【導(dǎo)讀】DC/DC降壓型電路在日常的電路設(shè)計中經(jīng)常遇到，這些電路的接地節(jié)點會聚快速變化的大電流。當接地節(jié)點移動時，系統(tǒng)性能會遭受影響并且該系統(tǒng)會輻射電磁干擾（EMI）。
DC/DC降壓型電路在日常的電路設(shè)計中經(jīng)常遇到，這些電路的接地節(jié)點會聚快速變化的大電流。當接地節(jié)點移動時，系統(tǒng)性能會遭受影響并且該系統(tǒng)會輻射電磁干擾（EMI）。但是如果很好地理解“接地“引起的接地噪聲的物理本質(zhì)可提供一種減小接地噪聲問題的直觀認識。
在高頻時，一個大電容器——例如降壓型變換器輸入電容器，CVIN——可以看作一個DC電壓源。類似地，一個大電感器——例如降壓型變換器輸出電感器，LBUCK——也可以看作一個DC電流源。所做的這些近似有助于直觀理解。
圖2示出當開關(guān)在兩個位置之間交替切換時磁通量如何變化。
大電感器LBUCK使輸出電流大約保持恒定。類似地，大電容器CVIN保持電壓大約等于VIN。由于輸入引線電感兩端的電壓不變，所以輸入電流也大約保持恒定。
盡管輸入電流和輸出電流基本不變，但當開關(guān)從位置1切換到位置2時，總環(huán)路面積會迅速變?yōu)樵瓉淼囊话?。環(huán)路面積的變化意味著磁通量的快速變化，從而沿著接地回路引起接地反彈。
實際上，降壓型變換器由一對半導(dǎo)體開關(guān)構(gòu)成，如圖3所示。
雖然每個圖中的復(fù)雜程度增加，但是通過磁通量變化引起接地反彈的分析方法仍然很簡單和直觀。
事實上，磁通量的變化會沿著接地回路各處都產(chǎn)生電壓，這就帶來了一個有趣的問題：哪里是真正的地？因為接地反彈意味著，相對于稱作地的某個理想點（那一點需要定義），在接地返回印制線上產(chǎn)生一個反彈電壓。
在電源穩(wěn)壓器電路中，真實的地應(yīng)該連接在負載的低壓端。畢竟，DC/DC變換器的目的是為負載提供穩(wěn)定的電壓和電流。電流回路上的其它所有點都不是真正的地，只是接地回路的一部分。
由于在負載的低壓端接地并且環(huán)路面積的變化是接地反彈的原因，圖4顯示了如何精心地放置CVIN通過減小環(huán)路面積變化的比率降低接地反彈。
電容器CVIN旁路PCB頂層的高端開關(guān)直接到達底層低端開關(guān)兩端，因此減小了環(huán)路面積的變化，將其與接地回路隔離。當開關(guān)從一種狀態(tài)切換到另一種狀態(tài)時，從VIN的底部到負載的底部，無環(huán)路面積變化或開關(guān)電流變化。因此接地回路沒有發(fā)生反彈。
實際上，PCB布線本身決定了電路的性能。圖5為圖3中降壓型變換器電路原理圖的PCB布線圖。當開關(guān)處于狀態(tài)1所示的位置，高端開關(guān)閉合，DC電流沿著外圈紅色環(huán)路流動。當開關(guān)處于狀態(tài)2所示的位置，低端開關(guān)閉合，DC電流沿著藍色環(huán)路流動。注意由于環(huán)路面積變化引起磁通量變化。因此產(chǎn)生電壓和接地反彈。
為了清晰起見，在單層PCB上實現(xiàn)布線，但即使使用第二層整塊接地平面也無法解決接地反彈問題。在展示改進布線圖之前，圖6給出了一個簡單例子說明地平面無法解決問題。
這里，我們采用雙層PCB以便在與頂層電源線垂直處附加一個旁路電容。在左邊的例子中，地平面是整體的并且未切割。頂層印制線電流通過電容器流過，穿過過孔，到達地平面。
因為交流(AC)電總是沿著最小阻抗路徑流動，接地返回電流繞著其路徑拐角返回電源。所以當電流的幅度或頻率發(fā)生變化時，電流的磁場及其環(huán)路面積發(fā)生變化，從而改變磁通量。電流沿最小阻抗路徑流動的規(guī)律意味著，即使采用整體地平面也會發(fā)生接地反彈——與其導(dǎo)通性無關(guān)。
在右邊的例子中，一個經(jīng)過合理規(guī)劃切割的地平面會限制返回電流以使環(huán)路面積最小，從而大大減小接地反彈。在切割返回線路內(nèi)產(chǎn)生的任何剩余接地反彈電壓與通用地平面隔離。
圖7中的PCB布線利用圖6中示出的原理減小了接地反彈。采用雙層PCB板以便將輸入電容器和兩個開關(guān)安排在地平面的孤島上。
這種布線不必最好，但它工作很好，而且能夠說明關(guān)鍵問題。應(yīng)該注意紅色電流（狀態(tài)1）和藍色電流（狀態(tài)2）包圍的環(huán)路面積很大，但兩個環(huán)路面積之差很小。環(huán)路面積變換很小意味著磁通量的變化小——即接地反彈小。（然而，一般情況下，也要保證環(huán)路面積小——圖7只是為了說明AC電流路徑匹配的重要性。）
另外，在磁場和環(huán)路面積發(fā)生變化的接地回路孤島內(nèi)，沿著任何接地回路引起的接地反彈都受接地切割限制。
此外，可能第一眼看上去，輸入電容器CVIN好像沒有位于圖4中所示的頂層高端開關(guān)和低層低端開關(guān)之間，但進一步觀察才會發(fā)現(xiàn)是這樣。盡管物理鄰近可以很好，但真正起作用的是通過最小化環(huán)路面積實現(xiàn)的電子接近。
在大多數(shù)情況下，應(yīng)該首先考慮地平面的電阻，然后考慮所有開關(guān)和進入返回路徑的寄生電容器兩端流過的位移電流。
無論什么電路，基本接地原理都是相同的——應(yīng)該使磁通量的變化最小或者對它隔離。
注：本文摘抄Analog Dialogue第41卷第2期。
（轉(zhuǎn)載自：貿(mào)澤工程師社區(qū)，來源：韜略科技EMC，作者：袁韶庚）
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