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中國(guó)（南京）國(guó)際氫能及燃料電池產(chǎn)業(yè)大會(huì)
為貫徹落實(shí)《氫能產(chǎn)業(yè)發(fā)展中長(zhǎng)期規(guī)劃（2021-2035 年）》要求，加快推進(jìn)我國(guó)氫能源及燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作、成果轉(zhuǎn)化和商業(yè)應(yīng)用，促進(jìn)氫能產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展，我國(guó)燃料電池汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入提速關(guān)鍵期，“氫能高速”號(hào)角正式吹響，
2024-01-15
氫能 燃料電池
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低功耗 GaN 在常見交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢(shì)
消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。
2024-01-12
GaN 交流電源 直流電源 拓?fù)?/p>
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了解嵌入式驅(qū)動(dòng)器中的電源模塊
將逆變器從控制柜轉(zhuǎn)移到電機(jī)導(dǎo)致了新的逆變器設(shè)計(jì)要求。其中要求的是熱管理。標(biāo)準(zhǔn)柜式逆變器在相當(dāng)友好的環(huán)境中運(yùn)行，沒有特殊的 IP 保護(hù)要求，與電機(jī)不同，電機(jī)安裝在生產(chǎn)線中靠近正在加工的貨物的位置。相比之下，嵌入式驅(qū)動(dòng)器使用內(nèi)部逆變器，這要求電機(jī)和逆變器都防水、防塵，從而影響系統(tǒng)的熱...
2024-01-09
嵌入式驅(qū)動(dòng)器 電源模塊
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動(dòng)、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動(dòng)IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
MOS 變頻器
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雙運(yùn)放電流源的基本操作
合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。
2023-12-29
雙運(yùn)放 電流源
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關(guān)于電阻溫度系數(shù)、測(cè)量和結(jié)構(gòu)影響 這篇文章說透了
電阻溫度系數(shù)（TCR 或 RTC）是上述缺陷的熱能因素的特征。假設(shè)晶粒結(jié)構(gòu)沒有因極端脈沖/過載事件導(dǎo)致的高溫而改變，則當(dāng)溫度恢復(fù)到參考溫度時(shí)，這種電阻變化帶來(lái)的影響是可逆的。對(duì)于 Power Metal Strip? 和 Power Metal Plate? 產(chǎn)品，這將是一個(gè)導(dǎo)致電阻合金超過 350℃ 的溫度。
2023-12-28
電阻溫度 系數(shù) 測(cè)量 結(jié)構(gòu)
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具有改進(jìn)熱管理功能的板載電源
Traco Power 的 TC 130 系列是一款封閉式板裝式 130 W AC-DC 電源，采用傳導(dǎo)冷卻設(shè)計(jì)，與金屬機(jī)箱或底板配合使用時(shí)可實(shí)現(xiàn)更好的熱管理。在這種傳導(dǎo)冷卻配置中，電源可以在高達(dá) 50 °C 的環(huán)境溫度下提供 100% 的額定功率，而無(wú)需強(qiáng)制風(fēng)冷。功率降額或添加風(fēng)扇冷卻使電源能夠在高達(dá) 85°C 的環(huán)境中運(yùn)行。
2023-12-27
熱管理 板載電源
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設(shè)計(jì)三相PFC請(qǐng)務(wù)必優(yōu)先考慮這幾點(diǎn)！
三相功率因數(shù)校正(PFC)系統(tǒng)（或也稱為有源整流或有源前端系統(tǒng)）正引起極大的關(guān)注，近年來(lái)需求急劇增加。之前我們介紹了三相功率因數(shù)校正系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)。本文為系列文章的第二部分，將主要介紹設(shè)計(jì)三相PFC時(shí)的注意事項(xiàng)。
2023-12-26
三相 PFC
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MOS非理想性對(duì)VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開關(guān)數(shù)百萬(wàn)次。在開關(guān)過程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會(huì)導(dǎo)致柵極氧化物中出現(xiàn)雜質(zhì)，從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
MOS VLSI電路
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