- NMES在未來可能成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的要角
- 成熟的MEMS技術(shù)在新潮電子產(chǎn)品中的應(yīng)用開拓了龐大新市場
- Darpa也在研究NEMS元件的軍事應(yīng)用
據(jù)新興晶片技術(shù)領(lǐng)域的專家表示，可說是微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的“小表弟”的奈米機(jī)電系統(tǒng)(nanoelectromechanical systems，簡稱NMES)，雖然目前還沒沒無聞，但在未來可能成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的要角。
Sematech製造聯(lián)盟新興技術(shù)副總裁Raj Jammy指出，其中的一個理由是，成熟的MEMS技術(shù)已經(jīng)為各種不同的感測器，在iPhone等新潮電子產(chǎn)品中的應(yīng)用開拓了龐大新市場，不過MEMS是針對特殊應(yīng)用的元件：「NEMS則能提供整套的潛在應(yīng)用方案?！?br />
NEMS被形容為MEMS與奈米技術(shù)的結(jié)晶；在美國國防部高等研究計劃署(Drapa)掌管 NEMS研究的Dennis Polla表示：「如果某系統(tǒng)有一個關(guān)鍵機(jī)械零件或架構(gòu)的尺寸小於1微米(micrometer)，并且能整合其他不同的零件，那就是NENS?！顾赋?，該單位認(rèn)為NEMS技術(shù)就是「下一場微型化革命」。
Darpa正在研究將NEMS技術(shù)與感測器、致動器(actuators)、電子元件與光學(xué)元件、甚至微流體元件整合的方法。而Sematech的Jammy則表示，從製造部門的角度來看：「沒有人是真正在研究NEMS領(lǐng)域，也就是我們該如何將NEMS整合進(jìn)CMOS製程？」
在日前(12月7~9日)於美國舉行的2009年國際電子元件會議(IEDM)上，至少有9個研究單位發(fā)表了有關(guān)NEMS技術(shù)的論文，題目包括NEMS CMOS記憶體等應(yīng)用；事實上，IEEE自2006年起就贊助NEMS技術(shù)會議，其第五屆年會預(yù)計明年1月20~23日在中國廈門舉行。
Jammy的觀點是，現(xiàn)在時機(jī)已經(jīng)成熟，可開始研究進(jìn)行採用現(xiàn)有CMOS製程技術(shù)生產(chǎn)新式NEMS元件的方法：「要真正掌握該種元件的潛能，得用CMOS製程而非一般MEMS製程來生產(chǎn)，好讓NEMS元件是與CMOS相容的?！?br />
NEMS元件與其他許多新興IC技術(shù)一樣訴求低功耗特性，不過NEMS元件還有其他優(yōu)勢，包括高速度(gigahertz)、低漏電、與現(xiàn)有CMOS製造設(shè)備相容，以及可進(jìn)軍傳統(tǒng)晶片無法運作之嚴(yán)苛環(huán)境，開創(chuàng)一系列特殊應(yīng)用。
這意味著NEMS的角色將不只是做為iPhone內(nèi)的觸控感測器；Jammy舉例說明，相關(guān)的嚴(yán)苛環(huán)境應(yīng)用包括汽車、工業(yè)領(lǐng)域的儲存設(shè)備，或是RF與生物醫(yī)療應(yīng)用等等。Darpa也在研究NEMS元件的軍事應(yīng)用。
在元件層級，Sematech正與加州柏克萊大學(xué)、史丹佛大學(xué)等單位的研究人員合作，開發(fā)採用NEMS技術(shù)的記憶體元件，以及號稱「零洩漏」的NEMS開關(guān)(switch)，或是與CMOS技術(shù)整合的混合式開關(guān)元件。
在IEDM上所發(fā)表的NEMS研究，則包括整合NEMS與CMOS技術(shù)所製造、稱為「鰭式正反器致動通道電晶體(fin flip-flop actuated channel transistor)的元件，以及採用奈米級石墨烯(graphene)材料所製造的低耗電NEMS開關(guān)元件。
