你的位置:首頁(yè) > EMC安規(guī) > 正文
公共阻抗耦合實(shí)例解析
發(fā)布時(shí)間:2019-09-19 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】隨著電子系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備數(shù)量的逐漸增多,噪聲的干擾將越來(lái)越嚴(yán)重,噪聲是無(wú)處不在的,總與信號(hào)共存。公共阻抗耦合是產(chǎn)生噪聲的一個(gè)重要因素,公共阻抗耦合的噪聲對(duì)電路性能有很大的影響,如波形失真、放大器性能不好等都與公共阻抗耦合的噪聲有著密切的關(guān)系。
公共阻抗耦合是指噪聲源回路和受干擾回路之間存在著一個(gè)公共阻抗,噪聲電流通過(guò)這個(gè)公共阻抗所產(chǎn)生的噪聲電壓,傳導(dǎo)給受干擾的回路。通過(guò)公共阻抗耦合的方式所產(chǎn)生的噪聲,稱為公共阻抗耦合的噪聲。在數(shù)字電路中,由于信號(hào)的頻率較高,地線往往呈現(xiàn)較大的阻抗。這時(shí),如果存在不同的電路共用一段地線,就可能出現(xiàn)公共阻抗耦合的問(wèn)題。以下將用具體案例進(jìn)行說(shuō)明。
1.問(wèn)題描述
某產(chǎn)品在測(cè)試RE時(shí)超標(biāo)嚴(yán)重,由于該產(chǎn)品是全金屬屏蔽設(shè)計(jì),因此其發(fā)射路徑很容易鎖定。主要包括輸入電源線、輸出負(fù)載線,RS485通信線。通過(guò)使用耦合夾分別對(duì)三個(gè)路徑的干擾量進(jìn)行測(cè)試,最終確定RS485通信線輻射較大,頻譜測(cè)試結(jié)果如下:
2.原因分析
按照以往的經(jīng)驗(yàn),通信線本身的輻射發(fā)射一般不會(huì)很高,出現(xiàn)最多的一般為耦合、地線串?dāng)_等原因。因此針對(duì)該P(yáng)CB板布局及走線方式進(jìn)行排查分析,如下圖:
在該電路設(shè)計(jì)中RS485通訊口在PCB上只是一個(gè)轉(zhuǎn)接作用,按道理不應(yīng)該引入噪聲。通過(guò)觀察PCB布局可以發(fā)現(xiàn),RS485端口由電阻、氣體放電管、TVS管組成了一個(gè)浪涌、ESD防護(hù)電路,然后通過(guò)固定螺釘孔接PE(機(jī)殼)。同時(shí)發(fā)現(xiàn)接在該點(diǎn)PE的還有另外一路,即上方輔助電源Y電容的PE,因此輔助電源的噪聲可能通過(guò)浪涌防護(hù)電路竄入通信線導(dǎo)致輻射發(fā)射。
3.原理分析
從上圖中可以看清楚基本的連接情況,即輔助電源輸入線的Y電容所連接的PE線與TVS管、氣體放電管的PE相連接后最后才連接到PCB板的接地孔。實(shí)際上兩者存在著一段共地線,這就有發(fā)生共阻抗耦合的可能性。由于PE線走線較長(zhǎng),且在PE線連接中存在過(guò)孔等情況,因此上面的電路可以等效為如下情況:
其中Z1~Z3為PE線、過(guò)孔所產(chǎn)生的阻抗,Z4/Z5為氣體放電管、TVS管的等效阻抗。按照理想狀態(tài),電源的噪聲應(yīng)該沿著I1方向流入PE接地點(diǎn),即I=I1;噪聲電流全部通過(guò)Y電容回流到PE。但是由于Z1~Z3的存在,產(chǎn)生共阻抗耦合,部分噪聲電流沿著I2~I4方向流動(dòng)。而且在高頻狀態(tài)下氣體放電管、TVS管的阻抗也急劇下降,加劇了這種耦合。此時(shí)I2~I4不能忽略,這樣噪聲電流直接耦合到RS485通信線上,由于通信線都比較長(zhǎng),加劇了輻射發(fā)射,因此對(duì)RE的測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生很大的影響。
4.結(jié)果驗(yàn)證
驗(yàn)證方法:通過(guò)在同一塊PCB中將TVS管、氣體放電管去掉,然后使用頻譜分析儀測(cè)試的噪聲如下,干擾包絡(luò)明顯消除。
綜合以上實(shí)際案例,消除公共阻抗耦合的途徑有兩個(gè),一個(gè)是減小公共地線部分的阻抗,這樣公共地線上的電壓也隨之減小,從而控制公共阻抗耦合。另一個(gè)方法是通過(guò)適當(dāng)?shù)慕拥胤绞奖苊馊菀紫嗷ジ蓴_的電路共用地線,一般要避免強(qiáng)電電路和弱電電路共用地線,數(shù)字電路和模擬電路共用地線。如前所述,減小地線阻抗的核心問(wèn)題是減小地線的電感。這包括使用扁平導(dǎo)體做地線,用多條相距較遠(yuǎn)的并聯(lián)導(dǎo)體作接地線。對(duì)于印刷線路板,在雙層板上布地線網(wǎng)格能夠有效地減小地線阻抗,在多層板中專門用一層做地線雖然具有很小的阻抗,但這會(huì)增加線路板的成本。通過(guò)適當(dāng)接地方式避免公共阻抗的接地方法是并聯(lián)單點(diǎn)接地,。并聯(lián)接地的缺點(diǎn)是接地的導(dǎo)線過(guò)多。因此在實(shí)際中,沒(méi)有必要所有電路都并聯(lián)單點(diǎn)接地,對(duì)于相互干擾較少的電路,可以采用串聯(lián)單點(diǎn)接地。例如,可以將電路按照強(qiáng)信號(hào),弱信號(hào),模擬信號(hào),數(shù)字信號(hào)等分類,然后在同類電路內(nèi)部用串聯(lián)單點(diǎn)接地,不同類型的電路采用并聯(lián)單點(diǎn)接地。
本文轉(zhuǎn)載自韜略科技。
推薦閱讀:
磁粉芯在高性能EMI濾波器中的應(yīng)用介紹
特別推薦
- 【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測(cè)器應(yīng)用與測(cè)試
- 集成開(kāi)關(guān)控制器如何提升系統(tǒng)能效?
- 工業(yè)峰會(huì)2024激發(fā)創(chuàng)新,推動(dòng)智能能源技術(shù)發(fā)展
- Melexis推出超低功耗車用非接觸式微功率開(kāi)關(guān)芯片
- Bourns 發(fā)布新款薄型線性濾波器系列 SRF0502 系列
- 三菱電機(jī)開(kāi)始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品
- ROHM開(kāi)發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
技術(shù)文章更多>>
- AMTS & AHTE South China 2024圓滿落幕 持續(xù)發(fā)力探求創(chuàng)新,攜手并進(jìn)再踏新征程!
- 提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 意法半導(dǎo)體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項(xiàng)目落地
- 韌性與創(chuàng)新并存,2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長(zhǎng)
- 上海國(guó)際嵌入式展暨大會(huì)(embedded world China )與多家國(guó)際知名項(xiàng)目達(dá)成合作
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索