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IR推出新一代高傳導(dǎo)和低開(kāi)關(guān)損耗600V溝道IGBT

發(fā)布時(shí)間:2010-06-24

產(chǎn)品特性:

  • 采用IR最新一代的場(chǎng)終止溝槽柵技術(shù)
  • 可降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗
  • 為低短路要求的20kHZ開(kāi)關(guān)作出優(yōu)化

應(yīng)用范圍:

  • 不斷電系統(tǒng) (UPS) 及太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器

全球功率管理技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,能夠在最高3kW的不斷電系統(tǒng) (UPS) 及太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器中,減少高達(dá)30%的功率損耗。

該批新特定應(yīng)用產(chǎn)品系列采用IR最新一代的場(chǎng)終止溝槽柵技術(shù),可降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗,并為低短路要求的20kHZ開(kāi)關(guān)作出優(yōu)化,提高 UPS和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。

IR 亞太區(qū)高級(jí)銷售副總裁曾海邦表示:"傳統(tǒng)來(lái)說(shuō),每當(dāng)IGBT組件應(yīng)用于UPS和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器所使用的頻率時(shí),就會(huì)出現(xiàn)極大的開(kāi)關(guān)損耗。IR新推出的溝道IGBT組件結(jié)合了較低的開(kāi)關(guān)能量和低傳導(dǎo)損耗。這些較低的損耗可以為終端用戶提高效率、降低設(shè)備單元的體積,以及節(jié)省發(fā)電成本。"

新IGBT系列與超快速軟恢復(fù)二極管封裝在一起。與穿透型(PT) 和非穿透型 (NPT) IGBT相比較,新IGBT系列擁有較低的集電極到發(fā)射極飽和電壓(VCE(on)) 及總開(kāi)關(guān)能量 (ETS) 。此外,內(nèi)置超快速軟恢復(fù)二極管也能提高效率且降低EMI。

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