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對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

發(fā)布時間:2024-01-18 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】TXB0104是應(yīng)用在AM3352(Sitara MCU/MPU等)和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉(zhuǎn)換芯片。當(dāng)系統(tǒng)的軟件資源配置不足,需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識別信號傳輸方向的時候,需要注意外部硬件設(shè)計,不然可能會出現(xiàn)掛載時好時壞的失效情況。


Abstract


TXB0104是應(yīng)用在AM3352(Sitara MCU/MPU等)和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉(zhuǎn)換芯片。當(dāng)系統(tǒng)的軟件資源配置不足,需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識別信號傳輸方向的時候,需要注意外部硬件設(shè)計,不然可能會出現(xiàn)掛載時好時壞的失效情況。


問題背景:

EMMC與AM3352掛載失敗,定位為TXB0104工作異常。實測中發(fā)現(xiàn)如圖中線路所示:


只有D0通道無信號,因為將D0數(shù)據(jù)線由主芯片(AM3352)側(cè)飛線到EMMC,D0開始傳輸數(shù)據(jù)信號,eMMC掛載正常(該情況下在AM3352側(cè)也能測到D1/2/3的數(shù)據(jù)波形);

將D0飛線跨過該轉(zhuǎn)換芯片,同時斷開D2(在轉(zhuǎn)換芯片與eMMC之間),掛載失??;——綜合1、2,說明D2在掛載的時候需要使用到,同時在雙向電平轉(zhuǎn)換芯片中D2通道正常;

將D0和D2數(shù)據(jù)線在U7中對應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換通道中交叉焊接,測試D0無信號(D0無信號的時候D1/2/3也無波形),eMMC掛載失敗;

將D0飛線跨過該轉(zhuǎn)換芯片,同時將D2數(shù)據(jù)線連接U7的D0通道,可以正常掛載上;——雙向電平轉(zhuǎn)換芯片中D0通道正常,但連接上D0數(shù)據(jù)后異常;


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖1.異常板子的電路圖


掛載時好時壞的板子分別在正常時、異常時的D0信號波形如下


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖2.正常(上)和異常(下)掛載的板子傳輸信號D0通道波形


 

問題聚焦:

檢查線路圖后發(fā)現(xiàn), OE上拉到3.3VCCB。規(guī)格書明確指出,針對在上電過程中,OE在電源穩(wěn)定之前必須保持低電平。


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖3.規(guī)格書中聲明OE的上電時序


現(xiàn)同時通過原始電阻分壓采樣VCCB上電時序和OE的管腳波形,發(fā)現(xiàn)OE與VCCB同時上電。


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖4. 原始電阻分壓時序展開:OE與VCCB同時上電


VOLB識別低電平的狀態(tài)在3.3V供電狀態(tài)最高為0.4V,因此要延長VOE保持低電平的時間,讓IC保證識別到低電平狀態(tài)。


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖5.高低電平閾值比較


整改方案:


為了能保證OE在上電期間保持足夠的低電平,建議將R24電阻替換成1uF的電容。利用電容替代電阻的方法可以適當(dāng)增加RC時間常數(shù)來穩(wěn)定OE保持低電平的時間。


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖6.原始電路基礎(chǔ)上的整改方案


重新通過原始電阻分壓采樣VCCB上電時序和OE的管腳波形,發(fā)現(xiàn)換成1uF電容電壓時序展開(t=1/RC),在VCCB穩(wěn)定后OE保持低電平(<0.35VCCB)的時間約為320us,掛載異常不再復(fù)現(xiàn)。


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖7.enable建議時間


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖8.VCC與OE爬升時間拉長


分析總結(jié):


經(jīng)過測試分析,延長OE的低電平時間可以有效地避免MCU和EMMC芯片握手失敗。

這種導(dǎo)致芯片傳輸掛機(jī)失敗的原因是由于TXB0104在上電期間的傳輸口是不定態(tài)所致。


如果TXB0104的OE腳沒被拉低,則在上電期間傳輸口A,B會處于不定態(tài)(低電平,高電平或高阻態(tài)),此時要求和傳輸口A,B相連的EMMC和MCU相應(yīng)I/O口此刻應(yīng)保持確定的高阻態(tài),以確保上電期間EMMC和MCU的I/O口不會被短路。 如果TXB0104的OE腳在上電期間被拉低(將對地電阻換成電容),則傳輸口A,B是處于確定的高阻態(tài),對相連的EMMC和MCU的I/O沒有影響,信號就能正常傳輸。


所以在OE端口掛電容能保證上電期間傳輸口確定的高阻態(tài),故障因此得以消除。


為了簡化用戶系統(tǒng)的設(shè)計分析,下面通過一個流程圖來梳理TXB0104的I/O口各個狀態(tài)對應(yīng)系統(tǒng)的應(yīng)用可能,避免類似的不定態(tài)傳輸導(dǎo)致信號判斷失誤。


對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

圖9.I/O端口狀態(tài)流程圖

(作者:Sales and Marketing/Shenzhen China——Zoe Yang )


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