【導(dǎo)讀】采用鋰離子電池供電的高功率密度，高效率，三相無刷直流（BLDC）電機(jī)可實現(xiàn)無繩電動工具，真空吸塵器和電動自行車的開發(fā)。然而，為了節(jié)省更緊湊的機(jī)電設(shè)備的空間，設(shè)計人員面臨著進(jìn)一步縮小其電機(jī)控制電子設(shè)備的壓力。
采用鋰離子電池供電的高功率密度，高效率，三相無刷直流（BLDC）電機(jī)可實現(xiàn)無繩電動工具，真空吸塵器和電動自行車的開發(fā)。然而，為了節(jié)省更緊湊的機(jī)電設(shè)備的空間，設(shè)計人員面臨著進(jìn)一步縮小其電機(jī)控制電子設(shè)備的壓力。
這不是一項簡單的任務(wù)。除了將驅(qū)動器組件擠壓到狹小空間的明顯困難之外，將所有部件推得更緊密地增加了熱管理，當(dāng)然還有電磁干擾（EMI）問題。
電機(jī)控制電路設(shè)計人員可以做出更纖薄的設(shè)計通過轉(zhuǎn)向新一代高度集成的柵極驅(qū)動器，這是電機(jī)控制系統(tǒng)中關(guān)鍵的元件。
本文將介紹BLDC電機(jī)在引入合適的柵極驅(qū)動器之前的操作以及如何使用它們來克服緊湊型電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計挑戰(zhàn)。
構(gòu)建更好的電動機(jī)
由于能源效率和節(jié)省空間的雙重商業(yè)壓力，電動機(jī)設(shè)計迅速發(fā)展。數(shù)字控制的BLDC電機(jī)代表了這一演變的一個方面。電機(jī)的普及是由于使用電子換向，與傳統(tǒng)（電刷換向）直流電機(jī)相比，效率更高，對于以相同速度和負(fù)載運(yùn)行的電機(jī)，效率提高了20％到30％。
這種改進(jìn)使BLDC電機(jī)能夠在給定的功率輸出下更小，更輕，更安靜。 BLDC電機(jī)的其他優(yōu)點(diǎn)包括出色的速度與轉(zhuǎn)矩特性，更動態(tài)的響應(yīng)，無噪音運(yùn)行以及更高的速度范圍。工程師們還推動設(shè)計在更高的電壓和頻率下運(yùn)行，因為這樣可以使緊湊型電動機(jī)完成與更大的傳統(tǒng)電機(jī)相同的工作。
BLDC電機(jī)成功的關(guān)鍵是電子開關(guān)模式電源和電機(jī)控制電路產(chǎn)生一個三相輸入，進(jìn)而產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場，拉動電機(jī)的轉(zhuǎn)子。由于磁場和轉(zhuǎn)子以相同的頻率旋轉(zhuǎn)，電機(jī)被歸類為“同步”?；魻栃?yīng)傳感器傳遞定子和轉(zhuǎn)子的相對位置，使控制器可以在適當(dāng)?shù)臅r刻切換磁場。 “無傳感器”技術(shù)可監(jiān)測反電動勢（EMF）以確定定子和轉(zhuǎn)子位置。
順序向三相BLDC電機(jī)施加電流的常見配置包括三對功率MOSFET安排在橋梁結(jié)構(gòu)中。每對充當(dāng)逆變器，將來自電源的直流電壓轉(zhuǎn)換為驅(qū)動電機(jī)繞組所需的交流電壓（圖1）。在高壓應(yīng)用中，通常使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）代替MOSFET。
圖1：數(shù)字三相BLDC電機(jī)控制通常使用三對MOSFET，每對MOSFET為電機(jī)的一個繞組提供交流電壓。 （圖像：德州儀器）
晶體管對包括一個低端器件（源極接地）和一個高端器件（源極在地和高壓電源軌之間浮動）。
在典型的布置中，使用脈沖寬度調(diào)制（PWM）來控制MOSFET柵極，其有效地將輸入DC電壓轉(zhuǎn)換為調(diào)制的驅(qū)動電壓。應(yīng)該使用比預(yù)期的電動機(jī)轉(zhuǎn)速高至少一個數(shù)量級的PWM頻率。每對MOSFET控制電機(jī)一相的磁場。有關(guān)驅(qū)動BLDC的更多信息，請參閱庫文章“如何為無刷直流電機(jī)供電和控制。”
電動機(jī)控制系統(tǒng)
完整的電機(jī)控制系統(tǒng)包括電源，主機(jī)微控制器，柵極驅(qū)動器和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的MOSFET（圖2）。微控制器設(shè)置PWM占空比并負(fù)責(zé)開環(huán)控制。在低壓設(shè)計中，柵極驅(qū)動器和MOSFET橋有時集成在一個單元中。然而，對于高功率單元，柵極驅(qū)動器和MOSFET橋接器是分開的，以便于熱管理，使得不同的工藝技術(shù)可用于柵極驅(qū)動器和橋接器，并限度地降低EMI。
圖2：基于TI MSP 430微控制器的BLDC電動機(jī)控制原理圖。 （圖像：德州儀器）
MOSFET橋可以由分立器件或集成芯片組成。將低端和高端MOSFET集成在同一封裝中的關(guān)鍵優(yōu)勢在于，即使MOSFET具有不同的功耗，它也允許頂部和底部MOSFET之間的自然熱均衡。無論是集成還是離散，每個晶體管對都需要一個獨(dú)立的柵極驅(qū)動器來控制開關(guān)時序和驅(qū)動電流。
也可以使用分立元件設(shè)計柵極驅(qū)動器電路。這種方法的優(yōu)勢在于它允許工程師調(diào)整柵極驅(qū)動器以匹配MOSFET特性并優(yōu)化性能。缺點(diǎn)是需要高水平的電機(jī)設(shè)計經(jīng)驗和適應(yīng)分立解決方案所需的空間。
模塊化電機(jī)控制解決方案提供了另一種選擇，市場上有各種各樣的集成柵極驅(qū)動器。更好的模塊化門驅(qū)動解決方案包括：
高集成度以限度地減少器件所需的空間
高驅(qū)動電流可降低開關(guān)損耗并提高效率
高柵極驅(qū)動電壓，確保MOSFET導(dǎo)通內(nèi)阻（“RDS（ON）”）
高電流過流，過壓和過溫保護(hù)，可在惡劣的條件下實現(xiàn)可靠的系統(tǒng)運(yùn)行
德州儀器（TI）的DRV8323x系列三相柵極驅(qū)動器可降低系統(tǒng)元件數(shù)量，降低成本和復(fù)雜性，同時滿足高效BLDC電機(jī)的需求。
DRV8323x系列有三種型號。每個都集成了三個獨(dú)立的柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)MOSFET對。柵極驅(qū)動器包括一個電荷泵，用于為高端晶體管產(chǎn)生高柵極電壓（具有高達(dá)100％的占空比支持），以及一個用于為低端晶體管供電的線性穩(wěn)壓器。
TI柵極驅(qū)動器包括讀出放大器，如果需要，還可以配置為放大低端MOSFET上的電壓。這些器件可提供高達(dá)1安培的電流，具有2安培吸收峰值柵極驅(qū)動電流，并可通過單電源供電，輸入電源范圍為6至60伏。
DRV8323R版本，適用于例如，集成三個雙向電流檢測放大器，使用低側(cè)分流電阻監(jiān)控每個MOSFET橋的電流水平。可通過SPI或硬件接口調(diào)整電流檢測放大器的增益設(shè)置。微控制器連接到DRV8323R的EN_GATE，因此它可以啟用或禁用柵極驅(qū)動輸出。
DRV8323R器件還集成了一個600毫安（mA）降壓穩(wěn)壓器，可用于為外部控制器供電。該穩(wěn)壓器可以使用柵極驅(qū)動器電源或單獨(dú)的一個（圖3）。
圖3：高度集成的柵極驅(qū)動器，如TI的DRV8323R在節(jié)省空間的同時減少系統(tǒng)組件數(shù)量，成本和復(fù)雜性。 （圖像：德州儀器）
柵極驅(qū)動器具有多種保護(hù)功能，包括電源欠壓鎖定，電荷泵欠壓鎖定，過流監(jiān)控，柵極驅(qū)動器短路檢測和過溫關(guān)斷。
每個DRV832x都封裝在尺寸僅為5 x 5到7 x 7毫米（mm）的芯片中（取決于選項）。這些產(chǎn)品可以節(jié)省超過24個分立元件所需的空間。
使用集成柵極驅(qū)動器進(jìn)行設(shè)計
為了使設(shè)計人員能夠正常運(yùn)行，TI提供了參考設(shè)計TIDA-01485。這是一款99％效率，1千瓦（kW）功率級參考設(shè)計，適用于三相36伏BLDC電機(jī)，適用于使用十節(jié)鋰離子電池供電的電動工具等應(yīng)用。
參考設(shè)計展示了如何使用高度集成的柵極驅(qū)動器（如DRV8323R），通過在此功率級別形成電機(jī)控制電路之一的基礎(chǔ)，節(jié)省電機(jī)控制設(shè)計的空間。參考設(shè)計實現(xiàn)了基于傳感器的控制。 （參見圖書館文章“為什么以及如何正弦控制三相無刷直流電機(jī)”。）
參考設(shè)計的主要元件是MSP430F5132微控制器，DRV8323R柵極驅(qū)動器和三個CSD88599 60伏特半橋MOSFET功率模塊（圖4）。
圖4：TIDA-01485是1 kW，99％效率的功率級參考設(shè)計用于三相36伏BLDC電機(jī)，可由十節(jié)鋰離子電池供電。 （圖像：德州儀器）
雖然柵極驅(qū)動器是高度集成的模塊化解決方案，消除了分立設(shè)計的許多復(fù)雜性，但仍需要一些設(shè)計工作來創(chuàng)建完全工作的系統(tǒng)。參考設(shè)計通過展示一個全面的解決方案幫助設(shè)計人員繪制原型。
例如，柵極驅(qū)動器需要多個去耦電容才能正常工作。在參考設(shè)計中，1微法（μF）電容（C13）將低端MOSFET的驅(qū)動電壓（DVDD）去耦，該電壓源自DRV8323R的內(nèi)部線性穩(wěn)壓器（圖5）。該電容必須盡可能靠近柵極驅(qū)動器放置，以盡量減小環(huán)路阻抗。需要一個值為4.7μF（C10）的第二個去耦電容來將直流電源輸入（PVDD）與36伏電池去耦。
圖5：DRV8323R柵極驅(qū)動器的應(yīng)用電路。應(yīng)盡量減少走線長度以限制EMI。 （圖片：德州儀器）
二極管D6有助于在短路條件下電池電壓下降時隔離柵極驅(qū)動器電源。該二極管非常重要，因為它的存在使PVDD去耦電容（C10）能夠在小持續(xù)時間下降時保持輸入電壓。
保持電壓可防止柵極驅(qū)動器進(jìn)入不希望的欠壓鎖定狀態(tài)。 C11和C12是使電荷泵工作的關(guān)鍵器件，也應(yīng)盡可能靠近柵極驅(qū)動器。
通常，良好的設(shè)計做法是盡量減小高端和低端的環(huán)路長度側(cè)柵極驅(qū)動器，主要用于降低EMI。高端環(huán)路從DRV8323 GH_X到功率MOSFET，并通過SH_X返回。低側(cè)環(huán)路從DRV8323 GL_X到功率MOSFET，并通過GND返回。
切換時序的重要性
MOSFET的選擇是性能和效率的關(guān)鍵BLDC電機(jī)由于沒有兩個MOSFET系列完全相同，因此每種選擇都取決于所需的開關(guān)時間。即使是稍微錯誤的定時也會導(dǎo)致問題，包括低效率，高EMI和可能的電機(jī)故障。
例如，不正確的定時會導(dǎo)致直通，導(dǎo)致低壓和高壓的情況側(cè)面MOSFET偶然導(dǎo)通，導(dǎo)致災(zāi)難性的短路。其他時序問題包括由可能損壞MOSFET的寄生電容觸發(fā)的瞬變。外部短路，焊接橋或MOSFET在特定狀態(tài)下掛起也會引發(fā)問題。
TI將其DRV8323標(biāo)記為“智能”柵極驅(qū)動器，因為它為設(shè)計人員提供了對時序和反饋的控制以消除這些問題。例如，驅(qū)動器包括一個內(nèi)部狀態(tài)機(jī)，用于防止柵極驅(qū)動器中的短路事件，控制MOSFET橋死區(qū)時間（IDEAD），并防止外部功率MOSFET的寄生導(dǎo)通。
DRV8323柵極驅(qū)動器還包括用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器的可調(diào)節(jié)推挽式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)外部MOSFET橋的強(qiáng)大上拉和下拉，以避免雜散電容問題?？烧{(diào)柵極驅(qū)動器支持動態(tài)柵極驅(qū)動電流（IDRIVE）和持續(xù)時間（tDRIVE）變化（不需要限流柵極驅(qū)動電阻）來微調(diào)系統(tǒng)操作（圖6）。
圖6：用于三相BLDC電機(jī)的一個MOSFET橋中的高側(cè)（VGHx）和低側(cè)晶體管（VGLx）的電壓和電流輸入。 IDRIVE和tDRIVE對于正確的電機(jī)運(yùn)行和效率非常重要; IHOLD用于將柵極維持在所需狀態(tài)，ISTRONG防止低端晶體管的柵極 - 源極電容引起導(dǎo)通。 （圖片：德州儀器）
首先應(yīng)根據(jù)外部MOSFET的特性選擇IDRIVE和tDRIVE，例如柵極 - 漏極電荷，以及所需的上升和下降時間。例如，如果IDRIVE太低，MOSFET的上升和下降時間將會更長，從而導(dǎo)致高開關(guān)損耗。上升和下降時間也決定（在一定程度上）每個MOSFET的續(xù)流二極管的恢復(fù)尖峰的能量和持續(xù)時間，這可能進(jìn)一步消耗效率。
當(dāng)改變柵極驅(qū)動器的狀態(tài)時， IDRIVE應(yīng)用于tDRIVE周期，該周期必須足夠長，以使柵極電容完全充電或放電。根據(jù)經(jīng)驗，選擇tDRIVE使其大約是MOSFET開關(guān)上升和下降時間的兩倍。請注意，tDRIVE不會增加PWM時間，如果在有效期間收到PWM命令，則會終止。
在tDRIVE周期后，使用固定保持電流（IHOLD）將門保持在期望的狀態(tài)（拉起或拉下）。在高端導(dǎo)通期間，低端MOSFET柵極受到強(qiáng)下拉，以防止晶體管的柵極 - 源極電容導(dǎo)致導(dǎo)通。
固定的tDRIVE持續(xù)時間確保在故障條件下，例如MOSFET柵極短路，峰值電流時間受到限制。這限制了傳輸?shù)哪芰坎⒎乐箵p壞柵極驅(qū)動引腳和晶體管。
結(jié)論
模塊化電機(jī)驅(qū)動器通過消除數(shù)十個分立元件節(jié)省空間并增強(qiáng)新一代的優(yōu)勢緊湊型，數(shù)字控制，高功率密度BLDC電機(jī)。這些“智能”柵極驅(qū)動器還包括簡化設(shè)置功率MOSFET開關(guān)時序的棘手開發(fā)過程的技術(shù)，同時減輕寄生電容的影響并降低EMI。
仍然需要注意確保外設(shè)精心選擇功率MOSFET和去耦電容等電路。但是，如圖所示，主要的電機(jī)驅(qū)動器供應(yīng)商提供參考設(shè)計，開發(fā)人員可以根據(jù)這些設(shè)計原型。
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