【導(dǎo)讀】MOSFET在鋰離子電池保護電路中都有著廣泛的應(yīng)用。但并不是所有類型的MOSFET都適合鋰電池保護電路的，這樣就涉及到MOSFET在鋰電池保護電路中的選擇問題，如何選擇呢？請看下文。
通常Pmos 放到正端，Nmos放到負(fù)端。在正端，Pmos正常時候，G極低電平，保護時候高電平；而在負(fù)端，Nmos正常時候G極高電平，保護時候低電平。而最近新出一個芯片，將Nmos放到了正端，通常Nmos會比Pmos成本低，導(dǎo)通阻值會偏?。∟mos導(dǎo)電溝道依靠電子），當(dāng)然目前也有一些Pmos的導(dǎo)通阻值做到很小，比如TPC8107，做到了5.5個mohm左右。采用什么樣的MOS，就需要有什么樣的芯片來驅(qū)動。
在1-2串的鋰離子電池保護電路中幾乎都用到了Nmos，單cell的比如手機電池內(nèi)用一個復(fù)合Nmos，而常用的保護芯片有S8241,S8261,R5426，MM3077等。2串鋰離子電池的比如一些DV電池同樣用到了Nmos，而2串鋰離子電池常用保護芯片用S8232，MM1412等。
3-4串主要用筆記本電池，此前所見到的都是在正端用Pmos，那為什么Nmos相對廉價卻不采用呢？通常Nmos一般放到負(fù)端，這樣便于芯片驅(qū)動，但是因為筆記本電池需要通訊，包括SMBUS和HDQ都需要用到地線，因此，當(dāng)電池保護的時候，負(fù)端中斷，通訊無法進行。當(dāng)然，我們可以為了保證通訊而將通訊所用到的地線獨立出來，直接可以連接到B-，而主機端通訊的結(jié)構(gòu)為開漏極，這樣在充電的時候，當(dāng)MOSFET關(guān)閉的時候，會有漏電流從下圖的D1 D2流過。
圖1 MOSFET關(guān)閉時，漏電流的流向圖
當(dāng)然也有解決此問題的方法，但是會帶來不穩(wěn)定，具體方法，請參看下圖。
圖2 解決漏電流流向的方法
因此，在3-4串的筆記本電池中，通常是用到Pmos，當(dāng)保護的時候，驅(qū)動會在B+ 和P+處拉電。但是最近新出的一個筆記本電池解決方案中，在正端是采用Nmos。我們知道Nmos，高電平導(dǎo)通，因此驅(qū)動就需要做到比B+ 和P+ 還要高，芯片內(nèi)部的驅(qū)動必須用到charge pumps。
下面羅列一些常用到的3-4串的筆記本電池管理/保護芯片。MM1414，S8254，bq2040,2060,208x家族,20zx0家族。Maxim 有1780 1781 據(jù)說最近推出了1785，Atmel 也出1款A(yù)Tmega406，Microchip PS401 PS501，瑞薩M37517家族，微電通道 GC1318+x3100,還有IC新銳凹凸的oz930等等。
在5串以上的多串鋰離子電池保護電路方面，因為目前的應(yīng)用中只是輸出1正1負(fù)，還很少見到有通訊電路的，所以相對來講，大部分都采用了Nmos。而且鑒于動力鋰離子電池在應(yīng)用中電流較大，一般都采用了充放電路相對分開，盡量減少在放電過程中回路阻抗。當(dāng)然，在一些高端的應(yīng)用中，采用了通訊的功能，在解決共地的問題上，采用了光偶隔離的方法，將發(fā)出指令與接受指令分開，采用4線結(jié)構(gòu)。
