考慮到2011年出貨量為零，今年出貨量預(yù)計只占總體DRAM領(lǐng)域的1.4%，DDR4在2014年以前不會達(dá)到很大的規(guī)模。但DDR4市場兩年后將迅速增長，2014年市場份額將增至23.1%，超過目前占主導(dǎo)地位的DDR3。
2015年將繼續(xù)強(qiáng)勁增長，屆時DDR4的市場份額將接近擴(kuò)大一倍，達(dá)到44.2%。到2016年，DDR4將占據(jù)包括移動DRAM在內(nèi)的總體DRAM市場的一半以上，估計份額將達(dá)51.8%，如圖所示。
DDR4的這種急劇增長，假設(shè)前提是英特爾全力支持這種新型內(nèi)存產(chǎn)品——沒有理由做出相反的假設(shè)。英特爾已經(jīng)宣布，其Haswell微架構(gòu)將支持幾個中央處理單元(CPU)，包括Haswell-EP和Haswell-EX。IHS iSuppli公司認(rèn)為，這兩種CPU產(chǎn)品2013年末或2014年初才會上市，但英特爾很可能在計算應(yīng)用中采用DDR4，尤其是在其率先提出并積極推動的Ultrabook平臺上面——這將幫助DDR4更快地占領(lǐng)市場。
這種策略將擴(kuò)大DDR4的潛在市場。英特爾只是為上述應(yīng)用生產(chǎn)含有DRAM的CPU，但不是專門含有DDR4或其它DRAM產(chǎn)品。支持向新型內(nèi)存技術(shù)的過渡符合英特爾的利益，尤其是消費(fèi)者渴望得到更快的存儲速度和更低的功耗，而這正是DDR4的兩項(xiàng)主要優(yōu)點(diǎn)。
DDR4初期將采用2133MHz的頻率，但帶寬將隨后提高到2667MHz、3200MHz和4267MHz。這與DDR3相比是一種漸進(jìn)性的改善。DDR3的最高帶寬可達(dá)2133MHz。
1.2V的較低工作電壓，也使得DDR4的功耗比1.5V的DDR3減少大約35%。DDR4的工作電壓可能降到更低，也許會低到1.0V，從而可以更加省電。
即便如此，DDR4能否取得全面成功還要看英特爾的態(tài)度。如果英特爾因某種原因決定其CPU減少對DDR4的支持，則DDR4很可能步履維艱或者達(dá)不到目前所期望的市場規(guī)模。確實(shí)，這種情形不可想像，但在DRAM市場仍然由DDR3統(tǒng)治的情況下，不能不考慮這種可能性。
在DDR4全面推出之前，仍有許多工作要做
目前DDR4正在躍躍欲試，準(zhǔn)備在兩年內(nèi)得到更多的采納。但在此之前，仍有許多工作要做。
首先，該技術(shù)的最終規(guī)格必須得到標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC的批準(zhǔn)，然后DRAM廠商才能在硅片上進(jìn)行設(shè)計。盡管三星電子、SK Hynix Semiconductor和美光等內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)宣布了DDR4產(chǎn)品，但仍須完成上述程序。
其次，CPU廠商——主要是英特爾，需要確保其擁有合適的芯片架構(gòu)和內(nèi)存控制器，才能使用DDR4。目前尚不清楚，英特爾打算如何安排其目前的DDR3 CPU產(chǎn)品向DDR4過渡，比如Westmere、Sandy Bridge和Ivy Bridge。但是，英特爾的CPU開發(fā)周期目前處于縮小尺寸階段，顯示其縮小了現(xiàn)有微架構(gòu)的光刻尺寸。
最后，其它內(nèi)存廠商必須在光刻方面實(shí)現(xiàn)足夠大的進(jìn)步，才能滿足DDR4的設(shè)計參數(shù)。幸運(yùn)的是，每個DRAM開發(fā)者都已在采用30納米工藝，這是生產(chǎn)1.2V DDR4所要求的節(jié)點(diǎn)水平。這意味著內(nèi)存產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在已達(dá)到DDR4的光刻要求，已經(jīng)具備生產(chǎn)市場所渴望的這種新技術(shù)的工藝水平。
