恩智浦半導體高端視點：
- 恩智浦展示了其全面的ESD保護方案
- 針對便攜產(chǎn)品的高速應用，推出針對性很強的產(chǎn)品和方案。
- 手機應用上的產(chǎn)品追求更低功耗和開關(guān)速度
恩智浦半導體發(fā)展趨勢：
- NXP的ESD保護產(chǎn)品趨勢一是普通的單路/多路的保護
- NXP的ESD保護產(chǎn)品趨勢二是高集成度的解決方案
- 基于硅半導體的ESD方案在簡化設(shè)計和降低成本上占優(yōu)
在近日舉辦的集成電路展會上，恩智浦半導體重磅出擊，不僅展示了其基于高性能混合訊號信號(High Performance Mixed Signal;HPMS)、應用領(lǐng)域十分廣泛的創(chuàng)新綠色半導體解決方案。同時，恩智浦半導體還帶來了其傳統(tǒng)優(yōu)勢的產(chǎn)品線，分立器件與ESD保護產(chǎn)品和解決方案，電子元件技術(shù)網(wǎng)/我愛方案網(wǎng)記者有幸在展會現(xiàn)場采訪了恩智浦半導體技術(shù)市場經(jīng)理高德勇先生，了解了恩智浦最新ESD解決方案的優(yōu)勢和未來的發(fā)展規(guī)劃。
NXP技術(shù)市場經(jīng)理 高德勇
隨著IC制造技術(shù)的提升，芯片的集成度越來越高，芯片尺寸越來越小，因此芯片變得越來越脆弱，設(shè)計工程師在研發(fā)產(chǎn)品時，必須要解決ESD或其它放電問題，外部ESD保護的重要性日益突出。
ESD保護產(chǎn)品是恩智浦多重市場半導體里很重要的一塊，ESD保護主要分為三種，第一種是通用的保護器件，如機頂盒、電池里面對一些通用的音視頻保護，可以分為單路的多路的，他們的節(jié)電容相對高一點，但不會影響到信號的正常傳輸；
第二種是軌對軌的ESD保護，一般以PRTR開頭，應用于數(shù)字接口的場合USB，HDMI，LVDS的應用場合 ；第三種是以IP開頭的，把ESD保護的整體方案集成在一個模塊里面，省略了很多周邊器件，因此降低了成本同時也簡化了設(shè)計。
高先生首先介紹了恩智浦半導體用于HDMI1.4接口的ESD保護和信號整形IP4786，具有IEC61000-4-2ESD保護，超低潛位電壓，集成信號整形功能，如線纜延長，電平轉(zhuǎn)換；采用了HVQFN32小型化封裝(5mm*5mm)；集成新的濾波技術(shù)，對高速信號保持低的差分阻抗。
HDM11.4接口允許同時傳送兩路1080p全高清視頻信號，為以后的3D全高清顯示奠定了基礎(chǔ)。IP4786是第一個支持HDMI1.4的ESD保護的小型化封裝IC，其最大的亮點是采用了最新的濾波技術(shù)，一般情況下，HDMI在100歐時阻抗在±15，采用新的濾波技術(shù)后，在100歐時阻抗在±5～8之間，將為設(shè)計工程師在設(shè)計3D動畫這類高速信號傳輸時提供了很大的空間。據(jù)高先生透露，目前國內(nèi)已經(jīng)有客戶在用這款產(chǎn)品做Design。
隨著便攜產(chǎn)品功能增加，傳輸速率加快，會對ESD器件提出新的挑戰(zhàn)。針對便攜式產(chǎn)品接口靜電保護，恩智浦也展示了其很強的實力，如在手機和機頂盒上提供標準化的ESD保護方案，性價比較高，同時方案還具有以下特點：
- 潛位電壓低
- ESD保護速度快，1ns內(nèi)吸收抑制靜電
- 分布電容低，更適用于高速信號線
- 方案全面，更高可靠性及性價比。
在高速傳輸方面，要求ESD器件要有低分布電容，恩智浦半導體此次展示的0201封裝的靜電保護器件就能提供低至0.25PF的分布電容，滿足IEC6100-4-2的要求，抗靜電能力可達10KV，并能提供雙向靜電保護，非常適合高速數(shù)據(jù)接口的ESD保護。
高經(jīng)理介紹，業(yè)界有幾個主流的ESD方案，如陶瓷材料和基于硅半導體。從性能上比較，基于硅半導體的ESD方案會越來越受歡迎。第一它可以承受多次ESD沖擊，而陶瓷材料制作的壓敏電阻多次沖擊后會衰減。另外一個原因就是基于硅半導體的ESD成本也在下降，性價比很高。
在談到未來ESD保護方案的發(fā)展趨勢時，高經(jīng)理總結(jié)到恩智浦半導體會向兩個方面發(fā)展，第一是小型化封裝，單顆保護單路信號，總體來說設(shè)計比較方便，Total Solution的成本會比集成化的偏高；另一個發(fā)展方向就是集成化的趨勢，小體積，使用方便，不需要做太多PCB Layout的設(shè)計，簡化設(shè)計和減低成本。
針對手機應用，恩智浦半導體這次還推出了手機充電開關(guān)PBSM5240PF。采用小型化6pin無引腳封裝（2*2*0.5mm），集成40V，2A低飽和壓降開關(guān)三極管，還集成了30V N－Mosfet，做負載開關(guān)的優(yōu)勢在于采用了低飽和壓降的雙極性三極管，1安倍負載時，壓降僅為60mV，對于不斷追求電池使用時間的便攜產(chǎn)品而已，低功耗的開關(guān)非常重要，對延長使用時間意義很重大。
高先生進一步解釋到，以前是用兩個MOSFET做這個開關(guān)，存在兩個問題，第一是ESD防護能力比較差，第二是會產(chǎn)生寄生二極管，它會產(chǎn)生很大的反向漏電流，為了防止漏電流倒灌，工程師在設(shè)計時需要在外部電路加一個肖特基二極管來抵消漏電流。這樣成本就會很高。而使用了低飽和壓降的雙極性三極管，上面兩個問題就迎刃而解。同時在成本上也占優(yōu)，可靠性也更好，設(shè)計更簡便。
而此次展示的低飽和壓降雙極性三極管的直流開關(guān)已經(jīng)是第四代產(chǎn)品，同一代產(chǎn)品相比，功率損耗已經(jīng)降低了90%，切換直流負載更省電，同時開關(guān)速度也大大改善。
而專門針對手機等便攜產(chǎn)品開發(fā)的LDO同樣引人矚目，這是一款業(yè)界很少采用CSP封裝的LDO，面積更小，空間更省，其最大的優(yōu)勢是輸出噪聲很低，典型值為30uVrms。
