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如何管理GHz及更高頻率下的EMI和EMC?

發(fā)布時間:2018-08-14 來源:Ono Hiroshi 責任編輯:wenwei

【導讀】新的功率半導體技術(shù)(如SiC和GaN)可實現(xiàn)更高的效率和開關(guān)頻率,從而實現(xiàn)更小的元器件尺寸。但這些改進是以更大的輻射電磁發(fā)射為代價的,而與此同時,EMC法規(guī)正變得越來越嚴格。工程師如何才能有效地降低輻射EMI?
 
從提高可再生能源的成本平價,到使我們每個人都能擁有一臺經(jīng)濟實惠、始終在線的通信設(shè)備,再到為物聯(lián)網(wǎng)進行供電和連接,高效率的電源轉(zhuǎn)換和普遍存在的無線連接將是深刻影響可持續(xù)性和生活標準的兩個趨勢。
 
另一方面,為確保設(shè)備滿足電磁兼容性(EMC)法規(guī),兩者都存在更嚴峻的挑戰(zhàn)。它們需要在目標環(huán)境中正常運行,同時又不會干擾附近的其他設(shè)備。此外,隨著高速開關(guān)和高頻RF設(shè)備擠占電磁環(huán)境,全球主要市場的EMC法規(guī)正變得越來越嚴格。
 
展望未來,網(wǎng)聯(lián)汽車等創(chuàng)新技術(shù)有望使競爭進一步加劇,為圍繞日常消費級電氣設(shè)備的EMC問題增加一個安全關(guān)鍵性方面。
 
寬帶隙效應
 
在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙半導體技術(shù)正在進行商業(yè)化,以提高傳統(tǒng)硅器件的性能:傳導損耗更低,芯片尺寸可以降低,進而成本可以降低,擊穿電壓更高,溫度性能增加,更快的開關(guān)速度可使用更小的平滑和去耦元件。
 
然而,盡管開關(guān)頻率增加可實現(xiàn)更大的功率密度和更低的能量損耗,但皮秒級的開關(guān)沿會使諧波深入到射頻領(lǐng)域。新功率器件的壓擺率會比傳統(tǒng)硅器件高得多:例如,與標準MOSFET 0-10V的柵極電壓相比,為確保SiC器件的可靠開關(guān),其柵極電壓必須在+15V和-3V之間擺動,此外,如果使用較高的直流母線電壓來提高效率,晶體管兩端的dV/dt也會很高。對于大約1MHz的開關(guān)頻率,相關(guān)諧波的幅度即使對于高達幾百MHz的頻率也會很麻煩。為確保符合EMC標準,這些問題必須得到處理。
 
與此同時,隨著應用和使用趨勢的不斷發(fā)展,越來越多的設(shè)備不可避免地在鄰近區(qū)域內(nèi)共存,EMC法規(guī)正變得越來越嚴格。這些無線設(shè)備將會越來越多,包括移動設(shè)備、平板電腦和物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,它們通過蜂窩、WLAN、PAN、LPWAN或sub-GHz RF、GSM / CDMA、2.4GHz或5GHz Wi-Fi或 2.4GHz的Bluetooth® 5等其他各種頻段實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)連接。
 
最新的歐盟EMC指令2014/30/EU提供了一個很好的例子。修訂后的技術(shù)限制要求降低傳導和輻射發(fā)射,提高抗擾度,以證明合規(guī)性。歐盟的新立法框架更加重視市場監(jiān)督,以便發(fā)現(xiàn)和排除不合規(guī)產(chǎn)品的銷售。
 
EMC指令2014/30/EU中引用了各種技術(shù)規(guī)范,包括鐵路信號設(shè)備用EN 50121-4、電力設(shè)備用50121-5、家用電氣產(chǎn)品和設(shè)備用EN 55014,以及IT設(shè)備和多媒體設(shè)備用EN 55022和55032等新文件。滿足這些技術(shù)規(guī)范是證明合規(guī)性的一個方面,另一個方面則是保持令人滿意的文件。
 
在北美,美國聯(lián)邦通信委員會(FCC)已在其第15部分立法中規(guī)定了EMC要求。對于輕工業(yè)和工業(yè)應用,分別使用國際IEC 61000-6-3和IEC 61000-6-4 EMC標準。
 
應對電源噪聲
 
因此,隨著電源系統(tǒng)設(shè)計推動開關(guān)頻率升高,而使噪聲信號進入ISM無線電頻段或者附近,EMC合規(guī)性變得越來越重要但更難實現(xiàn)。
 
歷史上,包含傳統(tǒng)硅IGBT或MOSFET的開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的典型噪聲頻譜,涵蓋大約10kHz至50MHz的頻率范圍。其中大部分都在CISPR/CENELEC和FCC噪聲標準規(guī)定的傳導發(fā)射范圍(9kHz至30MHz)內(nèi)。
 
傳導噪聲可以以差模噪聲(也稱為正常模式)或共模噪聲的形式存在,并在電源和電源線或信號線之間耦合。差模噪聲是因設(shè)備預期運行而產(chǎn)生,并跟隨信號線或電源線流動,而共模噪聲是在信號線或電源線和非預期傳導路徑(例如機殼部件或大地)之間耦合。
 
傳導噪聲通常通過插入包含電容器和/或電感器的電源線或信號濾波器來處理。通常,電容器面向高阻抗電路——可能是電源或負載——而電感器則用來連接低阻抗電路。如果電源和負載都是高阻抗,則可以使用純電容濾波器,或使用π型濾波器來實現(xiàn)更陡的頻率響應。
 
基美電子(KEMET)具有配置用于衰減正常模式或共模噪聲的內(nèi)聯(lián)EMI/RFI濾波器或扼流圈,以及在單個器件中結(jié)合這兩個任務,從而可節(jié)省空間和BOM成本的雙模式版本。
 
全球標準機構(gòu)已制定無源濾波器規(guī)范,例如基于IEC 60939的歐洲EN 60939規(guī)范,以及適用于美國的UL 1283或MIL-F-15733?;离娮拥臑V波器符合適用標準,可提供各種配置,包括單相或三相、機殼安裝、電路板安裝或饋通濾波器,電流額定值從低于1A至2500A。對于必須符合EN 55015發(fā)射標準而能在歐盟市場上銷售的醫(yī)療設(shè)備或照明設(shè)備等應用,還有一些特殊的濾波器。
 
衰減高頻噪聲
 
北美標準和歐洲標準將頻率高于30MHz的干擾信號歸類為輻射發(fā)射。主要的輻射源包括電纜和設(shè)計不良的PCB走線。工程師應始終采用最佳設(shè)計實踐,包括盡可能縮短這些電纜和走線,并在電路板上將任何傳送信號對的走線緊密地布置在一起。但是,這種方法并不總是能夠解決EMC挑戰(zhàn),我們需要采取額外措施來衰減高頻噪聲信號。
 
從根本上說,處理輻射噪聲的策略是,通過施加磁損耗來將高頻噪聲能量轉(zhuǎn)換為熱量。例如,將電纜穿過鐵氧體磁芯,可以衰減高頻輻射EMI。 由于電纜的自感,導磁鐵芯與共模噪聲電流產(chǎn)生的磁場相互作用,而在高頻下呈現(xiàn)高阻抗。將電纜多次穿過磁芯,可增加任何給定頻率的噪聲衰減。差模電流和低頻信號電流產(chǎn)生的磁通量最小,因此衰減很小。
 
基美電子擁有大量鐵氧體磁芯,采用錳鋅(Mn-Zn)和鎳鋅(Ni-Zn)配方。錳鋅鐵氧體在低頻下具有非常高的磁導率,因而廣泛用于衰減10kHz至約50MHz的噪聲頻率。另一方面,鎳鋅鐵氧體在低頻時不產(chǎn)生高阻抗,因此當大多數(shù)不期望的噪聲高于10-20MHz時最常用。當然,隨著SiC和GaN技術(shù)的到來,電源開關(guān)頻率的增加,人們對這個頻率范圍的興趣也增加。
 
柔性屏蔽解決方案
 
PCB走線等其他高頻噪聲輻射源,必須以不同的方式——通常采用某種形式的屏蔽——來解決。接地金屬屏蔽很有效,但會增加成本和小外殼,而可能無法為屏蔽及其機械固定和接地連接提供足夠的空間。如果在項目后期才發(fā)現(xiàn)噪聲問題,可能沒有時間設(shè)計這樣的元件。
 
由高磁導率磁性材料制成的柔性屏蔽材料(圖1),可提供方便經(jīng)濟的解決方案。這種方法廣為認可,實際上,用于測量其電磁特性的方法,已在IEC 62333中進行了標準化。該標準旨在確保板材制造商清楚地展示其產(chǎn)品的性能,而使最終用戶可在實踐中獲得可比較的結(jié)果。
 
如何管理GHz及更高頻率下的EMI和EMC?
圖1:抑制板材的組成結(jié)合了能量吸收特性和靈活性。
 
基美電子的柔性抑制材料(Flex Suppressor)符合IEC 62333標準,可有效衰減1GHz以上的頻率。設(shè)計人員可以將材料修整到合適的尺寸和形狀,來屏蔽特定的電路功能(例如功率開關(guān)級),來吸收輻射或防止外部干擾。它可以被固定在外殼內(nèi)部,靠近有問題的電路,或者固定在其他位置(例如緊密堆疊的電路板之間),從而防止串擾。該材料也可以纏繞在電纜周圍,以類似于鐵氧體扼流圈的方式工作。
 
其他成熟應用包括ESD保護、無線充電和RFID范圍增強,以及在筆記本電腦和移動設(shè)備等多無線電設(shè)備中,通過防止反射干擾來抵消接收器靈敏度降低。Flex Suppressor有幾種滲透率等級,為設(shè)計人員提供了各種噪聲頻率的有效選擇。它們包括相對磁導率為60的標準等級和值為130的超高磁導率材料。還有值為20的超低磁導率版本,可在Wi-Fi頻率范圍內(nèi)提供極高的噪聲衰減。
 
總結(jié)
 
高頻噪聲源和更嚴格的法規(guī),對設(shè)法在其最新設(shè)計中使用寬帶隙半導體的電源設(shè)計人員構(gòu)成挑戰(zhàn)。鐵氧體磁芯和高磁導率抑制材料正在不斷發(fā)展,以期抵抗頻率高達1GHz甚至更高的輻射噪聲。
 
 
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