- 采用Si底板的功率元件增加
- EDLC重獲關(guān)注
- 利用交流驅(qū)動(dòng)取代電源
- 電容器穩(wěn)步發(fā)展
受社會(huì)節(jié)能化浪潮的影響，在電子部件中，電力損失較小的功率半導(dǎo)體和有助于省電的電容器、LED等與環(huán)保息息相關(guān)的開(kāi)發(fā)品的展出也成了此次展會(huì)的熱門。
采用Si底板的功率元件增加
功率半導(dǎo)體方面，使用GaN、SiC等Si之后的新一代半導(dǎo)體的演示接連不斷。其中有所增加的是在Si底板上形成GaN類功率元件的類型。如果使用低廉且直徑大的Si底板，居高不下的制造成本就能夠得到減少。投產(chǎn)預(yù)期也逐漸趨于具體化（圖1）。
圖1：利用Si底板的GaN類功率元件
為了降低成本，使用Si底板的展出接連不斷。IR展出了形成有GaN類HEMT的晶圓（a）。羅姆也首次試制使用Si底板的GaN類HEMT并展出了電源模塊（b）。三墾電氣使用配備有6個(gè)SBD內(nèi)置GaN類FET的逆變器驅(qū)動(dòng)200V、2.2kW的3相交流馬達(dá)，與利用配備Si制IGBT和FRD的逆變器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)逆變器表面溫度的變化進(jìn)行了比較（c）。左側(cè)配備GaN元件的逆變器損失小且溫度低。美國(guó)國(guó)際整流器公司（International Rectifier，IR）宣布在2009年內(nèi)投入實(shí)用。首先投產(chǎn)的將是使用耐壓僅為數(shù)十V的GaN類HEMT的POL電源模塊，為無(wú)需加載柵極電壓即可導(dǎo)通的“常開(kāi)”型。
積極開(kāi)發(fā)功率元件的羅姆首次展出了Si底板產(chǎn)品。產(chǎn)品也為常開(kāi)型，目前還存在耐壓低于600V的課題。今后，該公司將解決有關(guān)課題，爭(zhēng)取在2010年供應(yīng)耐壓為600V的樣品。
三墾電氣繼2008年后再次展出了Si底板產(chǎn)品，使用配備該產(chǎn)品的逆變器演示了3相交流馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)。其發(fā)熱量小于Si功率元件組成的逆變器，電力損失也有所減少。該公司的Si底板產(chǎn)品的耐壓為600V，能夠進(jìn)行閾值+1V的常開(kāi)動(dòng)作，量產(chǎn)將爭(zhēng)取在2012年左右開(kāi)始。該公司希望在此之前把閾值電壓提升至+3V左右。
EDLC重獲關(guān)注
電容器方面，上次大量展出的Li離子電容器難覓蹤影，雙電層電容器（EDLC）展出隨處可見(jiàn)（圖2）。隨著電容器市場(chǎng)最近的回暖，作為高成本Li離子電容器的“現(xiàn)實(shí)替代品”，EDLC重新贏得了關(guān)注。
圖2：重獲重視的EDLC
為了高效利用能源，EDLC重新獲得了重視。日本Chemi-Con展出了面向汽車的85℃型號(hào)開(kāi)發(fā)品（a）。TDK參考展出了該公司首款大型圓筒形EDLC（b）。[page]
日本Chemi-Con參考展出了能夠在70℃及85℃高溫下使用的EDLC。其靜電電容分別為1400F和700F。在混合動(dòng)力建筑機(jī)械等領(lǐng)域需求強(qiáng)烈。在此之前，其使用溫度為60℃。高溫氣化的抑制主要?dú)w功于電解液成分的改進(jìn)，但詳細(xì)情況還不清楚。70℃型號(hào)將于2010年春季開(kāi)始量產(chǎn)。85℃型號(hào)將爭(zhēng)取在2010年實(shí)現(xiàn)樣品供應(yīng)。
新進(jìn)廠商也顯露了身影。TDK參考展出了“18650”尺寸的單元和直徑77mm、高140mm的大型單元。靜電電容分別為100F和4000F。前者18650是鋰離子充電電池（LIB）常用的尺寸，器著眼點(diǎn)在于LIB的簡(jiǎn)單置換。后者大容量單元著眼于穩(wěn)定太陽(yáng)能發(fā)電功率、工業(yè)設(shè)備的峰值電力支援等用途。除此之外，村田制作所也參考展出了配備便攜產(chǎn)品的18mm×20mm×2.8mm層疊式小型EDLC。其特點(diǎn)為低電阻，“以這種尺寸實(shí)現(xiàn)100mΩ內(nèi)部電阻的別無(wú)他人”（該公司）。
利用交流驅(qū)動(dòng)取代電源
為了高效利用能源，EDLC重新獲得了重視。日本Chemi-Con展出了面向汽車的85℃型號(hào)開(kāi)發(fā)品（a）。TDK參考展出了該公司首款大型圓筒形EDLC（b）。[page]
日本Chemi-Con參考展出了能夠在70℃及85℃高溫下使用的EDLC。其靜電電容分別為1400F和700F。在混合動(dòng)力建筑機(jī)械等領(lǐng)域需求強(qiáng)烈。在此之前，其使用溫度為60℃。高溫氣化的抑制主要?dú)w功于電解液成分的改進(jìn)，但詳細(xì)情況還不清楚。70℃型號(hào)將于2010年春季開(kāi)始量產(chǎn)。85℃型號(hào)將爭(zhēng)取在2010年實(shí)現(xiàn)樣品供應(yīng)。
新進(jìn)廠商也顯露了身影。TDK參考展出了“18650”尺寸的單元和直徑77mm、高140mm的大型單元。靜電電容分別為100F和4000F。前者18650是鋰離子充電電池（LIB）常用的尺寸，器著眼點(diǎn)在于LIB的簡(jiǎn)單置換。后者大容量單元著眼于穩(wěn)定太陽(yáng)能發(fā)電功率、工業(yè)設(shè)備的峰值電力支援等用途。除此之外，村田制作所也參考展出了配備便攜產(chǎn)品的18mm×20mm×2.8mm層疊式小型EDLC。其特點(diǎn)為低電阻，“以這種尺寸實(shí)現(xiàn)100mΩ內(nèi)部電阻的別無(wú)他人”（該公司）。
利用交流驅(qū)動(dòng)取代電源
圖3：能夠簡(jiǎn)化電源的交流驅(qū)動(dòng)LED封裝
對(duì)于備受關(guān)注的高效照明——LED，能夠利用交流電源的種類越來(lái)越受到重視（圖3）。這種類型的LED照明無(wú)需A-D轉(zhuǎn)換電路，有望實(shí)現(xiàn)照明的小型化。該類型的先驅(qū)者——韓國(guó)首爾半導(dǎo)體（Seoul Semiconductor）展出了新產(chǎn)品：功耗為1W等級(jí)的封裝好的產(chǎn)品。過(guò)去該公司一般提供2W/4W等級(jí)的大型封裝產(chǎn)品，此次展示是為了滿足市場(chǎng)對(duì)于小型、高易用性的1W級(jí)別產(chǎn)品的需求。該產(chǎn)品的發(fā)光效率為70～80lm/W，低于直流電源驅(qū)動(dòng)的類型，但韓國(guó)首爾半導(dǎo)體表示：“到2010年，其效率將提高到與直流驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品相當(dāng)?shù)某潭龋?00lm/ W以上）”。
臺(tái)灣億光電子（Everlight Electronics）展出了其首款交流驅(qū)動(dòng)封裝產(chǎn)品——功耗為1W和4W的樣品。這款封裝產(chǎn)品著眼于照明用途，首先將在臺(tái)灣和中國(guó)大陸上市。與上屆一樣，三墾電氣仍然展出了小型封裝產(chǎn)品。由于發(fā)光效率較低，設(shè)想的是電源分接頭等指示用途。
穩(wěn)步發(fā)展的電容器
除此之外，電子部件區(qū)引人注目的還有各公司競(jìng)爭(zhēng)的電容器薄型化（圖4）。通過(guò)在芯片形電容器制造中采用薄膜形成技術(shù)，其厚度可以縮小至50μm以下。
圖4：厚度不到50μm的薄膜電容器村田制作所展出了1005尺寸、厚度為50μm的0.1μF薄膜電容器（a）。
太陽(yáng)誘電在Si底板上涂布了BaTiO3和BST膜作為電介質(zhì)層（b）。
村田制作所展出了耐壓為4V、靜電電容為0.1μF，厚度為50μm的1005尺寸產(chǎn)品。該產(chǎn)品計(jì)劃于2010年春季投入量產(chǎn)。太陽(yáng)誘電展出了在Si底板上利用BaTiO3和鈦酸鍶鋇（BST）形成電介質(zhì)層的開(kāi)發(fā)品。1mm2電介質(zhì)層相當(dāng)于1層靜電容量為20nF，4層的厚度為50μm，可實(shí)現(xiàn)80nF的靜電電容。借助磁場(chǎng)相互抵消的電極結(jié)構(gòu)，小靜電電容同樣能夠抑制阻抗。
層疊陶瓷電容器（MLCC）在薄型化的同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了大容量化。太陽(yáng)誘電和村田制作所聯(lián)合展出了1005尺寸、厚度為150μm、靜電電容為0.22μF的MLCC。太陽(yáng)誘電已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)額定電壓為4V的產(chǎn)品。通過(guò)電介質(zhì)層BaTiO3的微粉化，該MLCC通過(guò)單層厚度減半（0.5μm）實(shí)現(xiàn)了大容量化。村田制作所預(yù)定于2009年內(nèi)啟動(dòng)量
