中心議題：
- 均壓控制原理
- DC／DC主電路及控制方式
- 控制系統(tǒng)軟件流程
解決方案：
- 基于FPGA的超級(jí)電容充放電控制方案
超級(jí)電容是近年發(fā)展快速的一種大容量?jī)?chǔ)能器件，具有功率密度高、充放電時(shí)間短、效率高、使用壽命長(zhǎng)、清潔環(huán)保等特點(diǎn)。超級(jí)電容具有90％以上的充放電效率，充放電電流可達(dá)數(shù)安培至數(shù)百安培，充放電壽命可達(dá)10萬(wàn)次以上。在電動(dòng)汽車、UPS等產(chǎn)品上有很好的應(yīng)用前景。
但是超級(jí)電容器參數(shù)存在離散性，即使是同一型號(hào)同一規(guī)格的超級(jí)電容器在其電壓、內(nèi)阻、容量等參數(shù)上都存在著不一致性，這是由制造過(guò)程中工藝和材質(zhì)不均造成的。而在使用中需要采用串聯(lián)的方式提高整體的輸出電壓，充電時(shí)大多采用先恒流后恒壓的充電方式，如圖1所示。充電前期采用恒流允電，當(dāng)電容電壓達(dá)到一定值后，即t0時(shí)刻，冉采用恒壓充電，因?yàn)槌?jí)電容器的離散性，各單體到達(dá)t0時(shí)刻的時(shí)間就會(huì)不同，如果直接進(jìn)行串聯(lián)充電可能會(huì)使某些單體過(guò)充，而某些單體又欠充，嚴(yán)重危害超級(jí)電容器的使用壽命，放電時(shí)同樣如此，會(huì)出現(xiàn)某些單體過(guò)放現(xiàn)象。因此保證各單體的均衡充放電，對(duì)有效發(fā)揮所儲(chǔ)存的能量有著非常重要的意義。
1 均壓控制原理
文中超級(jí)電容均壓部分采用逆變器和變壓器均壓技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
如圖2所示，均壓電路由超級(jí)電容組、變壓器、逆變器和升壓斬波電路4部分組成。圖中的二極管起到反向保護(hù)作用。通過(guò)控制信號(hào)S1、S2、S3、S4即可實(shí)現(xiàn)電壓均衡，并可將電壓高的超級(jí)電容中的能量轉(zhuǎn)移到電壓低的超級(jí)電容中。
假設(shè)有N個(gè)超級(jí)電容串聯(lián)，將串聯(lián)超級(jí)電容組兩端總電壓通過(guò)升壓斬波電路接到逆變器的輸入端，以補(bǔ)償MOSFET及續(xù)流二極管上的導(dǎo)通壓降，逆變器的輸出接到匝數(shù)比為N的降壓變壓器的高壓側(cè)，則低壓側(cè)將產(chǎn)生振幅為N個(gè)超級(jí)電容單體電壓平均值的方波。以該方波作為電壓源再次對(duì)每個(gè)超級(jí)電容單體進(jìn)行充電。此時(shí)由于二極管的作用，只有單體電壓低于變壓器低壓側(cè)電壓值的超級(jí)電容才能進(jìn)行充電。逆變器工作一段時(shí)間以后，即可完成超級(jí)電容的均壓。
升壓斬波電路的輸出電壓，即逆變器的輸入電壓Vi滿足：
Vi=Vc+N*Vd+2Vs (1)
式中：Vc為N個(gè)串聯(lián)超級(jí)電容兩端總電壓；Vd為續(xù)流二極管上的正向?qū)▔航?；Vs為MOSFET上的導(dǎo)通壓降。
逆變部分采用5kHz的50％占空比的PWM波加入一定的死區(qū)時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)，S1，S4采用同一組信號(hào)驅(qū)動(dòng)，S2，S3采用另外一組信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
升壓斬波電路的控制信號(hào)采用20kHz的PWM波。
Boost變換器占空比公式
[page]
2 DC／DC主電路及控制方式
控制電路采用一端穩(wěn)壓一端穩(wěn)流的方式進(jìn)行充放電控制，當(dāng)電路工作在buck充電方式時(shí)，超級(jí)電容端進(jìn)行先恒流充電到Vsc，再恒壓充電；當(dāng)電路工作在boost放電方式時(shí)，直流母線電樂(lè)端進(jìn)行穩(wěn)壓控制。充放電環(huán)節(jié)采用PI控制法進(jìn)行恒流或恒壓充、放電。
采用雙向buck／boost電路拓?fù)?，控制策略是?br />
(1)當(dāng)超級(jí)電容電壓Vc高于電容額定電壓Vcmax時(shí)，封鎖buck充電控制信號(hào)；當(dāng)超級(jí)電容電壓Vc下降到電壓下線Vcmax時(shí)，封鎖boost放電控制信號(hào)。
(2)當(dāng)超級(jí)電容電壓Vc在電壓下限Vcmax與最高電壓Vcmax之間時(shí)，DC／DC變換器能夠進(jìn)行buck充電控制，或boost放電控制：進(jìn)行buck還是boost需要根據(jù)直流母線電壓Vdc、電流Idc來(lái)決定。
(3)直流母線電壓Vdc高于設(shè)定高壓Vdcmax，進(jìn)行buck充電控制；低于設(shè)定低壓Vdcmin，進(jìn)行boost放電控制。母線電壓Vdc介于Vdcmax和Vdcmin之間是不動(dòng)作，既不充電也不放電。
3 控制系統(tǒng)軟件流程
按照上述控制策略，得到如圖4的程序流程圖，其中5kHz逆變?yōu)榫鶋弘娐分械哪孀兤鳎捎?0％的PWM脈沖波來(lái)實(shí)現(xiàn)，不需要復(fù)雜的控制算法。20kHz升壓模塊完成開(kāi)關(guān)管S1信號(hào)的產(chǎn)生。需要通過(guò)電壓采集電路，得到串聯(lián)電容的總電壓。4個(gè)判斷模塊通過(guò)判斷Vdc和Vc的電壓范圍決定對(duì)電容的充放電控制。
4 仿真分析
C1、C2初始電壓為2．7V，C3、C4為1V，仿真70s的時(shí)候基本均壓結(jié)束，電壓均衡到1．81V，由于電容并聯(lián)二極管的影響，電壓均衡點(diǎn)并沒(méi)有在算數(shù)平均值1．85V，并且升壓斬波器也消耗一部分能量。70s之后兩電容電壓基本保持同步變化。
[page]
圖6為均壓系統(tǒng)實(shí)物圖，由FPGA控制板，H橋逆變器以及驅(qū)動(dòng)電路和Boost升壓電路組成，F(xiàn)PGA控制板采用實(shí)驗(yàn)室自主開(kāi)發(fā)的基于EP2C80 208C8N芯片的開(kāi)發(fā)板來(lái)完成控制信號(hào)的中生成，5個(gè)開(kāi)關(guān)管采用IRF640，驅(qū)動(dòng)芯片TR2103。通過(guò)仿真驗(yàn)證了均壓系統(tǒng)的可行性。
5 結(jié)束語(yǔ)
文中簡(jiǎn)要介紹了應(yīng)用超級(jí)電容所需要的幾項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并通過(guò)仿真和實(shí)物驗(yàn)證，逆變采用50％占空比是為了使電壓較高的降壓速度與低壓電容的升壓速度相匹配，減少電能浪費(fèi)。DC／DC充、放電模塊能實(shí)現(xiàn)對(duì)超級(jí)電容器組快速可靠充、放電，輸入功率大，保護(hù)可靠，充分發(fā)揮了超級(jí)電容的優(yōu)勢(shì)。
