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電子產(chǎn)品的電磁兼容性設(shè)計(jì)問(wèn)答(1)

發(fā)布時(shí)間:2014-08-15 責(zé)任編輯:willwoyo

【導(dǎo)讀】本文是電磁兼容專(zhuān)家對(duì)于電磁兼容技術(shù)的經(jīng)典回答。探究了電磁兼容的基礎(chǔ)理論和延伸性發(fā)展,以及很多技術(shù)上的問(wèn)題,非常值得交流與學(xué)習(xí)。

1. 為什么要對(duì)產(chǎn)品做電磁兼容設(shè)計(jì)?
答:滿(mǎn)足產(chǎn)品功能要求、減少調(diào)試時(shí)間,使產(chǎn)品滿(mǎn)足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的要求,使產(chǎn)品不會(huì)對(duì)系統(tǒng)中的其它設(shè)備產(chǎn)生電磁干擾。

2. 對(duì)產(chǎn)品做電磁兼容設(shè)計(jì)可以從哪幾個(gè)方面進(jìn)行?
答:電路設(shè)計(jì)(包括器件選擇)、軟件設(shè)計(jì)、線(xiàn)路板設(shè)計(jì)、屏蔽結(jié)構(gòu)、信號(hào)線(xiàn)/電源線(xiàn)濾波、電路的接地方式設(shè)計(jì)。

3. 在電磁兼容領(lǐng)域,為什么總是用分貝(dB)的單位描述?10mV是多少dB/V?
答:因?yàn)橐枋龅姆群皖l率范圍都很寬,在圖形上用對(duì)數(shù)坐標(biāo)更容易表示,而dB就是用對(duì)數(shù)表示時(shí)的單位,10mV是20dB/V。
4. 為什么頻譜分析儀不能觀(guān)測(cè)靜電放電等瞬態(tài)干擾?
答:因?yàn)轭l譜分析儀是一種窄帶掃頻接收機(jī),它在某一時(shí)刻僅接收某個(gè)頻率范圍內(nèi)的能量。而靜電放電等瞬態(tài)干擾是一種脈沖干擾,其頻譜范圍很寬,但時(shí)間很短,這樣頻譜分析儀在瞬態(tài)干擾發(fā)生時(shí)觀(guān)察到的僅是其總能量的一小部分,不能反映實(shí)際的干擾情況。

5. 在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行電磁干擾問(wèn)題診斷時(shí),往往需要使用近場(chǎng)探頭和頻譜分析儀,怎樣用同軸電纜制作一個(gè)簡(jiǎn)易的近場(chǎng)探頭?
答:將同軸電纜的外層(屏蔽層)剝開(kāi),使芯線(xiàn)暴露出來(lái),將芯線(xiàn)繞成一個(gè)直徑1~2厘米小環(huán)(1~3匝),焊接在外層上。

6.一臺(tái)設(shè)備,原來(lái)的電磁輻射發(fā)射強(qiáng)度是300V/m,加上屏蔽箱后,輻射發(fā)射降為3V/m,這個(gè)機(jī)箱的屏蔽效能是多少dB?
答:這個(gè)機(jī)箱的屏蔽效能應(yīng)為40dB。

7. 設(shè)計(jì)屏蔽機(jī)箱時(shí),根據(jù)哪些因素選擇屏蔽材料?
答:從電磁屏蔽的角度考慮,主要要考慮所屏蔽的電場(chǎng)波的種類(lèi)。對(duì)于電場(chǎng)波、平面波或頻率較高的磁場(chǎng)波,一般金屬都可以滿(mǎn)足要求,對(duì)于低頻磁場(chǎng)波,要使用導(dǎo)磁率較高的材料。

8. 機(jī)箱的屏蔽效能除了受屏蔽材料的影響以外,還受什么因素的影響?
答:受兩個(gè)因素的影響,一是機(jī)箱上的導(dǎo)電不連續(xù)點(diǎn),例如孔洞、縫隙等;另一個(gè)是穿過(guò)屏蔽箱的導(dǎo)線(xiàn),如信號(hào)電纜、電源線(xiàn)等。

9. 屏蔽磁場(chǎng)輻射源時(shí)要注意什么問(wèn)題?
答:由于磁場(chǎng)波的波阻抗很低,因此反射損耗很小,而主要靠吸收損耗達(dá)到屏蔽的目的。因此要選擇導(dǎo)磁率較高的屏蔽材料。另外,在做結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí),要使屏蔽層盡量遠(yuǎn)離輻射源(以增加反射損耗),盡量避免孔洞、縫隙等靠近輻射源。

10. 在設(shè)計(jì)屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí),有一個(gè)原則是:盡量使機(jī)箱內(nèi)的電纜遠(yuǎn)離縫隙和孔洞,為什么?
答:由于電纜近旁總是存在磁場(chǎng),而磁場(chǎng)很容易從孔洞泄漏(與磁場(chǎng)的頻率無(wú)關(guān))。因此,當(dāng)電纜距離縫隙和孔洞很近時(shí),就會(huì)發(fā)生磁場(chǎng)泄漏,降低總體屏蔽效能。

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