【導(dǎo)讀】關(guān)于IGBT／MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器，相信做電機(jī)驅(qū)動(dòng)或者大功率設(shè)備驅(qū)動(dòng)的工程師都會(huì)有所了解，所謂預(yù)驅(qū)動(dòng)器，其實(shí)就是將微控制器與IGBT／MOSFET隔離開(kāi)來(lái)，為負(fù)載及驅(qū)動(dòng)器提供保護(hù)，并為微控制器（MCU）提供診斷信息。這種預(yù)驅(qū)動(dòng)器一般會(huì)使用運(yùn)放，MOS或者三極管等搭建，在實(shí)現(xiàn)保護(hù)驅(qū)動(dòng)器和微控制器的前提之下，還實(shí)現(xiàn)了將MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）與基準(zhǔn)電壓做比較，實(shí)現(xiàn)狀態(tài)診斷；那么大家知道光耦其實(shí)還可以做IGBT／MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器么？東芝針對(duì)IGBT／MOSFET產(chǎn)品以及光耦應(yīng)用技術(shù)深耕多年，這款針對(duì)中高電流IGBT／MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器——TLP5231，就是東芝半導(dǎo)體系列產(chǎn)品線(xiàn)的補(bǔ)充和完善。
一、電氣特性分析
TLP5231由兩個(gè)紅外發(fā)光二極管（LED）和兩個(gè)高增益高速光接收IC芯片組成，從而實(shí)現(xiàn)故障信號(hào)的反饋功能，采用SO16L封裝，輸出峰值電流高達(dá)±2.5A。
TLP5231能夠使用外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器，僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時(shí)消耗電流，有助于降低功耗。
TLP5231可提供±25kV/μs的有效的共模瞬變抑制，從而改善電路中的EMI，同時(shí)具有5kv的隔離電壓，-40℃至110℃寬范圍工作溫度，抗干擾能力優(yōu)異，能夠應(yīng)對(duì)不同工作場(chǎng)景；
具體參數(shù)如下：
（除非另有說(shuō)明，Ta＝-40℃至110℃）
二、功能特性分析
1. 簡(jiǎn)化死區(qū)時(shí)間設(shè)計(jì)
TLP5231內(nèi)置有源時(shí)序控制的雙輸出，這種雙輸出消除了死區(qū)時(shí)間設(shè)計(jì)的需要，并防止因同時(shí)導(dǎo)通而產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。適用于驅(qū)動(dòng)P溝道和N溝道互補(bǔ)MOSFET緩沖器。
2. 提高軟關(guān)斷設(shè)計(jì)靈活性
當(dāng)檢測(cè)到過(guò)流時(shí)，由于這個(gè)軟關(guān)斷MOSFET與MOSFET Q2緩沖器使用的不是同一導(dǎo)線(xiàn)（線(xiàn)路），通過(guò)使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)可配置柵極軟關(guān)斷時(shí)間，從而提高設(shè)計(jì)靈活性，不影響正常關(guān)斷操作。
3. 故障信號(hào)自動(dòng)復(fù)位
當(dāng)監(jiān)控集電極電壓檢測(cè)到過(guò)流時(shí)或欠壓鎖定時(shí)，故障信號(hào)會(huì)輸出到一次側(cè)。因此與傳統(tǒng)的IGBT／MOSFET相比，它更支持作為預(yù)驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)。
三、應(yīng)用場(chǎng)景
TLP5231光耦主要針對(duì)中高電流IGBT和MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路，主要應(yīng)用場(chǎng)景可以是工業(yè)設(shè)備（工業(yè)逆變器和光伏逆變器功率調(diào)節(jié)器等）或者是不間斷電源（UPS）等。
東芝在IGBT和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器上十年磨一劍，在預(yù)驅(qū)動(dòng)器小型化和電路簡(jiǎn)化方面做足了功課，通過(guò)其對(duì)經(jīng)驗(yàn)的不斷積累，對(duì)客戶(hù)需求的歸納總結(jié)，相信在未來(lái)使用預(yù)驅(qū)動(dòng)器的產(chǎn)品方面，東芝預(yù)驅(qū)動(dòng)器的產(chǎn)品選型和參考都會(huì)極具價(jià)值。
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