該產(chǎn)品通過截面積大于常規(guī)二極管的p-n結將電壓限制在一定范圍（稱為“箝位”裝置），可以將較大電流導向地面，避免對元件造成持續(xù)損壞。
與其二極管技術的對比：
工作特性的對比：
裝置結構的對比：
肖特基二極管是通過將金屬焊至半導體結上而形成。 從電氣角度而言，該二極管通過多數(shù)載流子進行導電，并通過較低的漏電流和正向偏壓（VF）實現(xiàn)快速響應。 肖特基二極管廣泛應用于高頻電路。
齊納二極管由重摻P-N半導體結制成。 有兩種物理效應可稱之為齊納態(tài)（齊納效應和雪崩效應）。 當P-N結上施加了很低的反向電壓時，在量子效應下，P-N結將開始導電，這種現(xiàn)象稱之為齊納效應。 當PN結上施加的反向電壓大于5.5伏時將發(fā)生雪崩效應。發(fā)生雪崩效應時，所產(chǎn)生的電子空穴對將碰撞格柵。 基于齊納效應的齊納二極管廣泛用作電子電路中的基準電壓源。
瞬態(tài)抑制二級管由特制的P-N半導體結組成，可提供浪涌保護。 PN結通常覆膜，以防在非導電狀態(tài)下過早出現(xiàn)電壓弧閃。 出現(xiàn)瞬態(tài)電壓時，瞬態(tài)抑制二級管開始導電，并通過雪崩效應鉗制瞬態(tài)電壓。 瞬態(tài)抑制二極管在電信、通用電子設備、數(shù)碼消費品領域中被廣泛用作電路過壓保護裝置，可提供雷擊、靜電放電和其他電壓瞬變保護。
SPA是指瞬態(tài)抑制二極管陣列。 該陣列集成了PN結、SCR或采用多引腳結構封裝的其他硅保護結構。 SPA可用于需要多種保護的電信設備、通用電子設備、數(shù)碼消費產(chǎn)品，提供針對靜電放電、雷擊和EFT的綜合防護。 例如，它可用于HDMI、USB和以太網(wǎng)端口的ESD保護。
