問題如下：關(guān)于IGBT對EMC影響的兩個問題，如圖所示IGBT在關(guān)斷的瞬間，Vce電壓上升所形成的du/dt對IGBT與散熱器之間的寄生電容充放電，根據(jù)公式I=C*du/dt所形成的共模噪聲電流從散熱器導(dǎo)入地然后回流至電源端LISN上的50Ω電阻，接收機取50歐姆兩端壓降測試傳導(dǎo)騷擾電壓，然后回流至電源線經(jīng)整流器，然后過母線回流至干擾源IGBT。
問題一：根據(jù)上述變頻器共模噪聲電流回流路徑，如果IGBT在導(dǎo)通瞬間，Vce電壓為下降沿為-du/dt，那么此時的共模噪聲電流環(huán)路方向是否和上述相反，那么在此瞬間接收機測得的傳導(dǎo)騷擾電壓與正向環(huán)流有何不同。
問題二：在IGBT導(dǎo)通瞬間，集電極電流Ic為上升沿，那么di/dt，如何形成接收機測得的傳導(dǎo)騷擾電壓呢？還想了解一下是不是di/dt直接轉(zhuǎn)化為以其上升時間決定頻帶寬度的騷擾電流，還有就是這個騷擾電流的幅值大小由什么決定？
圖示是理論示意圖，針對于逆變器IGBT開通時的集電極電流只能通過雙脈沖來測，是會存在尖峰之后的震蕩，不確定是電路特性本身造成的震蕩還是電流探頭引起的震蕩。但I(xiàn)GBT關(guān)斷時由于外圍電路的分布參數(shù)引起Vce電壓上升沿存在尖峰和震蕩是確定的。
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網(wǎng)友一：CE測試是以頻率為橫坐標(biāo)，所以這個問題要到頻域來考慮。不管是上升沿還是下降沿，如果相同斜率，轉(zhuǎn)換到頻域后相同頻點的幅值是一樣的。傳導(dǎo)測量讀取的50ohm上面的電壓，這由流經(jīng)50ohm上的電流決定，同樣基于單個頻點分析，集電極i的變化曲線取傅立葉變換到頻域，每個頻點有對應(yīng)的電流，i變化，頻域電流變化，流經(jīng)50ohm上的電流變化，讀取的電壓就會變化。
di/dt反應(yīng)的是電流的變化速率，在時域波形上表現(xiàn)就是斜率，對于時域上i的曲線，如果轉(zhuǎn)化為頻域，di/dt越大，則在頻域上高頻分量越大。在這里集電極電流就是騷擾電流，當(dāng)集電極電流產(chǎn)生變化時，也就會有di/dt, 這時會有高頻分量通過寄生電容到散熱片。騷擾電流的幅值大小與di/dt有關(guān)，假設(shè)i在頻點f0的分量幅值大小為A0，在頻點f0，騷擾電流流經(jīng)散熱片路徑的電流與電路中的阻抗和散熱片路徑的阻抗有關(guān)，就是電路中的分流，哪個路徑阻抗低，A0就會更多分配到那個路徑。
IGBT外圍電路本身的寄生電感和電容造成的震蕩現(xiàn)象，所以實測的電流信號為理想電流信號和尖峰震蕩信號的疊加，這個尖峰震蕩信號是主要的騷擾源，從信號系統(tǒng)角度來看，這個信號滿足穩(wěn)定條件。
網(wǎng)友二：問題一：根據(jù)上述變頻器共模噪聲電流回流路徑，如果IGBT在導(dǎo)通瞬間，Vce電壓為下降沿為-du/dt，那么此時的共模噪聲電流環(huán)路方向是否和上述相反，那么在此瞬間接收機測得的傳導(dǎo)騷擾電壓與正向環(huán)流有何不同。----在瞬態(tài)時應(yīng)該是反向的，但是接收機測量的是絕對值，所以無所謂正負(fù)和方向。一般騷擾信號都是高頻信號，不會去分析電壓和電流方向，只分析路徑。
問題二：在IGBT導(dǎo)通瞬間，集電極電流Ic為上升沿，那么di/dt，如何形成接收機測得的傳導(dǎo)騷擾電壓呢？-----最簡單的來說是di/dt的諧波分量在BUS上形成高頻紋波，這個紋波就是差模騷擾。這個紋波電壓耦合到LISN，被接收機測量。
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