【導(dǎo)讀】理想電容C的阻抗是隨頻率的增加而逐漸減小的一條斜線，實(shí)際上由于電容中等效寄生電阻（ESR）和等效寄生電感（ESL）的攪局，問(wèn)題開(kāi)始變得復(fù)雜。不同的電容自諧振頻點(diǎn)不同，諧振點(diǎn)阻抗各異，濾波頻段也有區(qū)別……
聊電容，不能只聊電容，還要聊電阻和電感。
看似很簡(jiǎn)單，其實(shí)，一點(diǎn)都不難。
因?yàn)槿ヱ铍娙莸哪Ｐ突径伎梢杂孟旅嫒N元素的簡(jiǎn)單組合來(lái)表示。
理想電容C的阻抗是隨頻率的增加而逐漸減小的一條斜線，實(shí)際上由于電容中等效寄生電阻（ESR）和等效寄生電感（ESL）的攪局，問(wèn)題開(kāi)始變得復(fù)雜。不同的電容自諧振頻點(diǎn)不同，諧振點(diǎn)阻抗各異，濾波頻段也有區(qū)別……
看似很復(fù)雜，其實(shí)，很簡(jiǎn)單。
電容搞搞“振”，第一“振”來(lái)自同一電容ESR\ESL\C的串聯(lián)諧振（也叫做自諧振）。
先來(lái)看看電容模型的各參數(shù)是如何影響阻抗曲線的。對(duì)于電容容值C，不難發(fā)現(xiàn)，相同ESR和ESL的情況下，隨著容值的增加，自諧振頻點(diǎn)向低頻移動(dòng)，同時(shí)，濾波頻段也會(huì)加寬。
接下來(lái)再看哈ESL的影響。在保持其它參數(shù)不變的情況下，隨著ESL的增加，自諧振頻點(diǎn)向低頻移動(dòng)，同時(shí)，濾波頻段也會(huì)隨著變小。
需要注意的是，ESR的情況會(huì)復(fù)雜一些，因?yàn)樗且粋€(gè)頻變的參數(shù)。
ESR隨頻率變化的趨勢(shì)與該電容的阻抗變化一致。
不過(guò)，為了簡(jiǎn)化問(wèn)題，我們這里先把ESR作為一個(gè)常數(shù)，它的變化對(duì)阻抗曲線的影響如下圖：
對(duì)比上面幾個(gè)圖，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)有趣的現(xiàn)象，那就是電容自諧振頻點(diǎn)的ESR基本決定了阻抗的最小值。
以上只是單一容值電容的阻抗曲線。了解PDN阻抗曲線的童鞋會(huì)發(fā)現(xiàn)常見(jiàn)情況并非如此，而是像人生一樣總是起起伏伏。
其實(shí)，這是容值不同的電容并聯(lián)諧振的結(jié)果，也是本文要說(shuō)的第二“振”。
分析起來(lái)也很簡(jiǎn)單，當(dāng)一個(gè)電容的感性區(qū)遇上另一個(gè)電容的容性區(qū)，諧振峰就出現(xiàn)了。
綜合考慮VRM和芯片內(nèi)去耦，如果說(shuō)第一“振”決定了阻抗曲線的波谷，第二“振”通常確定了阻抗曲線的波峰。
電容種類(lèi)這么多，原理圖設(shè)計(jì)或者備料出錯(cuò)的機(jī)會(huì)大大增加，作為一名設(shè)計(jì)攻城獅，希望板子簡(jiǎn)單點(diǎn)，精簡(jiǎn)一些電容，這個(gè)要求并不過(guò)分吧？
說(shuō)干就干，在前文三種電容并聯(lián)的基礎(chǔ)上，去掉100nF的電容，看看會(huì)怎樣。
這么看，除了在100nF的去耦頻段出現(xiàn)一個(gè)諧振峰，好像也沒(méi)什么問(wèn)題，畢竟，這個(gè)峰值也沒(méi)那么高。我們繼續(xù)把VRM和芯片內(nèi)去耦模型加上，看全鏈路的情況。
See？高速先生一直強(qiáng)調(diào)的調(diào)整電容要合理真不是嚇唬你。
當(dāng)然，這個(gè)例子只是為了凸顯電容影響而挑選的極端情況。
電容不是老虎屁股，一點(diǎn)摸不得，具體種類(lèi)和數(shù)量可以通過(guò)仿真進(jìn)行優(yōu)化，是增是減，It depends！
（本文轉(zhuǎn)載自：高速先生微信公眾號(hào).，作者 | 姜杰）
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