【導(dǎo)讀】Microsemi擴(kuò)展其NPT IGBT產(chǎn)品系列，發(fā)布三款1200V IGBT新產(chǎn)品。相比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率的高性能開關(guān)模式產(chǎn)品，比如電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器和不間斷開關(guān)電源。
致力于能源、安全、可靠性與高性能領(lǐng)域，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款I(lǐng)GBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產(chǎn)品系列的所有器件均基于美高森美的先進(jìn)Power MOS 8技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率的高性能開關(guān)模式產(chǎn)品，比如電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器和不間斷開關(guān)電源。
美高森美的1200V解決方案可與其FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二極管組合封裝，為工程師提供高集成度解決方案，以便簡(jiǎn)化產(chǎn)品開發(fā)工作。其它特性包括：
相比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能；硬開關(guān)運(yùn)行頻率大于80 KHz，實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換；易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù))，提升大功率應(yīng)用的可靠性；以及額定短路耐受時(shí)間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)作。
此外，美高森美將于短期內(nèi)提供采用SOT-227封裝的APT85GR120JD60器件，包含了一個(gè)60A反并聯(lián)(anti-parallel)超快恢復(fù)二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關(guān)損耗、額定雪崩能量二極管技術(shù)制造。
封裝和供貨
美高森美公司的APT85GR120B2晶體管采用TO-247 MAX封裝，APT85GR120L采用TO-264封裝，APT85GR120J則采用SOT-227封裝。美高森美新型NPT IGBT器件已完全滿足性能要求并在產(chǎn)，客戶可通過(guò)當(dāng)?shù)亟?jīng)銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。
關(guān)于美高森美公司
美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 為通信、國(guó)防與安全、航天，醫(yī)療與工業(yè)，以及新能源市場(chǎng)提供業(yè)界綜合性的半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案系列，包括混合信號(hào)集成電路、系統(tǒng)單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS)、可編程模擬解決方案、功率管理產(chǎn)品、時(shí)鐘與語(yǔ)音處理器件、射頻解決方案、分立組件，以及以太網(wǎng)供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產(chǎn)品。美高森美總部設(shè)于美國(guó)加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數(shù)約3,000人。
