【導(dǎo)讀】復(fù)位電路是一種用來(lái)使電路恢復(fù)到起始狀態(tài)的電路設(shè)備，它的操作原理與計(jì)算器有著異曲同工之妙，只是啟動(dòng)原理和手段有所不同。復(fù)位電路，就是利用它把電路恢復(fù)到起始狀態(tài)。就像計(jì)算器的清零按鈕的作用一樣，以便回到原始狀態(tài)，重新進(jìn)行計(jì)算。
復(fù)位電路是一種用來(lái)使電路恢復(fù)到起始狀態(tài)的電路設(shè)備，它的操作原理與計(jì)算器有著異曲同工之妙，只是啟動(dòng)原理和手段有所不同。復(fù)位電路，就是利用它把電路恢復(fù)到起始狀態(tài)。就像計(jì)算器的清零按鈕的作用一樣，以便回到原始狀態(tài)，重新進(jìn)行計(jì)算。
和計(jì)算器清零按鈕有所不同的是，復(fù)位電路啟動(dòng)的手段有所不同。一是在給電路通電時(shí)馬上進(jìn)行復(fù)位操作；二是在必要時(shí)可以由手動(dòng)操作；三是根據(jù)程序或者電路運(yùn)行的需要自動(dòng)地進(jìn)行。復(fù)位電路都是比較簡(jiǎn)單的大都是只有電阻和電容組合就可以辦到了，再?gòu)?fù)雜點(diǎn)就有三極管等配合程序來(lái)進(jìn)行了。
復(fù)位電路中電容的作用：
電阻的作用不是限制電流的大小，而是控制復(fù)位時(shí)間。電容充電時(shí)間與RC的值成正比。復(fù)位電路中的電容只是在上電那一會(huì)兒起作用，充電瞬間電容有電流流過(guò)，所以RST端得到高電平，充電結(jié)束后沒(méi)有電流了，則RST端變?yōu)榈碗娖健?a target="_blank" style="text-decoration:none;" >晶振電路在單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的電路，電路里一定會(huì)有電源的。讓復(fù)位端電平與電源電平變化不同步讓復(fù)位端電平的上升落后于電源電平的上升，在一小段時(shí)間內(nèi)造成這樣的局面：
1、電源達(dá)到正常工作電源；
2、復(fù)位電平低于低電平閾值（被當(dāng)作邏輯0）；
這種狀態(tài)就是復(fù)位狀態(tài)。僅用一個(gè)電阻是不可能同時(shí)實(shí)現(xiàn)這兩條的。復(fù)位，就是提供一個(gè)芯片要求的復(fù)位條件，一般是N個(gè)機(jī)器周期的固定電平。低電平復(fù)位就是芯片可正常工作后保持N個(gè)以上周期的低然后變高即可。高電平復(fù)位就是芯片可正常工作侯保持N個(gè)周期以上的高然后變低即可。
另一種解釋：
上電瞬間，由于電容兩端電壓不能突變，RST引腳電壓端為VR為VCC，隨著對(duì)電容的充電，RST引腳的電壓呈指數(shù)規(guī)律下降，到t1時(shí)刻，VR降為3.6V，隨著對(duì)電容充電的進(jìn)行，VR最后將接近0V。為了確保單片機(jī)復(fù)位，t1必須大于兩個(gè)機(jī)器周期的時(shí)間，機(jī)器周期取決于單片機(jī)系統(tǒng)采用的晶振頻率，R不能取得太小，典型值8.2kΩ；t1與RC電路的時(shí)間常數(shù)有關(guān)，由晶振頻率和R可以算出C的取值。
假設(shè)高電平復(fù)位有效，一充一放周期是1.386*RC，舍去充放過(guò)程中較低的電平，一般的單片機(jī)復(fù)位脈沖寬度取值：（0.7~1）RC反正都是大概的，電平保持時(shí)間越長(zhǎng)越好，電容大點(diǎn)好。單位是：（R）*（C）=（歐姆）*（法拉）＝秒
例如：R＝470K，C＝0.15UF則延時(shí)時(shí)間是（470*1000）*（0.15/1000000）＝0.0705秒。
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