一:原理圖設(shè)計:
1、時鐘芯片的電源與其它電源用磁珠隔開,磁珠后加去耦電容,去耦電容由22uF的鉭電容和0.1uF、0.01uF、0.001uF的瓷片電容組成,這些電容可分別針對不同頻率的噪聲進行濾波。
通常,22uF適用于10MHz以下的噪聲,0.1uF適用于5MHz~66MHz,0.01uF適用于40MHz~80MHz,0.001uF則適用于更高頻率的噪聲。
示意圖如下,可根據(jù)實際使用情況對電容進行調(diào)整。
圖1 時鐘芯片的去耦電容
2、在時鐘信號線上,通常需進行源端阻抗匹配,如33R的匹配電阻;同時,在匹配電阻之后,對于頻率高于66MHz的時鐘,加一個3~5pF的電容,對于頻率低于66MHz的時鐘,可加一個10~15pF的電容,形成RC濾波器,抑制500M以上的高頻輻射。其中,加大R和C可減小EMI輻射,但時鐘波形也會變差。
圖2 時鐘線的處理
二:PCB設(shè)計:
1、時鐘芯片的電源去耦電容應盡量靠近芯片的電源管腳放置。
2、盡量控制時鐘線的過孔數(shù),通常不要超過2個。
3、如果時鐘線有過孔,可在過孔的相鄰位置,加一個旁路電容,以確保時鐘線換層后,參考層(相鄰層)的電流回路連續(xù)。如下圖:
圖3 過孔處的旁路電容
4、所有時鐘線原則上不允許跨島。當時鐘頻率較高時,若實在做不到不跨島,可在兩個跨島之間靠近時鐘線的地方放置一個0.1uF的電容,以形成鏡像通路。
5、時鐘線要遠離其它信號線,最好進行包地處理。
6、時鐘的上下拉電阻盡量靠近時鐘芯片放置。
7、進行繞線時,進去的線和出來的線應盡量遠。