB。
此次的測試環(huán)境跟上次（1Tbit/inch2）基本相同，采用自旋支架進(jìn)行了評(píng)測。“與上次不同的只有磁頭和硬盤介質(zhì)”（TDK）。最終，確認(rèn)了在線記錄密度為1350kBPI、磁道密度為1113kTPI的條件下，誤碼率為10-2。實(shí)現(xiàn)1Tbit/ inch2的記錄密度時(shí)，線記錄密度為1100kBPI，磁道密度為為915kTPI。
TDK此次未公布技術(shù)詳情，只表示是通過改進(jìn)磁頭和硬盤介質(zhì)等實(shí)現(xiàn)的。介質(zhì)方面獲得了昭和電工的技術(shù)支持。
TDK在“CEATEC JAPAN 2012”上公布了此次驗(yàn)證成果，并在會(huì)場進(jìn)行了能夠體驗(yàn)近場光熱輔助記錄的演示 。
圖1：熱輔助記錄用磁頭
圖2：面記錄密度的發(fā)展
