【導(dǎo)讀】在以往的電路理論學(xué)習(xí)中，您可能了解了許多分析電路的技術(shù)。節(jié)點電壓分析和網(wǎng)孔分析就是其中兩種著名的類似技術(shù)。在節(jié)點電壓分析法中，首先需要選擇一個節(jié)點，把它作為參考節(jié)點。這個節(jié)點通常被假設(shè)具有絕對零電位，我們通常稱其為“接地”節(jié)點。
在以往的電路理論學(xué)習(xí)中，您可能了解了許多分析電路的技術(shù)。節(jié)點電壓分析和網(wǎng)孔分析就是其中兩種著名的類似技術(shù)。在節(jié)點電壓分析法中，首先需要選擇一個節(jié)點，把它作為參考節(jié)點。這個節(jié)點通常被假設(shè)具有絕對零電位，我們通常稱其為“接地”節(jié)點。
只要不關(guān)心電路與其它對象之間的電壓關(guān)系，一般不會發(fā)現(xiàn)這種假設(shè)的害處。將多個子電路共用的節(jié)點作為接地節(jié)點，通常是從數(shù)學(xué)上簡化電路分析的極佳選擇。
當(dāng)我們學(xué)習(xí)電子電路專業(yè)課程時，通常會忘記許多電路分析技術(shù)，例如疊加、戴維南等效、諾頓等效和網(wǎng)孔分析等，而主要關(guān)注一種技術(shù)，即節(jié)點電壓分析（圖1）。
圖1：節(jié)點電壓分析通常簡化了電子電路的分析。上圖左側(cè)是節(jié)點電壓分析示例，右側(cè)是同一電路的網(wǎng)孔分析示例。
作為一名學(xué)生和工程師，經(jīng)過多年的深入研究，您可能會忘記電子電路理論中的一些基本概念，此時正是致命的錯誤觀念滲入我們思想的時候。
常見誤解
接地節(jié)點經(jīng)常被誤以為是所有電荷的物理入地點。這當(dāng)然不對。接地節(jié)點只是我們個人選擇的節(jié)點。除了通常是許多子電路的公共節(jié)點以外，它沒什么特殊之處。而作為一個公共節(jié)點不會增加任何特殊的物理屬性。接地節(jié)點上唯一存儲的電荷是一端接地的電容器的負(fù)極板電荷。所有其它電荷都在電路中循環(huán)，并且永不停歇（圖2）。請記住，所有電流都在一個回路中流動，電荷會返回其源極。
圖2：電流電荷在回路中循環(huán)，接地節(jié)點上唯一存儲的電荷（–Q）是接地電容器上的電荷。
接地節(jié)點是避免噪聲的安全港。這也不對，大多數(shù)不同的噪聲電流都會通過接地節(jié)點（圖3）。但是，僅對設(shè)計良好的接地軌而言，導(dǎo)電軌的阻抗可忽略不計，此時跨軌的噪聲電位差幾乎為零。
圖3：不同的信號電流和不同的噪聲電流通過接地節(jié)點。接地軌的低阻抗是確保導(dǎo)電軌中任何兩個物理點之間的電位差可以忽略的唯一保證，至少在直流電路分析中如此。
人們普遍認(rèn)為，將兩個相互影響的域的接地墊隔離，可以保護安靜域免受噪聲域的影響。這可能是RF工程師在不知情的情況下所犯的最嚴(yán)重錯誤之一。在多種情況下，接地墊的分離可能會導(dǎo)致從噪聲域輸出到安靜域輸入的嚴(yán)重噪聲耦合。您可能會發(fā)現(xiàn)這有悖常理，但是當(dāng)你使用綁定線繪制完整的電路直至PCB層時，這一點會變得清晰，如圖4所示。當(dāng)所有MOS體連接到專用接地墊時，也會產(chǎn)生類似的影響。
圖4：當(dāng)上圖左側(cè)接地墊分離時，從一個域到另一個域的傳輸信號會變得噪聲很大。其分析步驟以紫色圓圈標(biāo)記。另一方面，如右側(cè)圖所示，合并域后，信號得以安全地傳輸。但是，如果PSRR較差，安靜域可能會受影響。
在考慮功耗的數(shù)字電路設(shè)計中，浮動輸出不僅與斷開接地路徑有關(guān)，而且還與斷開電源路徑有關(guān)（圖5）。物理設(shè)計偏好通常傾向于切換接地路徑。這是因為在相同的導(dǎo)通電阻下，將使用面積比PMOS器件小的NMOS器件。
圖5：當(dāng)電源或地線關(guān)閉時，不可避免地可能導(dǎo)致輸出電壓不確定。而此不確定的輸出電壓取決于存儲在負(fù)載電容器上的最后一個工作輸出狀態(tài)、電源與地之間的OFF電阻比，以及不同連接點的漏電流。
接地軌和電源軌似乎與時序收斂無關(guān)。時序收斂與不同的信元延遲和不同的信號邊沿有關(guān)。 當(dāng)接地軌具有相對較高的阻抗時，在電源軌和接地軌之間會產(chǎn)生相當(dāng)大的IR壓降，這會降低有效電源電壓，從而增加CMOS單元的延遲。而且，即使電源軌上的平均IR壓降微不足道，開關(guān)噪聲電流也會在接地軌上產(chǎn)生明顯的瞬態(tài)噪聲電壓。因此，如圖6所示，到達(dá)距信號源較遠(yuǎn)的門的信號沿可以及時有效地“移動”[1]。時移取決于瞬態(tài)噪聲的大小和極性。對于高上升/下降時間信號，這種影響變得更加明顯。
圖6：根據(jù)紫色圓圈所示的分析步驟，瞬態(tài)電源/接地電流曲線在接地端會產(chǎn)生相似的電壓曲線，這會影響信號沿的有效到達(dá)時間。大幅增加本地去耦電容器以吸收交流電流曲線，并降低電源/接地軌的阻抗，可以緩解該問題。
接地墊是否需要分離？
這是一個棘手的問題，需要詳細(xì)說明。前述內(nèi)容可能會給人一種印象，即接地墊分離是一種不良的設(shè)計實踐，盡管在許多芯片中這可能是一種常見的做法。通常，設(shè)計具有低電阻和低電感的單個統(tǒng)一接地，要遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于設(shè)計多個接地軌。多個接地軌會造成一些麻煩，比如多個作用域之間復(fù)雜的回流電流路徑，以及載有高頻電流的大面積環(huán)路造成的磁耦合。
但是，在某些情況下，接地墊的分離不可避免。例如，假設(shè)有一個晶體振蕩器和一個帶噪聲的數(shù)字模塊，它們共享一個接地墊，如圖7所示。數(shù)字模塊從電源汲取噪聲電流，并通過接地軌和綁定線返回。因此，接地線上會出現(xiàn)明顯的電壓故障。由于該綁定線與晶體振蕩器的地線共用，噪聲電壓故障會加載到晶振內(nèi)部節(jié)點的晶體純正弦電壓上。
圖7：根據(jù)紫色圓圈中所示的分析步驟，噪聲塊會間接在接地線兩端產(chǎn)生噪聲電壓。由于晶體實際上是具有很好截止特性的帶通濾波器，因此在振蕩過程中，其每個端子上都存在純正弦電壓。但是，晶體振蕩器的內(nèi)部節(jié)點會感測到接地線兩端的純電壓和噪聲電壓的疊加。
在需要分離接地墊的情況下，請執(zhí)行以下操作：
盡可能在噪聲模塊周圍放置多個去耦電容器（圖8）。這會減少噪聲供電電流在芯片外部的傳輸，從而將模塊導(dǎo)電軌及其輸出上產(chǎn)生的噪聲電壓最小化。
最小化噪聲模塊與其它模塊塊之間的電氣交互作用，或僅減小傳遞的電流。為此，在噪聲域中使用具有相對較高輸出阻抗的驅(qū)動器，在安靜域中使用具有高輸入阻抗緩沖器的驅(qū)動器。
圖8：噪聲模塊端的去耦電容會吸收流經(jīng)電源和地的大部分AC電流成分。最小化從噪聲域到敏感域的傳輸電流，可確保最小化噪聲的傳輸。
接地節(jié)點只是一個為電路分析而定義的節(jié)點。所有電流仍在回路中傳輸，并不會在接地節(jié)點處截止。
要預(yù)測和解決接地相關(guān)的問題，只需繪出帶所有物理連接的完整電路，而無需定義接地節(jié)點，并將不同的電流回路和公共路徑可視化。
在決定統(tǒng)一或分離不同域的接地墊之前，仔細(xì)了解預(yù)期的增益和潛在影響。
圖9所示是一個習(xí)題。其左側(cè)顯示了一個具有有限漏極阻抗的簡單NMOS電流源。那么，看到的電源電壓源低頻交流阻抗是多少？
圖9：接地節(jié)點定義是否會影響輸入阻抗值？
答案非常簡單。物理上保持電路不變，但選擇NMOS漏極作為接地節(jié)點，而不是NMOS源極，如圖9右側(cè)所示，那么阻抗會保持不變嗎？千萬不要讓接地迷惑了您。
（來源：快資訊）
