【導讀】在我理想的數(shù)字世界中，也是我經(jīng)常夢想的，就是信號電壓裕量總是正的，信號時序裕量總是正的，電源電壓總是在工作電壓范圍內，芯片的工作環(huán)境是完全良性的。
作者：Graeme Clark，Jackie Chen
不幸的是，我們沒有人生活在這個理想的世界里，無論我多么想?，F(xiàn)實世界是嘈雜的和讓人不愉快的，我們設計中的供電從來都不是完美的。電源電壓可能降至正常工作電壓范圍以下，從而導致系統(tǒng)故障；開關瞬變會產(chǎn)生噪聲并降低信號裕量；阻抗不連續(xù)性會使信號失真，從而降低信號裕量等等。
圖1
更糟糕的是，因為應對靜電放電，雷電浪涌導致的系統(tǒng)中斷或破壞，我們還把來自內部和外部源的噪聲進行了輻射或傳導，同時熱應力、機械應力和組件老化等等都可能導致系統(tǒng)故障。在這個簡短的系列博客中，我想看看其中的一些問題，以及我們可以應用于設計的一些措施，以消除或至少最小化其中一些問題。
在本篇文章中，我想看看一些典型的噪音源。此處表格顯示了電磁兼容性（EMC）的兩種類型。EMC被定義為電子設備在其預期的電磁環(huán)境中正常運行的能力。
EMC包括兩種不同的類型：EMI（電磁干擾）以及EMS（電磁耐受性）。EMI通常被稱為輻射噪聲，是指設備本身在執(zhí)行正常功能的過程中所產(chǎn)生不利于其它系統(tǒng)的電磁噪聲，而EMS被稱為噪聲敏感性，是指設備在執(zhí)行應有功能的過程中不受周圍電磁環(huán)境影響的能力。
在下表中，您可以看到不同類型的EMC及其引起的典型現(xiàn)象。第三列列出了一些可能受到EMI和EMS影響的典型產(chǎn)品，導致操作干擾或系統(tǒng)損壞。此列表只是做了一些簡單舉例，目的是為了顯示一些典型案例。
圖2
25年前，像瑞薩H8系列這樣的產(chǎn)品，采用的是當時相當先進的工藝技術實現(xiàn)，使用1.0μm甚至0.8μm CMOS技術。但今天的產(chǎn)品采用了先進得多的工藝技術，像我們RA微控制器系列中的最新產(chǎn)品采用的是40納米技術，線寬比以前使用的H8小25倍。
隨著最新器件中的晶體管尺寸變小，更重要的是，晶體管開關頻率變快，噪聲成為導致器件故障的一個日益增加的因素。
圖3
在上圖中，您可以看到使用新舊技術的器件之間的簡化比較，上半部分顯示的是溝道長度為1μm的晶體管操作，該器件通常以當時的8 MHz快速時鐘工作，晶體管開關速度較慢，信號寬度遠比噪聲寬度要寬，而下半部分為晶體管溝道長度為40nm的新器件，工作頻率高達200 MHz或更高，這樣在同樣的噪聲條件下，區(qū)分噪聲與有效信號就會變得更困難。同時在這種情況下，你可以看到切換時間要快得多，對于最新的設備，我們試圖處理的信號可能比噪聲信號快。因此，當我們轉向更小的工藝制程時，噪聲將成為一個更大的問題。瑞薩在芯片設計上采取了許多相對應的措施，設計了有助于在這種環(huán)境下工作的功能，比如精心設計的電源電路，優(yōu)化的I/O緩沖器以及專業(yè)的保護電路等。但盡可能地在應用設計中減少這些噪聲仍然非常重要，因為如果噪聲最后進入設備，都是很難消除的。
在本系列的下一篇文章中，我們將更詳細地介紹一些典型的噪聲源。
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