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怎樣正確選擇同步降壓 MOSFET 電阻比？
反激式轉(zhuǎn)換器在連續(xù)導通模式 (CCM) 和非連續(xù)導通模式 (DCM)下都可以工作。但對許多低功耗和低電流應用而言，DCM反激式轉(zhuǎn)換器更加緊湊而且成本更低。本文將詳細介紹此類轉(zhuǎn)換器的設計步驟
2021-11-19
同步降壓 MOSFET 電阻比
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如何選擇電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET？
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。
2021-11-19
電源系統(tǒng) 開關(guān)控制器 MOSFET
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如何在48V系統(tǒng)中輕松應用GaN FET？
GaN FET可以應用在48V電源系統(tǒng)中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合適控制器，工程師們常利用DSP數(shù)字解決方案來實現(xiàn)其高頻和高效率設計。然而，DSP解決方案因為需要額外的IC而增加了復雜性和難度。本文介紹了一種兼容GaN FET的模擬控制器，它只需很少的器件，就可以讓設計人員像使用硅FET一樣簡單地設...
2021-11-17
48V系統(tǒng) GaN FET
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保護器件過電應力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
半導體元器件在整機應用端的失效主要為各種過應力導致的失效，器件的過應力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應力，當半導體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應力時，元器件發(fā)生失效。應力的種類繁多，如表1，其中過電應力導致的失效相對其它應力更為常見。
2021-11-16
保護器件 過電應力失效
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USB Type-C接口EMC設計及過壓防護方案
依托巨大的市場發(fā)展，智能手機在原有的通訊功能基礎上，正體現(xiàn)出其強大的功能擴展性。同時其高功耗也對智能手機的續(xù)航能力提出越來越高的要求。2014 年，Type-C 伴隨著最新的USB3.1 標準橫空出世，這類全新的接口形式，憑借其便捷的正反面拔插，大功率的供電，快速的傳輸速率等功能得到廣泛認可。但...
2021-11-15
USB Type-C EMC 過壓防護
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能否讓低壓放大器自舉來獲得高壓緩沖器？
當然是可以的！您可以采用具有出色輸入特性的運算放大器，并進一步提高其性能，使其電壓范圍、增益精度、壓擺率和失真性能均優(yōu)于原來的運算放大器。
2021-11-10
低壓放大器 高壓緩沖器
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環(huán)路供電變送器設計的三種解決方案
環(huán)路供電變送器已經(jīng)從純粹的模擬信號調(diào)理器發(fā)展為高度靈活的智能變送器，但所選擇的設計方法仍取決于系統(tǒng)的性能、功能和成本要求。
2021-11-10
環(huán)路供電變送器
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特基二極管和整流二極管的區(qū)別
整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕呀涣麟娮兂擅}動直流電。整流二極管漏電流較大，多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個外，還有整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的電流值。它是整流二極管的主要參數(shù)，是選項用...
2021-11-10
特基二極管 整流二極管
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如何為UHF局部放電在線監(jiān)測系統(tǒng)設計一個最好的前端？
發(fā)生局部放電時，會產(chǎn)生具有較寬頻率范圍的信號，因此有4種針對不同頻率范圍的局部放電檢測技術(shù)。超聲波檢測技術(shù)針對20 kHz至~200 kHz頻率范圍，高頻電流互感器(HFCT)檢測技術(shù)針對3 MHz至~30 MHz頻率范圍，瞬態(tài)接地電壓(TEV)檢測技術(shù)針對3 MHz至~100 MHz頻率范圍，超高頻率(UHF)檢測技術(shù)針對300 MHz...
2021-11-09
UHF局部放電 在線監(jiān)測系統(tǒng)
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