【導讀】領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領(lǐng)先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，很高興地宣布，其領(lǐng)先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。這些獎項授予極少數(shù)幫助工程師創(chuàng)造勝選設(shè)計的電子電力產(chǎn)品，和表彰那些幫助實現(xiàn)這些設(shè)計的人，盡管2021年是極具挑戰(zhàn)性的(又一)年。
安森美的NCP1680獲該獎項，是因其采用一個混合信號控制器獨一無二地實現(xiàn)了無橋圖騰柱PFC，為設(shè)計人員提供了一個很好的工具，可提高高性能電源的能效，降低成本和設(shè)計復雜性。該控制器非常適用于超高密度離線電源，在通用電源（90-265 Vac）下工作的功率水平高達350 W。
無橋圖騰柱PFC拓撲省去了傳統(tǒng)PFC電路輸入端的二極管橋，在240 W電源的傳統(tǒng)PFC電路中中使用該二極管橋會產(chǎn)生約4 W損耗(約占總損耗的20%)，因而顯著提高功率級能效。NCP1680為以脈寬調(diào)制(PWM)開關(guān)頻率驅(qū)動的快速開關(guān)支路和以交流電頻率工作的支路提供控制信號。該控制器幾乎可用于任何開關(guān)器件，從傳統(tǒng)的超級結(jié)硅MOSFET到基于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)晶體管的寬禁帶器件。
NCP1680采用新穎的限流結(jié)構(gòu)和線路相位檢測機制，簡化了無橋圖騰柱PFC的設(shè)計。其控制回路支持帶有谷底開關(guān)的恒定導通時間的CrM架構(gòu)。為滿足當今全球輕載運行能效標準，它在頻率反走運行期間以谷底同步導通的非連續(xù)導通模式(DCM)工作。
采用NCP1680，在外部只需要一些簡單的元器件就可實現(xiàn)全功能的圖騰柱PFC，從而節(jié)省了空間和元器件成本。進一步減少元器件數(shù)量，無需采用霍爾效應(yīng)傳感器即可實現(xiàn)逐周期電流限制。
NCP1680采用SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開發(fā)和調(diào)試先進的圖騰柱PFC設(shè)計。
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