- 最新的4225-PMU超快I-V測試模塊豐富了4200-SCS半導體特征分析系統(tǒng)的可選儀器系列
- 實現(xiàn)了業(yè)界最寬的電壓、電流和上升/下降/脈沖時間動態(tài)量程
- 大大提高了系統(tǒng)對新材料、器件和工藝進行特征分析的能力
- 利用4225-PMU可以像進行直流測量那樣，輕松實現(xiàn)超快的I-V源和測量操作
- 單機實現(xiàn)三大基本特征分析功能的吉時利超快C-V測量系統(tǒng)
- 非常適合于既需要超快電壓輸出又需要同步測量的應用——從納米CMOS到閃存
與之前需要多達三種不同測試臺才能對器件、材料或工藝進行充分特征分析的方案不同的是，4225-PMU憑借其很寬的動態(tài)量程，只需一套儀器即可完成對材料、器件和工藝的全方位特征分析。目前，實驗室配置一套靈活的系統(tǒng)就可以處理所有三類測量操作：精密直流I-V測試（4200-SMU）、交流阻抗（4210-CVU C-V儀器）和超快I-V或瞬態(tài)I-V測試（4225-PMU）。
單模塊雙通道集成式源和測量功能
每個4225-PMU模塊提供了兩個通道的集成式源和測量功能，但是僅僅占用九槽機架中的一個插槽。每個機架最多可安裝四個這樣的模塊，實現(xiàn)最高8個超快的源/測量通道。每個通道兼具高速電壓輸出（脈寬范圍從60納秒到直流）和同步電流與電壓測量兩大功能。這種模塊實現(xiàn)了高速電壓脈沖和同步電流與電壓測量功能，采集速率高達200兆次采樣/秒（MS/s），具有14位模-數(shù)轉換器（A/D），每個通道采用了兩個A/D（每卡四個A/D）。用戶可以選擇兩種電壓源量程（1兆歐輸入±10伏 ± 40伏），以及四種電流量程（800毫安、200毫安、10毫安、100微安）。
可選的硬件擴展源-測量靈活性
每個4225-PMU模塊可以配置多達兩個可選的4225-RPM遠程放大器/開關，從而提供了四種額外的低電流量程。它們還有助于減少線電容效應，并且支持在4225-PMU、4210-CVU和機架中安裝的其他SMU之間自動切換。另外還有可選的4220-PGU脈沖發(fā)生器，它是僅僅支持電壓源功能的4225-PMU替代品。
支持豐富的材料、器件和工藝特征分析應用
4225-PMU和4225-RPM結合在一起能夠?qū)崿F(xiàn)其它單臺儀器無法實現(xiàn)的多種應用所必需的工具功能。其中一些主要應用如：
通用超快I-V測量。脈沖式I-V測試具有很廣泛的應用，它通過使用窄脈沖和/或低占空比脈沖而不是直流信號，能夠防止器件自熱效應。
CMOS器件特征分析。4225-PMU/4225-RPM的高速電壓源和電流測量靈敏度使得它們非常適合于CMOS器件的特征分析，包括高k器件和先進CMOS工藝，如絕緣體上硅（SOI）。
非易失性存儲器測試。系統(tǒng)安裝的KTEI軟件提供了用于閃存和相變存儲器（PCM）器件測試的工具包。該系統(tǒng)非常適合于單個存儲單元或小規(guī)模存儲陣列的測試，例如研發(fā)或工藝驗證之類的應用。
化合物半導體器件與材料的特征分析。4225-PMU能夠?qū)II-V族材料進行特征分析，例如氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和其它一些化合物半導體。它允許用戶設置一個脈沖偏移電壓，然后從非零值進行測量，從而研究器件的放大增益或線性度。
NBTI/PBTI可靠性測試?？蛇x的4200-BTI-A超快BTI工具包集成了實現(xiàn)所有已知BTI測試方法所需的全部硬件和軟件，并且具有最快、最靈敏的測量性能。此外，自動特征分析套件（ACS）軟件還支持全自動晶圓級和晶匣級測試，內(nèi)置NBTI/PBTI測試庫，具有簡潔易用的GUI。
四種可編程掃描選項
4225-PMU支持四種掃描類型：線性掃描、脈沖、任意波形和分段ARB®（已申請專利）。分段ARB模式簡化了波形的創(chuàng)建、存儲和生成過程，最高支持由2048個用戶自定義線段組成的波形，具有出色的波形生成靈活性。
高性能纜接
可選的多路測量高性能線纜套件能夠?qū)崿F(xiàn)4200-SCS和探測控制器的連接，簡化在直流I-V、C-V和超快I-V測試配置之間的相互切換過程，無需重新布線，增強了信號保真度。
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