產(chǎn)品特性：
- 制作電極時使用了SWCNT油墨
- 減輕特性滯后現(xiàn)象
- 源極與漏極間電壓降低到-1V
應用范圍:
- 適用于液晶顯示
日本早稻田大學制作出了在所有工序中都采用噴墨技術(shù)、活性層使用單層納米管(SWCNT)的TFT。這一成果已在2010年9月14日于長崎大學舉行的第71屆日本應用物理學會學術(shù)演講會上發(fā)布(演講序號：14a-B-4)。相關(guān)論文也已發(fā)表在學術(shù)雜志上。
開發(fā)出這種SWCNT-TFT的是早稻田大學理工學院先進理工學系副教授竹延大志，以及山形大學助教沖本治哉等。這種TFT是將SWCNT溶入N,N-二甲基對甲苯胺(DMT)等溶劑中，采用噴墨技術(shù)使其分布在底板上制成的。據(jù)早稻田大學介紹，底板除了硅底板之外，還采用了透明的柔性底板。使用硅底板試制時，獲得了載流子遷移率為2cm2/Vs、導通/截止比為105的特性。
這些數(shù)值與NEC等采用噴墨技術(shù)制作的CNT晶體管差別不大。
此次的成果有以下兩個特點：(1)除了TFT的半導體層之外，制作電極時也使用了SWCNT油墨；(2)通過在柵極絕緣膜中使用離子液體，大幅減輕了以往存在的特性滯后(Hysteresis)現(xiàn)象，同時將源極與漏極間電壓(VSD)降低到了-1V,僅為原來的1/50~1/100。
TFT的電極材料一般使用金屬。而此次開發(fā)的材料只要不進行特殊的區(qū)分處理，顯示出半導體特性的SWCNT和顯示出金屬特性的SWCNT就會混合在一起。此次，竹延等人通過設定不同的油墨滴落次數(shù)，對兩種特性進行了區(qū)分。當?shù)温浯螖?shù)增加，SWCNT濃度隨之增加時，材料中具有金屬特性的SWCNT便會相互連接在一起，整體就會變成金屬；當濃度較低時，所有SWCNT都不會相連，因此整體上就會變成半導體。據(jù)早稻田大學介紹，滴落次數(shù)低于兩次時基本上為半導體。
據(jù)早稻田大學介紹，此次之所以能夠在柵極絕緣膜中使用離子液體來減輕特性滯后現(xiàn)象和VSD,是因為TFT可像由電極和“溶劑”組成的微小雙電層電容器一樣發(fā)揮功能，載流子移動自由度提高，而且與VSD起到互補作用的“靜電容量”大幅増加。
不過，離子液體此前一般存在難以揮發(fā)、容易從元件中流出的問題。竹延表示，為了解決這一問題，最近采用了干燥后會變成凝膠的材料，并獲得了良好效果。
