新聞事件：
- 英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
事件影響：
- CoolMOS™ 晶體管技術(shù)得到不斷優(yōu)化
近日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
在晶體管問世55年后，英飛凌于2002年憑借突破性的CoolMOS™ 晶體管技術(shù)，喜獲“德國工業(yè)創(chuàng)新獎”。這種高壓功率晶體管提升了一系列產(chǎn)品的能效，例如PC電源、服務(wù)器、太陽能逆變器、照明設(shè)備與通信電源設(shè)備等。而且這些節(jié)能晶體管如今還是各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品的核心器件，例如平板電視和游戲機(jī)等。當(dāng)前所有電力工業(yè)設(shè)備和家用電器的都將高能效和節(jié)能做為主要性能指標(biāo)。采用英飛凌的高能效半導(dǎo)體解決方案可使全球節(jié)省25%的能耗。例如，通過選用CoolMOS™產(chǎn)品，服務(wù)器電路板的功耗可減少約30W。全球服務(wù)器若按約6,000萬臺計(jì)算，共計(jì)可節(jié)電18億瓦，這相當(dāng)于一座核電站的發(fā)電量。
英飛凌副總裁兼電源管理與供應(yīng)分立式器件業(yè)務(wù)總經(jīng)理Andreas Urschitz指出：“我們堅(jiān)持不懈地提升CoolMOS™ 晶體管技術(shù)，確保能效達(dá)到最優(yōu)，使客戶具備強(qiáng)有力的競爭優(yōu)勢。我們?yōu)閷?shí)現(xiàn)資源利用可持續(xù)利用做出了巨大的貢獻(xiàn)，此舉造福子孫后代。臺灣高雄足球場的太陽能發(fā)電系統(tǒng)就是采用我們CoolMOS™ 技術(shù)的很成功例子。太陽能逆變器選用CoolMOS™芯片，可確保最高的能效。該太陽能發(fā)電站的年發(fā)電量可達(dá)110萬千瓦小時(shí)，并年均減少約660噸的碳排放。”
代表最新技術(shù)的650V CoolMOS™ CFD2
英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS™ MOSFET。這種全新的650V CoolMOS™ CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。較軟的換向性能帶來更出色的抗電磁干擾特性，從而使該器件競爭力首屈一指。CoolMOS™ CFD 2 650V產(chǎn)品具備快速開關(guān)超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET的所有優(yōu)點(diǎn)，例如更高的輕載效率、更低的柵極電荷、方便的使用和出色的可靠性。英飛凌預(yù)計(jì)這種晶體管的最大潛在市場主要集中在太陽能逆變器、電腦服務(wù)器、LED照明和通信設(shè)備等領(lǐng)域。
英飛凌的CoolMOS™ 技術(shù)
革命性的CoolMOS™ 功率晶體管系列在能效方面樹立了行業(yè)新標(biāo)桿。作為高壓MOSFET技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，CoolMOS™ 可大幅降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，確保高端電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高功率密度和高能效。針對應(yīng)用專門優(yōu)化的CoolMOS™器件適用于消費(fèi)類產(chǎn)品、可再生能源、通信電源、適配器和其他產(chǎn)品。憑借其出類拔萃的性價(jià)比，CoolMOS™ 成為滿足目前不斷攀升的能源需求的理想之選。尤其是最新的，代表最高技術(shù)含量的高壓功率MOSFET使交流/直流電源系統(tǒng)更高效、更緊湊、更輕更涼。這種高壓MOSFET之所以取得這樣的成功，得益于其每種封裝上具備最低的通態(tài)電阻、最快的開關(guān)速度和最低的柵極驅(qū)動需求。
