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安森美半導(dǎo)體推出低壓功率MOSFET新系列

發(fā)布時(shí)間:2014-05-21 來(lái)源:安森美半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:willwoyo

【導(dǎo)讀】安森美半導(dǎo)體推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET極適合用作服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用的開(kāi)關(guān)器件,或者用于配合負(fù)載點(diǎn)(POL)模塊中的同步整流。
                   
  NTMFS4H01NF
 圖1:安森美半導(dǎo)體推出低壓功率MOSFET新系列-NTMFS4H01NF

安森美半導(dǎo)體深知終端產(chǎn)品性能越來(lái)越強(qiáng)調(diào)高能效,故優(yōu)化了新功率MOSFET的設(shè)計(jì)、材料及封裝,以降低損耗。0.7毫歐(mΩ)的一流導(dǎo)通阻抗(RDSon)性能和3780皮法(pF)的低輸入電容確保導(dǎo)電、開(kāi)關(guān)及驅(qū)動(dòng)器等損耗降至最低。安森美半導(dǎo)體還深思熟慮,確保這些MOSFET提供較現(xiàn)有器件更優(yōu)的熱性能和低封裝阻抗及感抗。

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō):“將導(dǎo)電及開(kāi)關(guān)損耗降至最低以優(yōu)化總能效,是越來(lái)越多終端市場(chǎng)設(shè)計(jì)人員極希望可實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。我們利用工藝、材料和封裝專知和技術(shù),成功將功率MOSFET的性能提升到新的水平,幫助我們客戶達(dá)到他們嚴(yán)格的設(shè)計(jì)性能目標(biāo)。”

封裝及價(jià)格

NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用無(wú)鉛SO8-FL封裝,每1,500片批量的單價(jià)分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元;NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用無(wú)鉛µ8-FL封裝,每1,500片批量的單價(jià)分別為0.86和0.67美元。

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