- 太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)循環(huán)性變化非常高
- 重點(diǎn)是降低成本以維持一定獲利率
- 采用更薄的晶圓降低總成本
- 在2009年上半年平均價(jià)格降幅達(dá)25%以上
- 2010年全球太陽(yáng)能需求成長(zhǎng)40%以上
太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)在2009年證明了具有非常高的循環(huán)性變化,DisplaySearch觀察14個(gè)主要的太陽(yáng)能電池Cell和模塊制造商的利潤(rùn)率表現(xiàn),06年第一季到08年第四季的平均獲利可達(dá)15%,但2009年第一季則急遽下降到-10%,一直到2009年第二季尚呈現(xiàn)虧損。
主要造成產(chǎn)業(yè)虧損的原因?yàn)槲靼嘌涝偕茉椿刭?gòu)費(fèi)率(Feed-In-Tariff)的改變,全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)以及信貸緊縮造成需求緊縮等等。在2009年上半年,生產(chǎn)能力過(guò)剩和整個(gè)供應(yīng)鏈的供過(guò)于求,造成太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的平均價(jià)格降幅達(dá) 25%以上。然而低價(jià)格的刺激,較為容易的融資環(huán)境,以及需求的多樣化,加上各個(gè)國(guó)家及區(qū)域新的獎(jiǎng)勵(lì)政策推出,讓主要的廠商在2009年第三季順利轉(zhuǎn)虧為盈。
獎(jiǎng)勵(lì)政策主要在于透過(guò)提高安裝太陽(yáng)能系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)價(jià)值的方法而增加需求。但另一方面,在許多消費(fèi)者擔(dān)心獎(jiǎng)勵(lì)政策會(huì)改變的情形之下,也有許多需求是在補(bǔ)貼政策改變或取消之前提前發(fā)酵。DisplaySearch太陽(yáng)能研究小組指出,德國(guó)新政府將進(jìn)一步降低再生能源回購(gòu)費(fèi)率(FIT),將是一個(gè)需求再持續(xù)增長(zhǎng)的重要指標(biāo)。
整體而言,在德國(guó),意大利,日本,美國(guó),法國(guó),中國(guó)及其它地區(qū)的獎(jiǎng)勵(lì)措施的變化或更新,將會(huì)讓2010年全球太陽(yáng)能需求成長(zhǎng)40%以上。DisplaySearch也預(yù)測(cè)2010年太陽(yáng)能電池和模塊制造商應(yīng)該可以看到20%的產(chǎn)業(yè)平均利潤(rùn)率。
太陽(yáng)能電池制造商把重點(diǎn)放在降低成本以維持一定獲利率的同時(shí),也將持續(xù)推動(dòng)電價(jià)往Grid Parity (太陽(yáng)發(fā)電成本與傳統(tǒng)發(fā)電成本相當(dāng))的方向進(jìn)行。主要降低成本的方法包括使用較少的硅,或使用較便宜的硅。
多晶硅(Polysilicon)是主要用于制造結(jié)晶硅(c-Si)太陽(yáng)能電池的晶圓材料。而其占到整體太陽(yáng)能模塊成本的15%到20%。由于大量多晶硅新產(chǎn)能的開(kāi)發(fā)以及過(guò)去這一年的需求減少,硅晶的價(jià)格自2008年下半年起因供過(guò)于求而大幅下跌,目前雖然跌勢(shì)已經(jīng)趨緩,但預(yù)計(jì)2010年仍為供過(guò)于求的狀況,因此價(jià)格將持續(xù)下降。圖二為多晶硅價(jià)格趨勢(shì)。
除了提升傳統(tǒng)的多晶硅生產(chǎn)效率之外,新的精煉技術(shù)如FBR (Fluid Bed Reactor,流體床反應(yīng)器) 以及UMG (Upgraded Metallurgical Grade)等級(jí)的多晶硅,將可以進(jìn)一步提供低成本的多重選擇。不過(guò),由于多晶硅的價(jià)格下滑極快,目前業(yè)界對(duì)于這些新技術(shù)的興趣有些微減退,但 DisplaySearch太陽(yáng)能研究小組判斷這些新的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)依舊在未來(lái)可以發(fā)揮成本減低的作用。
此外,采用更薄的晶圓可以消耗較少的多晶硅而降低太陽(yáng)能模塊的總成本。目前太陽(yáng)能電池制造商已經(jīng)從2000年的300微米晶圓前進(jìn)到目前的 150微米晶圓,而讓多晶硅使用量降低了50%。另一方面,在進(jìn)行將晶圓(wafer)由硅錠(ingot)切割而出的制程時(shí),由于切割線(wire)并沒(méi)有比硅晶圓本身薄多少,因此常造成許多硅材料在切割缺口處被浪費(fèi)了。
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目前開(kāi)發(fā)出的新制程為采用更薄的切割線,或者采用新的切割黏液(Slurry), 甚至采用鍍上金剛石(Diamond)的切割線,用以減少硅的浪費(fèi),并使得晶圓切割的更薄。100微米,常常被認(rèn)為是傳統(tǒng)晶圓切片技術(shù)的極限,但由 Silicon Genesis 所開(kāi)發(fā)的新的Polymax技術(shù)可以切割到只有20微米的單晶硅薄片。
在薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)的部份,目前技術(shù)相當(dāng)多,包含了非晶硅(a-Si)技術(shù),碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CIGS)等等,不過(guò)其開(kāi)發(fā)的主要的目的都是通過(guò)消除使用晶體硅的吸收層以降低成本,薄膜技術(shù)的缺點(diǎn)是能源轉(zhuǎn)換效率較低。
由于設(shè)備廠商大量的提供一體到位(TurnKey)的設(shè)備,非晶硅(a-Si)廠商大幅擴(kuò)產(chǎn)的結(jié)果已經(jīng)將全球的產(chǎn)能由 2007年的296 MW (百萬(wàn)瓦)提高2009年的1.6 GW (十億瓦) , 甚至預(yù)計(jì)2010年將達(dá)到3.0 GW (十億瓦)。然而,由于多晶硅價(jià)格較先前預(yù)期的大幅降低,影響到非晶硅(a-Si)的需求,因此目前大部分非晶硅產(chǎn)能處在產(chǎn)能利用率較低的窘境。
當(dāng)銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池技術(shù)被推出時(shí),其目標(biāo)是希望兼顧相對(duì)較高的轉(zhuǎn)換效率,以及非常低的成本結(jié)構(gòu);甚至其轉(zhuǎn)換效率的開(kāi)發(fā)目標(biāo)是達(dá)到結(jié)晶系 (Crystalline)的水平。然而,這項(xiàng)技術(shù)已被證明要量產(chǎn)有一定的難度。以全球產(chǎn)能來(lái)看,銅銦鎵硒在2009年只占全球太陽(yáng)能電池產(chǎn)能的3%,而實(shí)際量產(chǎn)的能力更是十分有限。
然而,仍有廠商看好CIGS的低成本而加碼投資,DisplaySearch觀察,2010年將會(huì)新增415 MW的銅銦鎵硒產(chǎn)能,而Solyndra以及Showa Shell Solar等公司已經(jīng)計(jì)劃在不久的將來(lái)建置500 MW甚至1.0 GW工廠。
至于碲化鎘技術(shù),目前以First Solar為領(lǐng)導(dǎo)廠商,是目前在低成本方面領(lǐng)先的太陽(yáng)能技術(shù)。在2009年第三季該公司生產(chǎn)的模塊成本僅為0.85美元/watt。而目前First Solar 也為了因應(yīng)訂單的急速增加,預(yù)計(jì)將在2010年增加424 MW的能力。
由于該公司預(yù)測(cè)2010年每股收益(EPS)將可望在6.05-6.85美元之間,F(xiàn)irst Solar幾乎已經(jīng)成為碲化鎘太陽(yáng)能技術(shù)的傳奇,其技術(shù)與經(jīng)營(yíng)模式也的確為其它模塊制造商設(shè)下榜樣,但至今沒(méi)有其它從事碲化鎘技術(shù)的公司能夠復(fù)制其成功模式。
在太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè),更高的轉(zhuǎn)換效率等同于降低成本,無(wú)論是薄膜或結(jié)晶硅技術(shù),在2010年產(chǎn)業(yè)將再次強(qiáng)調(diào)提高轉(zhuǎn)換效率的重要。Centrotherm為一家領(lǐng)先的德國(guó)太陽(yáng)能設(shè)備公司,其曾經(jīng)指出,轉(zhuǎn)換效率每提高0.5%,則成本可以減少約3%。
2009年是太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)第一個(gè)經(jīng)歷的“Solar Cycle (太陽(yáng)能供需循環(huán))”,以后勢(shì)必會(huì)有更多循環(huán)發(fā)生,目前隨著需求的回升,大部分太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈已經(jīng)迅速恢復(fù)。隨著需求增加和成本越來(lái)越低,太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)正期待著美好的2010年。
DisplaySearch太陽(yáng)能研究小組認(rèn)為,至少在2010年上半太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)可以逐步邁向平均獲利率20%。至于在2010年之后,激勵(lì)與補(bǔ)貼政策將決定下一個(gè)周期循環(huán)。