【導(dǎo)讀】本文介紹了在無限流電阻中的上電浪涌電流的抑制，通過兩種方法的比對，讀者可以選擇更加適合自身設(shè)計的方法來進(jìn)行浪涌電流的抑制，并且每種方法的優(yōu)點與缺點不盡相同，更加方便了設(shè)計者們進(jìn)行選擇。
在電子電路工程設(shè)計中，通常都會需要對浪涌電流進(jìn)行抑制。因為浪涌電流很大程度上會影響電力設(shè)備與電路的安全性。在本文中小編將為大家介紹對于無限流電阻中的上電浪涌電流的抑制模塊設(shè)計。
無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊
圖1一種上電浪涌電流抑制電路
有人提出一種無限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖1（a）所示，其上電電流波形如圖1（b）所示，其思路是將電路設(shè)計成線形恒流電路。實際電路會由于兩極放大的高增益而出現(xiàn)自激振蕩現(xiàn)象，但不影響電路工作。從原理上講，這種電路是可行的，但在使用時則有如下問題難以解決：如220V輸入的400W開關(guān)電源的上電電流至少需要達(dá)到4A，如上電時剛好是電網(wǎng)電壓峰值，則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠(yuǎn)超出IRF840的125W額定耗散功率，也遠(yuǎn)超出IRFP450及IRFP460的150W額定耗散功率，即使是APT的線性MOSFET也只有450W的額定耗散功率。因此，如采用IRF840或IRFP450的結(jié)果是，MOSFET僅能承受有限次數(shù)的上電過程便可能被熱擊穿，而且從成本上看，IRF840的價格可以接受，而IRFP450及IRFP460則難以接受，APT的線性MOSFET更不可能接受。
欲真正實現(xiàn)無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊，需解決功率器件在上電過程的功率損耗問題。另一種上電浪涌電流抑制模塊的基本思想是，使功率器件工作在開關(guān)狀態(tài)，從而解決了功率器件上電過程中的高功率損耗問題，而且電路簡單。電路如圖2（a）和（b）所示，上電電流波形如圖2（c）所示。
