国产精品亚洲欧美一区麻豆_亚洲国产精品高清在线观看_ 国产一区二区在线观看app-亚洲国产成人久久综合野外-国产永久在线视频-国产va免费精品

你的位置:首頁 > 電路保護(hù) > 正文

電容器阻抗/ESR頻率特性是指什么?

發(fā)布時間:2014-05-29 責(zé)任編輯:willwoyo

【導(dǎo)讀】本文為解說電容器基礎(chǔ)的技術(shù)專欄。通過電容器的阻抗大小|Z|和等價串聯(lián)電阻(ESR)的頻率特性進(jìn)行闡述。了解電容器的頻率特性,可對諸如電源線消除噪音能力和抑制電壓波動能力進(jìn)行判斷,可以說是設(shè)計回路時不可或缺的重要參數(shù)。


對頻率特性中的阻抗大小|Z|和ESR進(jìn)行說明

1.電容器的頻率特性
如假設(shè)角頻率為ω,電容器的靜電容量為C,則理想狀態(tài)下電容器(圖1)的阻抗Z可用公式
(1)表示。
理想電容器
圖1.理想電容器

由公式(1)可看出,阻抗大小|Z|如圖2所示,與頻率呈反比趨勢減少。由于理想電容器中無損耗,故等價串聯(lián)電阻(ESR)為零。
理想電容器的頻率特性
圖2.理想電容器的頻率特性

但實際電容器(圖3)中除有容量成分C外,還有因電介質(zhì)或電極損耗產(chǎn)生的電阻(ESR)及電極或?qū)Ь€產(chǎn)生的寄生電感(ESL)。因此,|Z|的頻率特性如圖4所示呈V字型(部分電容器可能會變?yōu)閁字型)曲線,ESR也顯示出與損耗值相應(yīng)的頻率特性。
實際電容器
圖3.實際電容器

實際電容器的|Z|/ESR頻率特性(例)
圖4.實際電容器的|Z|/ESR頻率特性(例)

|Z|和ESR變?yōu)閳D4曲線的原因如下:

低頻率范圍:低頻率范圍的|Z|與理想電容器相同,都與頻率呈反比趨勢減少。ESR值也顯示出與電介質(zhì)分極延遲產(chǎn)生的介質(zhì)損耗相應(yīng)的特性。

共振點(diǎn)附近:頻 率升高,則|Z|將受寄生電感或電極的比電阻等產(chǎn)生的ESR影響,偏離理想電容器(紅色虛線),顯示最小值。|Z|為最小值時的頻率稱為自振頻率,此 時|Z|=ESR。若大于自振頻率,則元件特性由電容器轉(zhuǎn)變?yōu)殡姼校瑋Z|轉(zhuǎn)而增加。低于自振頻率的范圍稱作容性領(lǐng)域,反之則稱作感性領(lǐng)域。[page]

ESR除了受介電損耗的影響,還受電極自身抵抗行程的損耗影響。

高頻范圍:共振點(diǎn)以上的高頻率范圍中的|Z|的特性由寄生電感(L)決定。高頻范圍的|Z|可由公式(2)近似得出,與頻率成正比趨勢增加。
ESR逐漸表現(xiàn)出電極趨膚效應(yīng)及接近效應(yīng)的影響。

以上為實際電容器的頻率特性。重要的是,頻率越高,就越不能忽視寄生成分ESR或ESL的影響。隨著電容器在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用越來越多,ESR和ESL與靜電容量值一樣,成為表示電容器性能的重要參數(shù)。

各種電容器的頻率特性

以上就電容器寄生成分ESR、ESL對頻率特性的巨大影響進(jìn)行了說明。電容器種類不同,則寄生成分也會有所不同。接下來對不同種類電容器頻率特性的區(qū)別進(jìn)行說明。
圖5表示靜電容量10uF各種電容器的|Z|及ESR的頻率特性。除薄膜電容器以外,全是SMD型電容器。
各種電容器的|Z|/ESR頻率特性
圖5.各種電容器的|Z|/ESR頻率特性

圖5所示電容器的靜電容量值均為10uF,因此頻率不足1kHz的容量范圍|Z|均為同等值。但1kHz以上時,鋁電解電容器或鉭電解電容器的|Z|比多 層陶瓷電容器或薄膜電容器大,這是因為鋁電解電容器或鉭電解電容器的電解質(zhì)材料的比電阻升高,導(dǎo)致ESR增大。薄膜電容器或多層陶瓷電容器的電極中使用了 金屬材料,因此ESR很低。
多層陶瓷電容器和引腳型薄膜電容器在共振點(diǎn)附近的特性基本相同,但多層陶瓷電容器的自振頻率高,感應(yīng)范圍的|Z|則較低。這是由于引腳型薄膜電容器中只有引腳線部分的電感增大了。
由以上結(jié)果可以得出,SMD型的多層陶瓷電容器在較寬的頻率范圍內(nèi)阻抗都很低,也最適于高頻用途。

多層陶瓷電容器的頻率特性

多層陶瓷電容器可按原材料及形狀分為很多種類。下面就這些因素對頻率特性的影響進(jìn)行說明。

關(guān)于ESR:處于容性領(lǐng)域的ESR由電介質(zhì)材料產(chǎn)生的介質(zhì)損耗決定。Class2(種類2)中的高介質(zhì)率材料因使用強(qiáng)電介質(zhì),故有ESR增大的傾向。Class1(種類1)的溫度補(bǔ)償材料因使用一般電介質(zhì),因此介質(zhì)損耗非常小,ESR數(shù)值也很小。

共振點(diǎn)附近到感性領(lǐng)域的高頻領(lǐng)域中的ESR除受電極材料的比電阻率、電極形狀(厚度、長度、寬度)、疊層數(shù)影響外,還受趨膚效應(yīng)或接近效應(yīng)的影響。電極材料多使用Ni,但低損耗型電容器中,有時也會選用比電阻率低的Cu作為電極材料。


關(guān)于ESL:多層陶瓷電容器的ESL極易受內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)影響。設(shè)內(nèi)部電極大小的長度為l、寬度為w、厚為d時,根據(jù)F.W.Grover,電極電感ESL可用公式(3)表示。
由此公式可得知,電容器的電極越短,越寬,越厚,則ESL越小。

圖6表示各尺寸多層陶瓷電容器的額定容量與自振頻率的關(guān)系。相同容量,尺寸越小,自振頻率越高,則ESL越小。由此,可以說長度l較短的小型電容器適用于高頻領(lǐng)域。
各尺寸額定容量值與自振頻率的關(guān)系
圖6.各尺寸額定容量值與自振頻率的關(guān)系

圖7為長度l縮短,寬度w增大的LW逆轉(zhuǎn)型電容器。由圖8的頻率特性可知,即使容量相同,LW逆轉(zhuǎn)型電容器的阻抗低于一般電容器,特性優(yōu)良。使用LW逆轉(zhuǎn)型電容器,即使數(shù)量少于一般電容器,也可獲得同等性能,通過減少元件數(shù)量可以降低成本,縮減實裝面積。
LW逆轉(zhuǎn)型電容器的外觀
圖7.LW逆轉(zhuǎn)型電容器的外觀

LW逆轉(zhuǎn)型電容器與通用品的|Z|/ESR
圖8.LW逆轉(zhuǎn)型電容器與通用品的|Z|/ESR


[page]獲得頻率特性數(shù)據(jù)的方法

頻率特性數(shù)據(jù)可通過阻抗分析儀或矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀獲取。最近,也可在各元器件廠商的Web網(wǎng)站中確認(rèn)。
圖9為提供的設(shè)計輔助工具"SimSurfing"的圖像??赏ㄟ^選取型號和希望確認(rèn)的項目,顯示特性。還可下載SPICE網(wǎng)絡(luò)清單或S2P數(shù)據(jù)作為模擬用數(shù)據(jù)。方便大家靈活運(yùn)用到各種電子回路設(shè)計中去。

"SimSurfing"的圖像


要采購電容器么,點(diǎn)這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉