【導(dǎo)讀】在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開關(guān)類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動器 IC 可在單個 IC 中為 HS 開關(guān)管以及 LS 開關(guān)管提供輸出。
摘要
在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開關(guān)類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動器 IC 可在單個 IC 中為 HS 開關(guān)管以及 LS 開關(guān)管提供輸出。
相比之下，某些應(yīng)用通過使用單輸出柵極驅(qū)動器（例如 UCC2753x 或隔離式 UCC53xx 系列），而不是將 HS 和LS 組合為一個半橋驅(qū)動器，也能實現(xiàn)巨大優(yōu)勢。單輸出驅(qū)動器的位置可以更靠近電源開關(guān)，帶來更大的布局靈活性和更少的寄生效應(yīng)，從而實現(xiàn)出色的開關(guān)性能。
1 引言
HS 開關(guān)管請參閱圖 1-1 中的 Q1 和 Q2。這些開關(guān)具有浮動的源極連接，并且此基準上的電壓在開關(guān)周期內(nèi)會發(fā)生變化。Q3 和 Q4 被視為 LS 開關(guān)管，因為它們的源極基準連接到輸入地，并且在開關(guān)周期內(nèi)不會改變電壓。當Q1 和 Q3 同時導(dǎo)通或者 Q2 和 Q4 同時導(dǎo)通時，將為 Vout 供電。對于節(jié) 2 中的電路示例，我們將僅關(guān)注使用 Q1和 Q3 的橋部分。
圖 1-1. 具有高側(cè)和低側(cè)初級 MOSFET 的全橋功率級
要在高功率應(yīng)用中正確打開這些開關(guān)，通常需要柵極驅(qū)動 IC。要正確驅(qū)動 LS 開關(guān)管，通常非常簡單，因為柵極驅(qū)動器的輸出可以直接連接到開關(guān)的柵極，并且驅(qū)動器 IC 的 GND 連接到開關(guān)的源極。但是，要驅(qū)動 HS 開關(guān)管，還必須注意以下事項：
1. 對于柵極驅(qū)動器輸出信號本身，需要電平轉(zhuǎn)換器或隔離式信號收發(fā)器（例如數(shù)字隔離器），以確保柵極保持高于源極的適當電壓，從而正確打開 HS 開關(guān)管。隨著 Q1 的源極（柵極驅(qū)動器的 GND）在 Q1 導(dǎo)通期間上升，驅(qū)動器需要其基準電壓密切跟隨 Q1 源極并保持信號電壓和基準電壓之間的差異。此外，該驅(qū)動器的GND 需要與控制器地隔離，因為 Q1 源極在 0V 和 400V 等較高電壓之間移動。
2. HS 柵極驅(qū)動器還需要某種輔助電源，該電源可以浮動，并在源極升至輸入電壓時保持適當?shù)膶?dǎo)通偏置。否則，當 Q1 源極電壓升高時，柵極驅(qū)動器將關(guān)斷。這通常通過以下方式來實現(xiàn)：使用自舉電路、隔離式輔助電源，或使用柵極驅(qū)動變壓器將柵極驅(qū)動器與開關(guān)節(jié)點基準隔離。
2 高側(cè)驅(qū)動方法
2.1 柵極驅(qū)動變壓器解決方案
圖 2-1. 高側(cè)柵極驅(qū)動變壓器
信號隔離
在圖 2-1 中，U1 的輸出信號通過使用 T1 進行隔離。變壓器允許到 Q1 的柵極信號具有浮動基準，該基準可以隨開關(guān)節(jié)點電壓的變化而變化。添加了 C4 和 C6 等直流阻斷電容器以及整流器 D1 和 D2，以添加 C6 的失調(diào)電壓，從而防止變壓器中失衡。Q0 和 R0 用于關(guān)閉電源開關(guān)。
高側(cè)偏置
在圖 2-1 中，不需要隔離式電源或自舉電源。在該配置中，柵極驅(qū)動器以與控制器和 Vbias1 相同的地為基準。因此，偏置電壓可由 Vbias1 直接提供。
2.2 具有電容式信號隔離的自舉輔助電源解決方案
信號隔離
圖 2-2. 使用基于電容器的信號隔離的高側(cè)自舉電路
在圖 2-2 中，U1 的輸入使用 U3 進行隔離。U3 是電容式信號隔離器 ISO77xx。即使具有較大的共模接地壓擺率，電容式隔離器也可正確地發(fā)出信號。與光耦合器相比，它們在使用壽命和溫度范圍內(nèi)更穩(wěn)定，并且沒有柵極驅(qū)動變壓器的占空比限制。
高側(cè)偏置
在圖 2-2 中，當 Q1 打開時，Dboot 和 Cboot 用作正確偏置 U1 的自舉電路。當 Q1 關(guān)閉時，Dboot 正向偏置，并且在 Cboot 充電時，U1 直接由 Vbias1 供電。當 Q1 導(dǎo)通時，開關(guān)節(jié)點電壓會增加到 HVDC，Dboot 被反向偏置并保護Vbias1，并且當 Cboot 將其電荷清空到 U1 的 VDD 引腳時，U1 被供電。Cboot 產(chǎn)生的這種電荷必須足以在 Q1 整個導(dǎo)通期間使 Q1 保持開啟。Dboot 和 Cboot 的大小超出了本文的討論范圍。在 UCC27712 數(shù)據(jù)表中，請參閱 來選擇 Cboot，并參閱 來選擇 Dboot。
2.3 具有隔離式高側(cè)柵極驅(qū)動器的隔離式輔助電源解決方案
圖 2-3. 高側(cè)隔離式驅(qū)動器和輔助電源
信號隔離
在圖 2-3 中，對高側(cè)使用隔離式柵極驅(qū)動器隔離輸入信號，對低側(cè)使用 ISO77xx。
高側(cè)偏置
在圖 2-3 中，U1（隔離式柵極驅(qū)動器 UCC53xx）用作高側(cè)驅(qū)動器，并使用電源側(cè)的隔離式輔助電源和信號側(cè)的VCC 供電。電源 Vbias1 以非隔離式 UCC27531 的 GND 引腳或電源地為基準，也為高側(cè)提供浮動偏置。這與UCC27531EVM-184 或 UCC5390SCDEVM-010 中的配置類似，其中使用了非穩(wěn)壓隔離式電源（例如SN650x）。
2.4 采用隔離式高/低側(cè)柵極驅(qū)動器的自舉輔助電源解決方案
圖 2-4. 采用高側(cè)自舉電路的隔離式驅(qū)動器
信號隔離
在圖 2-4 中，U1 的輸入信號通過隔離式柵極驅(qū)動器 UCC53xx 進行隔離。這樣，即使信號參考（開關(guān)節(jié)點）在整個開關(guān)周期內(nèi)改變電壓，信號也能正常工作。它還將控制器地與開關(guān)節(jié)點和電源地隔離。
高側(cè)偏置
在圖 2-4 中，Dboot 和 Cboot 用作正確偏置 U1 的自舉電路。在 UCC27712 數(shù)據(jù)表中，請參閱 來選擇 Cboot，并參閱 來選擇 Dboot。
2.5 柵極驅(qū)動變壓器解決方案
圖 2-5. 使用隔離式輔助電源的隔離式驅(qū)動器
信號隔離
在圖 2-5 中，U1 的輸入信號通過隔離式柵極驅(qū)動器 UCC53xx 進行隔離。隔離式輔助電源（變壓器）允許到 Q1的柵極信號具有浮動基準，該基準可以隨開關(guān)節(jié)點電壓的變化而變化。
高側(cè)偏置
在圖 2-5 中，不需要信號隔離，因為柵極驅(qū)動器在內(nèi)部提供信號隔離。在該配置中，由于隔離式輔助電源，不需要自舉電源。Vbias1 以電源地為基準，為高側(cè)提供浮動偏置。
3 結(jié)論
在信號路徑和適當偏置方面，驅(qū)動 LS 開關(guān)管的柵極相當簡單。但是，在橋配置中驅(qū)動 HS MOSFET 等源極浮動的開關(guān)管會在 HS 柵極驅(qū)動器的信號路徑和偏置兩方面帶來一些挑戰(zhàn)。本文提供了大量電路示例，展示了使用單輸出柵極驅(qū)動器實現(xiàn) HS 柵極驅(qū)動的不同方法。
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